SU808950A1 - Device for monitoring microwave power - Google Patents

Device for monitoring microwave power Download PDF

Info

Publication number
SU808950A1
SU808950A1 SU782638727A SU2638727A SU808950A1 SU 808950 A1 SU808950 A1 SU 808950A1 SU 782638727 A SU782638727 A SU 782638727A SU 2638727 A SU2638727 A SU 2638727A SU 808950 A1 SU808950 A1 SU 808950A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
voltage
switching element
resistor
power
waveguide
Prior art date
Application number
SU782638727A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Олег Алексеевич Афанасьев
Антанас Антано Алексеюнас
Сигитас Ионо Гечяускас
Original Assignee
Ордена Трудового Красного Знамениинститут Физики Полупроводникован Литовской Ccp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ордена Трудового Красного Знамениинститут Физики Полупроводникован Литовской Ccp filed Critical Ордена Трудового Красного Знамениинститут Физики Полупроводникован Литовской Ccp
Priority to SU782638727A priority Critical patent/SU808950A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU808950A1 publication Critical patent/SU808950A1/en

Links

Landscapes

  • Thermistors And Varistors (AREA)

Description

Изобретение относится к технике измерений на сверхвысоких частотах.The invention relates to techniques for measurements at microwave frequencies.

Известно устройство для контроля мощности микроволн, содержащее отре- _ зок волновода с расположенным внутри 3 него полупроводниковым бруском, индикатор и источник напряжения с последовательно соединенным резистором |1].A device for controlling the power of microwaves is known, which contains a section of a waveguide with a semiconductor bar located inside it 3 , an indicator and a voltage source with a resistor | 1] connected in series.

Однако данное устройство имеет низкие чувствительность и точность.However, this device has low sensitivity and accuracy.

Цель изобретения - повышение чувствительности и точности.The purpose of the invention is to increase sensitivity and accuracy.

Указанная цель достигается тем, что в устройство для контроля мощности микроволн, содержащее отрезок вол-15 новода с расположенным внутри него полупроводниковым бруском, индикатор и источник напряжения с последовательно соединенным резистором, введен термочувствительный переключающий эле- 20 мент, соединенный с полупроводниковым бруском через введенный теплопроводящий переходник, установленный в отверстии, которое выполнено в стенке отрезка волновода, при этом один 25 электрод термочувствительного переключающего элемента соединен с индикатором и вторым выводом резистора, а другой - с корпусом отрезка волновода. 30This goal is achieved by the fact that in the device for controlling the power of microwaves, containing a segment of vol-15 novoda with a semiconductor bar located inside it, an indicator and a voltage source with a resistor connected in series, a thermosensitive switching element 20 is connected to the semiconductor bar through the introduced heat-conducting an adapter installed in the hole, which is made in the wall of the segment of the waveguide, while one 25 electrode of a thermosensitive switching element is connected to and indicator and the second output of the resistor, and the other with the body of the waveguide segment. thirty

На фиг. 1 приведена конструкция предлагаемого устройства, на фиг. 2 диаграммы, поясняющие его работу.In FIG. 1 shows the design of the proposed device, FIG. 2 diagrams explaining his work.

Устройство для контроля мощности микроволн содержит отрезок 1 волновода с расположенным внутри него полупроводниковым бруском 2, индикатор 3, источник 4 напряжения с последовательно соединенным резистором 5 и термочувствительный переключающий элемент 6, соединенный с полупроводниковым бруском 2 через теплопроводящий переходник 7, установленный в отверстии, которое выполнено в стенке отрезка 1 волновода, при этом один электрод термочувствительного переключающего элемента 6 соединен с индикатором 3 и вторым выводом резистора 5, а другой соединен с корпусом отрезка 1 волновода.A device for controlling the power of microwaves contains a segment 1 of a waveguide with a semiconductor bar 2 located inside it, an indicator 3, a voltage source 4 with a resistor 5 connected in series and a heat-sensitive switching element 6 connected to a semiconductor bar 2 through a heat-conducting adapter 7 installed in the hole, which is made in the wall of the segment 1 of the waveguide, while one electrode of the heat-sensitive switching element 6 is connected to the indicator 3 and the second output of the resistor 5, and the other dinen with the body of segment 1 of the waveguide.

Устройство работает следующим образом.The device operates as follows.

При прохождении по отрезку 1 волновода СВЧ мощности РС8Ч = Р4 , находящийся в отрезке 1 волновода полупроводниковый брусок 2 поглощает часть СВЧ мощности, которая превращается в тепло. Зависимость температуры Т полупроводникового бруска 2 от подводимой мощности р СВц приведена на фиг. 2а.When passing through segment 1 of the microwave power waveguide P C8CH = P4, the semiconductor bar 2 located in the waveguide segment 1 absorbs part of the microwave power, which is converted into heat. The temperature T of the semiconductor bar 2 as a function of the input power p SV c is shown in FIG. 2a.

Часть тепловой энергии через теплопроводящий переходник 7 передается термочувствительному переключающему элементу 6 и нагревает его до температуры ^.Зависимость порогового напряжения переключения U от температуры Тпер термочувствительного переключающего элемента 6 приведена на фиг. 26, а вольтамперная характерно- тика S-типа - на фиг. 2в.A part of the thermal energy is transferred through the heat-conducting adapter 7 to the heat-sensitive switching element 6 and heats it to a temperature ^. The dependence of the switching switching voltage U on the temperature Tper of the heat-sensitive switching element 6 is shown in FIG. 26, and the S-type current-voltage characteristic is shown in FIG. 2c.

ГГри измерении мощности Р^ напряжение, приложенное к термочувствительному переключающему элементу 6, плавно повышается и при определенном значении V, соответствующем напряжению переключения при температуре Т . и мощности СВЧ Ри , термочувствительный переключающий, элемент 6 из высокоомного состояния (точка М на фиг. 2в) ' скачкообразно переходит в низкоомное состояние (точка Н). Напряжение источника 4 в этот момент соответствует мощности Р и служит ее мерой . - 1 .When measuring the power P ^, the voltage applied to the thermosensitive switching element 6 gradually increases at a certain value of V corresponding to the switching voltage at a temperature T. and microwave power R and the thermosensitive switching element 6 from the high-resistance state (point M in Fig. 2B) 'jumps into the low-resistance state (point H). The voltage of the source 4 at this moment corresponds to the power P and serves as its measure. - 1 .

Термочувствительный переключающий элемент 6 и резистор 5 образуют делитель напряжения, подключенный к источнику 4 напряжения с малым внутренним сопротивлением. При скачкообразном изменении электропроводности термочувствительного переключающего элемента 6 приложенное к делителю напряжение перераспределяется и на резисторе 5 формируется скачок напряжения - дискретный сигнал.The thermosensitive switching element 6 and resistor 5 form a voltage divider connected to a voltage source 4 with low internal resistance. When an abrupt change in the electrical conductivity of the thermosensitive switching element 6, the voltage applied to the divider is redistributed and a voltage jump is formed on the resistor 5 - a discrete signal.

Если происходит повышение уровня СВЧ мощности в отрезке 1 волновода от заданного значения Р^ которому соответствует напряжение на термочувствительном переключающем элементе 6, то это приводит к переходу термочувствительного элемента '6 из высокоомного состояния в низкоомное и напряжение на нем уменьшается до U2 При этом скочкообразно возрастает ток через резистор 5 и на нем образуется скачок напряжения - дискретный сигнал, несущий информацию о том, что мощность превышает заданный уровень Р , а напряжение источника 4 питания остается неизменным. При уменьшении СВЧ мощности до значения Р^ термочувствительный переключающий элемент 6 возвращается в исходное высокоомное состояние и напряжение на нем возрастает от U2 до Ud fa на резисторе 5 образуется противоположный скачок напряжения.If there is an increase in the microwave power level in segment 1 of the waveguide from a given value P ^ which corresponds to the voltage on the thermosensitive switching element 6, then this leads to the transition of the thermosensitive element '6 from the high-resistance state to the low-resistance state and the voltage on it decreases to U 2. the current through the resistor 5 and a voltage surge is formed on it - a discrete signal that carries information that the power exceeds a predetermined level P, and the voltage of the power supply 4 remains unchanged constant. When the microwave power decreases to a value of P ^, the thermosensitive switching element 6 returns to its original high-resistance state and the voltage on it increases from U 2 to U df a and an opposite voltage surge forms on resistor 5.

Предлагаемое устройство fto сравне-. нию с известным обеспечивает более высокую чувствительность и точность.The proposed fto device is comparable. The use of the known provides higher sensitivity and accuracy.

Claims (1)

Изобретение относитс  к технике измерений на сверхвысоких частотах. Известно устройство дл  контрол  мощности микроволн, содержащее отрезок волновода с расположенным внутри него полупроводниковым бруском, индикатор и источник напр жени  с последовательно соединенным резистором I Однако данное устройство имеет низ кие чувствительность и точность. Цежь изобретени  - повьлшение чувствительности и точности. Указанна  цель достигаетс  тем, что в устройство дл  контрол  мощное ти микроволн, содержащее отрезок вол новода с расположенным внутри него полупроводниковым бруском, индикатор и источник напр жени  с последователь но соединенным резистором, введен тер мочувствитрльный переключающий элемент , соединенный с полупроводниковым бруском через введенный теплопровод щий переходник, установленный в отверстии, которое выполнено в стен ке отрезка волновода, при этом один электрод термочувствительного переключающего элементу соединен с индика тором и вторым выводом резистора, а другой - с корпусом отрезка волновода . На фиг. 1 приведена конструкци  предлагаемого устройства, на фиг. 2 диаграмкы , по сн ющие его работу. Устройство дл  контрол  мощности микроволн содержит отрезок 1 волновода с расположенным внутри него полупроводниковым бруском 2, индикатор 3, источник 4 напр жени  с последовательно соединенным резистором 5 и термочувствительный переключающий элемент 6, соединенный с полупроводниковым бруском 2 через тёплопровод щий переходник 7, установленный в отверстии, которое выполнено в стенке отрезка 1 волновода, при этом один электрод термочувствительного перекпючаклцего элемента 6 соединен с индикатором 3 и вторым выводом резистора 5, а другой соединен с корпусом отрезка 1 волновода. Устройство работает следующим образом . При прохождении по отрезку 1 волновода СВЧ мощности Pcg4 EI , наход щийс  в отрезке 1 волновода полупроводниковый брусок 2 поглощает часть СВЧ мощности, котора  превращаетс  в тепло. Зависимость температуры Т полупроводникового бруска 2 от подводимой мощности Р,,,,тт приведена на фиг. 2а. Часть тепловой энергии через теплопровод щий переходник 7 передаетс  термочувствительному переключающему элементу 6 и нагревает его до температуры Т.Зависимость порогового напр жени  переключени  U от температу термочувствительного переключающего элемента 6 приведена на фиг. 26, а Больтамперна  характерисЗ тика S-типа - на фиг, 2в. При измерении мощности Р напр жение , приложенное к термочувствительному переключающему элементу 6, плавно повышаетс  и при определенном значении Uj, соответствующем напр жению переключени  при температуре т и мощности СВЧ Р , термочувствительный переключающий, элемент 6 из высокоомного состо ни  (точка М на фиг. 2 скачкообразно переходит в низкоомное состо ние (точка Н). Напр жение источника 4 в этот момент соответствует мощности Р и служит ее мерой . Термочувствительный переключающий элемент 6 и резистор 5 образуют дел тель напр жени , подключенный к источнику 4 напр жени  с мешым внутрен ним сопротивлением. При скачкообразном изменении электропроводности тер мочувствительного переключающего элемента б приложенное к делителю на пр жение перераспредел етс  и на резисторе 5 формируетс  скачок напр же ни  - дискретный сигнал. Если происходит повышение уровн  СВЧ мощности в отрезке 1 волновода от заданного значени  Р которому со ответствует напр жение Ц на термо увствительном переключающем элементе б, то это приводит к переходу термочувствительного элемента 6 из высокосмного состо ни  в низкоомное и напр жение на нем уменьшаетс  до U При этом скочкообраэно возрастает ток через резистор 5 и на нем образуетс  скачок напр жени  - дискретный сигнал , несущий информацию о том, что мощность превышает заданный уровень Р , а напр жение источника 4 питани  остаетс  неизменным. При уменьшении СВЧ мощности до значени  Р термочувствительный переключающий элемент б возвращаетс  в исходное высокоомное состо ние и напр жение на нем возрастает от 0. до-и а на резисторе 5 образуетс  противоположный скачок напр жени . Предлагаемое устройство Ло сравне-. нию с известным обеспечивает более высокую чувствительность и точность. Формула изобретени  Устройство дл  контрол  мощности микроволн, содержащее отрезок волновода с расположенным внутри него полупроводниковым бруском, индикатор и источник напр жени  с последовательно соединенным резистором, отличающеес  тем, что, с целью повышени  чувствительности и точности , в него введен термочувствительный переключающий элемент, соединенный с полупроводниковым бруском через введенный теплопровод щий переходник, Установленный в отверствии, которое выполнено в стенке отрезка волновода , при этом один электрод термочувствительного переключающего элемента соединен с индикатором и вторым выводом резистора, а другой - с корпусом отрезка волновода. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР 141521, кл. G 01 R 21/00, 19-60.The invention relates to a technique for measuring at ultrahigh frequencies. A device for controlling the power of microwaves, containing a waveguide section with a semiconductor bar located inside it, an indicator and a voltage source with a series-connected resistor I, is known. However, this device has low sensitivity and accuracy. The invention is an increase in sensitivity and accuracy. This goal is achieved in that the device for controlling the power of these microwaves, containing a segment of a waveguide with a semiconductor bar located inside it, an indicator and a voltage source with a series-connected resistor, is inserted into a transceiver switching element connected to the semiconductor bar through an inserted heat-conducting an adapter installed in a hole, which is made in the wall of the waveguide segment, with one electrode of the thermosensitive switching element connected to it ika torus and the second terminal of the resistor, and the other - to the body of the waveguide section. FIG. 1 shows the structure of the device according to the invention; FIG. 2 diagrams for his work. A device for controlling the power of microwaves contains a waveguide section 1 with a semiconductor bar 2 located inside it, an indicator 3, a voltage source 4 with a series-connected resistor 5 and a temperature-sensitive switching element 6 connected to the semiconductor bar 2 through a heat-conducting adapter 7 installed in the hole, which is made in the wall of the segment 1 of the waveguide, while one electrode of the thermosensitive switching element 6 is connected to the indicator 3 and the second output of the resistor 5, and the other connected to the body of the segment 1 waveguide. The device works as follows. When the microwave power Pcg4 EI passes through the waveguide section 1, the semiconductor bar 2, which is located in the waveguide section 1, absorbs a part of the microwave power that is converted into heat. The dependence of the temperature T of the semiconductor bar 2 on the input power P ,,,, tt is shown in FIG. 2a A portion of the thermal energy through the heat-conducting adapter 7 is transferred to the thermo-sensitive switching element 6 and heats it to the temperature T. The dependence of the switching threshold voltage U on the temperature of the thermo-sensitive switching element 6 is shown in FIG. 26, and the Boltamperna characteristics of the S-type tick are shown in FIG. 2c. When measuring the power P, the voltage applied to the thermosensitive switching element 6 smoothly rises at a certain value of Uj corresponding to the switching voltage at temperature t and microwave power P, the thermosensitive switching element 6 from a high-resistance state (point M in Fig. 2 it jumps to the low-impedance state (point H). The voltage of source 4 at this moment corresponds to the power P and serves as its measure. The thermosensitive switching element 6 and the resistor 5 form a voltage divider, connected to a voltage source 4 with a mesh internal resistance. When the conductivity of the sensitive switching element b changes, the voltage applied to the divider is redistributed and a voltage jump is generated on the resistor 5. If the level of microwave power increases in the segment 1 of the waveguide from the given value P, which corresponds to the voltage C on the thermo sensing switching element b, this leads to the transition of the temperature-sensitive element 6 from in the low-impedance state and the voltage across it decreases to U. At the same time, the current through the resistor 5 increases and a voltage jump is generated on it - a discrete signal that carries information that the power exceeds a predetermined level P and the supply voltage 4 remains unchanged. When the microwave power decreases to the value of P, the thermosensitive switching element b returns to its original high-resistance state and the voltage across it increases from 0. to-and on the resistor 5 an opposite voltage jump is formed. The proposed device Lo compared-. provides better sensitivity and accuracy against the known. Apparatus of the Invention A device for monitoring the power of microwaves, comprising a waveguide section with a semiconductor bar located inside it, an indicator and a voltage source with a series-connected resistor, characterized in that, in order to increase sensitivity and accuracy, a temperature-sensitive switching element connected to the semiconductor is introduced into it through the inserted heat-conducting adapter, installed in the hole, which is made in the wall of the waveguide section, with one electrode mochuvstvitelnogo switching element is connected with the indicator and the second terminal of the resistor, and the other - to the body of the waveguide section. Sources of information taken into account in the examination 1. USSR author's certificate 141521, cl. G 01 R 21/00, 19-60.
SU782638727A 1978-07-07 1978-07-07 Device for monitoring microwave power SU808950A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU782638727A SU808950A1 (en) 1978-07-07 1978-07-07 Device for monitoring microwave power

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU782638727A SU808950A1 (en) 1978-07-07 1978-07-07 Device for monitoring microwave power

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU808950A1 true SU808950A1 (en) 1981-02-28

Family

ID=20774457

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU782638727A SU808950A1 (en) 1978-07-07 1978-07-07 Device for monitoring microwave power

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU808950A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5302024A (en) * 1990-10-09 1994-04-12 Lockheed Sanders, Inc. Monolithic microwave power sensor using a heat sensing diode junction

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5302024A (en) * 1990-10-09 1994-04-12 Lockheed Sanders, Inc. Monolithic microwave power sensor using a heat sensing diode junction

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11029338B2 (en) Current sensor
US4373392A (en) Sensor control circuit
CA1317655C (en) Temperature sensing circuit
US3832902A (en) Temperature measuring method and device
US5066140A (en) Temperature measurement
GB2046919A (en) Detecting the presence of a substance on a liquid surface
US2967924A (en) Stable temperature reference for instrument use
US5161892A (en) Temperature measurement in R.F. locations
SU808950A1 (en) Device for monitoring microwave power
US3142170A (en) Control apparatus
US3488573A (en) Overload protection for thermally sensitive load device
US3434349A (en) Electronic clinical thermometer
US3187576A (en) Electronic thermometer
US4800292A (en) Temperature sensing circuit
SU785779A1 (en) Ac-to-dc voltage converter
US3100996A (en) Temperature measuring instrument
RU2000556C1 (en) Temperature-sensitive element
SU414813A3 (en)
SU1137334A1 (en) Device for measuring temperature
RU2752132C1 (en) Temperature measurement method
RU2677262C1 (en) Digital temperature meter
SU754336A1 (en) Method of determining pulse thermal resistances of bipolar microwave transistors
SU1317292A2 (en) Device for measuring junction temperature of transistor
SU406131A1 (en) DEVICE FOR MEASURING TEMPERATURE
SU987411A1 (en) Device for measuring temperature