SU808950A1 - Device for monitoring microwave power - Google Patents
Device for monitoring microwave power Download PDFInfo
- Publication number
- SU808950A1 SU808950A1 SU782638727A SU2638727A SU808950A1 SU 808950 A1 SU808950 A1 SU 808950A1 SU 782638727 A SU782638727 A SU 782638727A SU 2638727 A SU2638727 A SU 2638727A SU 808950 A1 SU808950 A1 SU 808950A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- voltage
- switching element
- resistor
- power
- waveguide
- Prior art date
Links
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
Изобретение относится к технике измерений на сверхвысоких частотах.The invention relates to techniques for measurements at microwave frequencies.
Известно устройство для контроля мощности микроволн, содержащее отре- _ зок волновода с расположенным внутри 3 него полупроводниковым бруском, индикатор и источник напряжения с последовательно соединенным резистором |1].A device for controlling the power of microwaves is known, which contains a section of a waveguide with a semiconductor bar located inside it 3 , an indicator and a voltage source with a resistor | 1] connected in series.
Однако данное устройство имеет низкие чувствительность и точность.However, this device has low sensitivity and accuracy.
Цель изобретения - повышение чувствительности и точности.The purpose of the invention is to increase sensitivity and accuracy.
Указанная цель достигается тем, что в устройство для контроля мощности микроволн, содержащее отрезок вол-15 новода с расположенным внутри него полупроводниковым бруском, индикатор и источник напряжения с последовательно соединенным резистором, введен термочувствительный переключающий эле- 20 мент, соединенный с полупроводниковым бруском через введенный теплопроводящий переходник, установленный в отверстии, которое выполнено в стенке отрезка волновода, при этом один 25 электрод термочувствительного переключающего элемента соединен с индикатором и вторым выводом резистора, а другой - с корпусом отрезка волновода. 30This goal is achieved by the fact that in the device for controlling the power of microwaves, containing a segment of vol-15 novoda with a semiconductor bar located inside it, an indicator and a voltage source with a resistor connected in series, a thermosensitive switching element 20 is connected to the semiconductor bar through the introduced heat-conducting an adapter installed in the hole, which is made in the wall of the segment of the waveguide, while one 25 electrode of a thermosensitive switching element is connected to and indicator and the second output of the resistor, and the other with the body of the waveguide segment. thirty
На фиг. 1 приведена конструкция предлагаемого устройства, на фиг. 2 диаграммы, поясняющие его работу.In FIG. 1 shows the design of the proposed device, FIG. 2 diagrams explaining his work.
Устройство для контроля мощности микроволн содержит отрезок 1 волновода с расположенным внутри него полупроводниковым бруском 2, индикатор 3, источник 4 напряжения с последовательно соединенным резистором 5 и термочувствительный переключающий элемент 6, соединенный с полупроводниковым бруском 2 через теплопроводящий переходник 7, установленный в отверстии, которое выполнено в стенке отрезка 1 волновода, при этом один электрод термочувствительного переключающего элемента 6 соединен с индикатором 3 и вторым выводом резистора 5, а другой соединен с корпусом отрезка 1 волновода.A device for controlling the power of microwaves contains a segment 1 of a waveguide with a semiconductor bar 2 located inside it, an indicator 3, a voltage source 4 with a resistor 5 connected in series and a heat-sensitive switching element 6 connected to a semiconductor bar 2 through a heat-conducting adapter 7 installed in the hole, which is made in the wall of the segment 1 of the waveguide, while one electrode of the heat-sensitive switching element 6 is connected to the indicator 3 and the second output of the resistor 5, and the other dinen with the body of segment 1 of the waveguide.
Устройство работает следующим образом.The device operates as follows.
При прохождении по отрезку 1 волновода СВЧ мощности РС8Ч = Р4 , находящийся в отрезке 1 волновода полупроводниковый брусок 2 поглощает часть СВЧ мощности, которая превращается в тепло. Зависимость температуры Т полупроводникового бруска 2 от подводимой мощности р СВц приведена на фиг. 2а.When passing through segment 1 of the microwave power waveguide P C8CH = P4, the semiconductor bar 2 located in the waveguide segment 1 absorbs part of the microwave power, which is converted into heat. The temperature T of the semiconductor bar 2 as a function of the input power p SV c is shown in FIG. 2a.
Часть тепловой энергии через теплопроводящий переходник 7 передается термочувствительному переключающему элементу 6 и нагревает его до температуры ^.Зависимость порогового напряжения переключения U от температуры Тпер термочувствительного переключающего элемента 6 приведена на фиг. 26, а вольтамперная характерно- тика S-типа - на фиг. 2в.A part of the thermal energy is transferred through the heat-conducting adapter 7 to the heat-sensitive switching element 6 and heats it to a temperature ^. The dependence of the switching switching voltage U on the temperature Tper of the heat-sensitive switching element 6 is shown in FIG. 26, and the S-type current-voltage characteristic is shown in FIG. 2c.
ГГри измерении мощности Р^ напряжение, приложенное к термочувствительному переключающему элементу 6, плавно повышается и при определенном значении V, соответствующем напряжению переключения при температуре Т . и мощности СВЧ Ри , термочувствительный переключающий, элемент 6 из высокоомного состояния (точка М на фиг. 2в) ' скачкообразно переходит в низкоомное состояние (точка Н). Напряжение источника 4 в этот момент соответствует мощности Р и служит ее мерой . - 1 .When measuring the power P ^, the voltage applied to the thermosensitive switching element 6 gradually increases at a certain value of V corresponding to the switching voltage at a temperature T. and microwave power R and the thermosensitive switching element 6 from the high-resistance state (point M in Fig. 2B) 'jumps into the low-resistance state (point H). The voltage of the source 4 at this moment corresponds to the power P and serves as its measure. - 1 .
Термочувствительный переключающий элемент 6 и резистор 5 образуют делитель напряжения, подключенный к источнику 4 напряжения с малым внутренним сопротивлением. При скачкообразном изменении электропроводности термочувствительного переключающего элемента 6 приложенное к делителю напряжение перераспределяется и на резисторе 5 формируется скачок напряжения - дискретный сигнал.The thermosensitive switching element 6 and resistor 5 form a voltage divider connected to a voltage source 4 with low internal resistance. When an abrupt change in the electrical conductivity of the thermosensitive switching element 6, the voltage applied to the divider is redistributed and a voltage jump is formed on the resistor 5 - a discrete signal.
Если происходит повышение уровня СВЧ мощности в отрезке 1 волновода от заданного значения Р^ которому соответствует напряжение на термочувствительном переключающем элементе 6, то это приводит к переходу термочувствительного элемента '6 из высокоомного состояния в низкоомное и напряжение на нем уменьшается до U2 При этом скочкообразно возрастает ток через резистор 5 и на нем образуется скачок напряжения - дискретный сигнал, несущий информацию о том, что мощность превышает заданный уровень Р , а напряжение источника 4 питания остается неизменным. При уменьшении СВЧ мощности до значения Р^ термочувствительный переключающий элемент 6 возвращается в исходное высокоомное состояние и напряжение на нем возрастает от U2 до Ud fa на резисторе 5 образуется противоположный скачок напряжения.If there is an increase in the microwave power level in segment 1 of the waveguide from a given value P ^ which corresponds to the voltage on the thermosensitive switching element 6, then this leads to the transition of the thermosensitive element '6 from the high-resistance state to the low-resistance state and the voltage on it decreases to U 2. the current through the resistor 5 and a voltage surge is formed on it - a discrete signal that carries information that the power exceeds a predetermined level P, and the voltage of the power supply 4 remains unchanged constant. When the microwave power decreases to a value of P ^, the thermosensitive switching element 6 returns to its original high-resistance state and the voltage on it increases from U 2 to U df a and an opposite voltage surge forms on resistor 5.
Предлагаемое устройство fto сравне-. нию с известным обеспечивает более высокую чувствительность и точность.The proposed fto device is comparable. The use of the known provides higher sensitivity and accuracy.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU782638727A SU808950A1 (en) | 1978-07-07 | 1978-07-07 | Device for monitoring microwave power |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU782638727A SU808950A1 (en) | 1978-07-07 | 1978-07-07 | Device for monitoring microwave power |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU808950A1 true SU808950A1 (en) | 1981-02-28 |
Family
ID=20774457
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU782638727A SU808950A1 (en) | 1978-07-07 | 1978-07-07 | Device for monitoring microwave power |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU808950A1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5302024A (en) * | 1990-10-09 | 1994-04-12 | Lockheed Sanders, Inc. | Monolithic microwave power sensor using a heat sensing diode junction |
-
1978
- 1978-07-07 SU SU782638727A patent/SU808950A1/en active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5302024A (en) * | 1990-10-09 | 1994-04-12 | Lockheed Sanders, Inc. | Monolithic microwave power sensor using a heat sensing diode junction |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11029338B2 (en) | Current sensor | |
US4373392A (en) | Sensor control circuit | |
CA1317655C (en) | Temperature sensing circuit | |
US3832902A (en) | Temperature measuring method and device | |
US5066140A (en) | Temperature measurement | |
GB2046919A (en) | Detecting the presence of a substance on a liquid surface | |
US2967924A (en) | Stable temperature reference for instrument use | |
US5161892A (en) | Temperature measurement in R.F. locations | |
SU808950A1 (en) | Device for monitoring microwave power | |
US3142170A (en) | Control apparatus | |
US3488573A (en) | Overload protection for thermally sensitive load device | |
US3434349A (en) | Electronic clinical thermometer | |
US3187576A (en) | Electronic thermometer | |
US4800292A (en) | Temperature sensing circuit | |
SU785779A1 (en) | Ac-to-dc voltage converter | |
US3100996A (en) | Temperature measuring instrument | |
RU2000556C1 (en) | Temperature-sensitive element | |
SU414813A3 (en) | ||
SU1137334A1 (en) | Device for measuring temperature | |
RU2752132C1 (en) | Temperature measurement method | |
RU2677262C1 (en) | Digital temperature meter | |
SU754336A1 (en) | Method of determining pulse thermal resistances of bipolar microwave transistors | |
SU1317292A2 (en) | Device for measuring junction temperature of transistor | |
SU406131A1 (en) | DEVICE FOR MEASURING TEMPERATURE | |
SU987411A1 (en) | Device for measuring temperature |