t Изобретение относитс к области автоматики и вычислительной техники и может быть использорано в приборах и устройствах, предназначенных дл регистрации и хра:нени электрических и оптических сигналов. Известен элемент пам ти, состо щий из МДП-транзисторов, которых информаци хранитс в виде подвижного зар да в МОП-емкости или в р -ппереходе . Недостатком таких элементов пам ти вл етс малое врем хра нени информации и высокие требовани к подзатворному диэлектрику и качеству границы раздела полупровод нил - диэлектрик. . Известен оптоэлёктронный элемент пам ти, который состоит из полупрОводниковой подложки с област ми ист ка и стока среды запоминани в виде подзатворного диэлё1стрика и управл ющего затвора. Этот элемент пам ти выбран в качестве прототипа и работает следующим образом. Измен етс порог соответствующей ЩП-структуры за счет захвата и уде жани носителей зар да (управл ющег зар да) на ловушках в слое диэлектр ка или на границе раздела двух диэлектриков (т.н. МНрП или МАОП-стру туры). Дл регистрации сигналов с помощью этого элемента пам ти характерн высокие (предпробивные) напр жени записи, нестабильный характер записи и растекани зар да, сложна технологи с высокими требовани ми к качеству электрических слоев, что преп тствует использованию других, кроме кремни , полупроводников. Все эти недостатки вл ютс следствием того обсто тельства, что зар д подвижньпс носителей должен быть заброшеи через энергетический барьер в диэлектрик и там закреплен. Целью изобретени вл етс повышение надежности элемента пам ти за счет упрощени конструкции, снижени напр жени записи, управлени временем запоминани . Цель достигаетс тем, что в оптоэлектронном элементе пам ти, содержащем полупроводниковую подложку р-типа проводимости и размещенный на подложке слой полупроводника п .типа проводимости, в котором размещена запоминающа среда с расположенными в ней 1 -област ми стока и 6 истока, запоминающа среда выпол1 ена в виде области полупроводника с введенной в него многозар дной при- мёсью, компенсирующей основную легирующую примесь. В оптоэлектронном элементе пам ти управл емьй зар д закрепл етс не в диэлектрике, как в элементе прототипе , а в объеме полупроводника при помощи специально введенной многозар дной примеси в счет эффекта захвата (прилипани ) подвижных носителей и соответствующего знака. Многозар дна примесь, например, цинка,вводитс в приповерхностный слой полупроводника, например кремний , п -типа проводимости в концент-. рации, равной половине концентрации основной легирующей примеси с тем, чтобы равновесные носители зар да полиостью заполнили верхний уровень двухзар дного центра. Проводимость промежутка между об- . ласт ми истока и стока, образующих И-i-переходы с приповерхностным слоем полупроводника, будет в обычном состо нИи мала. Освещение структуры импульсом импульса между истоком-стоком и общим электродом на противоположной стороне подложки р-типа проводимости привод т к по влению неравновесных электрон-дырочных пар на рассто нии пор дка диффузионной длины от инжектирующих р-П-переходов. Наличие двухзар дных атомов примеси, например цинка, в этой области приведет к захвату (прилипанию) носителей зар да одного из типов (дырок) на второй уровень центра. При этом носители зар да другого типа останутс в области промежутка между п-i-переходами, образу провод щий канал между ними. Это состо ние высокой проводимости канала будет сохран тьс длительное врем , соответствующее времени жизни захваченных носителей зар да иа уровень захвата (прилипани ), постепенно уменьша сь за счет теплового выброса захваченных носителей зар да и последукндей их рекомбинации со свободными носител ми зар да другого типа. Очевидно, что длительность состо ни открытого канала (состо ни запоминани ) будет больше,чем боль--. шё ширина энергетической щели в полуt The invention relates to the field of automation and computer technology and can be used in devices and devices intended for recording and storing electrical and optical signals. A memory element is known, consisting of MOSFETs, whose information is stored as a mobile charge in a MOS capacitance or in a p junction. The disadvantage of such memory elements is the short information storage time and high requirements for the gate dielectric and the quality of the semiconductor – dielectric interface. . An optoelectronic memory element is known, which consists of a semiconductor substrate with the source and drain areas of the storage medium in the form of a gate valve and a control gate. This memory element is selected as a prototype and works as follows. The threshold of the corresponding AHP structure changes due to the capture and storage of charge carriers (control charge) on traps in the dielectric layer or at the interface between two dielectrics (the so-called MNRP or MORP structure). For recording signals using this memory element, high (pre-breakdown) recording voltage, an unstable character of recording and charge spreading are characteristic, technology is complicated with high demands on the quality of electrical layers, which prevents the use of semiconductors other than silicon. All these shortcomings are a consequence of the fact that the charge of mobile carriers must be driven back through the energy barrier into the dielectric and is fixed there. The aim of the invention is to increase the reliability of the memory element by simplifying the design, reducing the recording voltage, and managing the storage time. The goal is achieved by the fact that in an optoelectronic memory element containing a p-type semiconductor substrate and a semiconductor layer of a p-type conductivity placed on a substrate, in which a storage medium with 1 drain regions and 6 source located in it is stored memory ena in the form of a semiconductor region with a multi-charge impurity introduced into it, which compensates for the main dopant impurity. In an optoelectronic memory element, the control charge is not fixed in a dielectric, as in the prototype element, but in the volume of a semiconductor using a specially introduced multi-charge impurity due to the effect of capture (sticking) of mobile carriers and the corresponding sign. A polyzar impurity, such as zinc, is introduced into the surface layer of a semiconductor, such as silicon, of n-type conductivity. radios equal to half the concentration of the main dopant, so that the equilibrium charge carriers completely fill the upper level of the two-charge center. The conductivity of the gap between The source and drain areas forming the II transitions with the near-surface semiconductor layer will be small in the usual state. Illumination of the structure by a pulse of a pulse between the source-drain and a common electrode on the opposite side of the p-type substrate leads to the appearance of non-equilibrium electron-hole pairs at a distance of the order of diffusion length from injecting pn-junctions. The presence of two-charge impurity atoms, such as zinc, in this region will lead to the capture (sticking) of charge carriers of one of the types (holes) to the second level of the center. In this case, carriers of a different type of charge will remain in the region of the gap between the n – i transitions, forming a conducting channel between them. This state of high channel conductivity will be maintained for a long time, corresponding to the lifetime of the captured charge carriers and the capture level (sticking), gradually decreasing due to the thermal emission of the captured charge carriers and their recombination with another type of free charge carriers. Obviously, the duration of the open channel state (memorization state) will be longer than the pain. the width of the energy gap in the floor