SU794542A1

SU794542A1 - Acceleration meter

Info

Publication number: SU794542A1
Application number: SU782605613A
Authority: SU
Inventors: Ирина Юрьевна Петрова; Василий Петрович Ястребцев; Александр Николаевич Щеглов; Равиль Раисович Сакаев
Original assignee: Уфимский Авиационный Институтим.C.Орджоникидзе; Башкирский Филиал Ah Cccp
Priority date: 1978-04-19
Filing date: 1978-04-19
Publication date: 1981-01-07

Description

1one

Изобретение относитс к автоматике и измерительной технике и может быть использовано дл измерени ускорени объектов .The invention relates to automation and measurement technology and can be used to measure the acceleration of objects.

Известно устройство сейсмического типа, содержащее корпус, заполненный демпфирующей жидкостью, катушки индуктивности на кольцевых магнитоупругих сердечниках , между которыми расположена инерционна масса, закрепленна с помощью мембраны, предназначенной дл снижени вли ни боковых перегрузок, к корпусуA seismic-type device is known, comprising a case filled with a damping fluid, inductors on annular magnetoelastic cores, between which an inertia mass is located, fixed by means of a membrane designed to reduce the effects of lateral overloads to the case

..

Недостатком данного устройства вл ютс большие габариты.The disadvantage of this device is its large size.

Наиболее близким к изобретению техническим ращением вл етс полупроводниковый преобразователь давлени , содержащий две полупроводниковые пластины разных типов п,ровод имости, имеющие по две диффузионные зоны, тип проводимости которых противоположен типу проводимости пластин, затвор, расположенный над пластинами , два источника напр жени , регистрирующее устройство и три резистора.The closest to the invention technical development is a semiconductor pressure transducer containing two semiconductor plates of different types of n, a wire having two diffusion zones, the type of conductivity which is opposite to the type of plate conductivity, a gate located above the plates, two voltage sources, a recording device and three resistors.

Недостатками известного измерител вл ютс сложность конструкции вследствие применени полупроводниковых типов проводимости и мала точность при регистрации ускорений.The disadvantages of the known meter are the complexity of the design due to the use of semiconductor types of conductivity and low accuracy when registering accelerations.

Цель изобретени - повыщение точности измерител .The purpose of the invention is to increase the accuracy of the meter.

Это достигаетс тем, что в полупроводниковом преобразователе, содержащем две полупроводниковые пластины, имеющие по две диффузионные зоны, затвор, два источника напр жени , регистрирующее устройство и три резистора, образующие измерительный мост, полупроводниковые пластины имеют один тип проводимости и расположены на одинаковом рассто нии от противоположных сторон затвора, установленного в упругом подвесе. На чертеже схематически изображеноThis is achieved by the fact that in a semiconductor converter containing two semiconductor plates each having two diffusion zones, a gate, two voltage sources, a recording device and three resistors forming the measuring bridge, the semiconductor plates have the same type of conductivity and are located at the same distance from opposite sides of the bolt installed in the elastic suspension. The drawing schematically shows

предложенное устройство.proposed device.

Устройство содержит корпус 1, заполненный демпфирующей жидкостью 2, в котором неподвижно закреплены две полупроводниковые пластины 3 одного типа проводимости , например п, в которых сформированы по две диффузионные зоны 4, 5 и 6,7. Между полупроводниковыми пластинами на одинаковом от них рассто ни находитс затвор (инерционна масса) 8, закрепленный с помощью мембраны 9, предназначенной дл снижени вли ни боковых перегрузок, к корпусу устройства. Диффузионные зоны 4 и 6 соединены через резистор 10 с плюсовой клеммой первого источника напр жени 11, а диффузионные зоныThe device comprises a housing 1 filled with a damping fluid 2, in which two semiconductor plates 3 of the same conductivity type are fixed, for example, n, in which two diffusion zones 4, 5 and 6.7 are formed. Between semiconductor plates at the same distance from them there is a shutter (inertial mass) 8 fixed with the help of a membrane 9 designed to reduce the influence of lateral overloads on the device body. The diffusion zones 4 and 6 are connected through a resistor 10 to the positive terminal of the first voltage source 11, and the diffusion zones

Claims

Claim

An acceleration meter containing two semiconductor wafers, each having ⁵ two diffusion zones, a gate, three resistors, two voltage sources and a registrar, which together form a bridge circuit, characterized in that, in order to increase the measurement accuracy, the gate ^{0 is} installed in an elastic suspension, and semiconductor wafers are made of the same type of conductivity and are located at the same distance from opposite sides of the gate.

¹⁵ Sources of information taken into account in the examination

1. USSR copyright certificate No. 454482, cl. G 01 P 15/08, 1973.

2. Copyright certificate of the USSR ²⁰ No. 479015, cl. G OIL 11/00, 1974 (prototype).