Изобретение относитс к измерительно технике, к ра,депу магнитных измерений и может быть использовано при измерении нап :1Яженности магнитных попей в различных устройствах. Известен зонд дл измерени напр жен ности магнитного пол , содержащий полупроводниковый магниточувсгоительный элемент, диэлектрический держатель и токопроводники, подключенные к магниточувствительному элементу l} Недостатком зонда с полупроводниковыми магниточувствительными эле ентами дл измерени напр женности магнитного пол вл етс отсутствие возможнос ти непосредственной установки и регулировани величины паразитного сигнала нул , что сужает область из применени и ограничивает точность измерени . Известны зонды дл измерени напр женности магнитного пол , состо щие из плоскопараллельного полупрсжодникового чувствительного элемента, диэлектричес ,кой подкладки - держател , внешнего металлического немагнитного экрана н токовых электродов, соединенных с плоско .параллельным чувствительным элементом 2. В этом зонде отсутствует возможность непосредственной регулировки уровн паразитного сигнала нул , что вл етс причиной отсутстви оптимального рабочего режима и малой точности изменений. Цель изобретени - повышение точнооти измерени напр женности магнитного пол . Поставленна цель достигаетс тем, что в зонд дл измерени напр женности магиитрого пол , содержащий nonynpceozjниксеый плоскопараллельный магниточувствительный элемент с токсжыкл электродами , диэлектрический держатель и металлический немагнитный экран, в него введены управл ющие электроды, выполненные в виде замкнутых эластичных диэлектрических капилл ров с металлизированной внутренней поверхностью и заполненных жидким диэлектриком, при этом каждый 378 управл ющий электрод соединен с противоположной боковой гранью магниточувствительного элемента. На чертеже представлена конструкци зонда дл измерени напр женности маг нитного пол . Зонд состоит из металлического немагнитного экрана 1, который вл етс несущим корпусом зонда, диэлектрического дер жател 2, на котором расположен плоскопараллельный магниточувствитепьный элемент 3, выполненный из полупроводника собственной проводимости. К торцам магниточувствительного элемента 3 подключены токсюые электроды 4 и 5 один из которых подключен к металлическому немагнитному экрану 1, представл ющему общую шину б зонда, К боковым гран м магниточувствитепьного элемента 3, на которых обеспечены зависима от величи-i ны поверхностного электростатического потенциала (управл ема ) ветшчина скорости псжерхностной рекомбинации, приложены управл ющие электроды 7 и 8. Они выполнены в виде замкнутых эластичных капилл ров из диэлектрика (например полиэтилентерефталат ) с металлизированной внутренней поверхностью (например посеребренной ) Капилл ры заполнены диэлектрической жидкостью (например глицерин). Внутренние металлизирсжанные псжерхности имеют электрические выходные контакты 9 и 10, которые выведены наружу. В металлический немагнитный экран 1 встроен прижимной механизм, состо щий из регулирующих винтов 11 и 12 диэлект рических прокладок 13 и 14. Зонд дл измерени напр женности ма нитного поп работает следующим образом При подаче посто нного тока на токовые электроды 4 и 5 магниточувствитепьного элемента 3 и воздействии измер емого магнитного пол , силсжые линии кото рого параллельны поверхност м с управл емой величиной скорости поверхностной рекомбинации, величина падени напр жени на магниточувствптельном элементе 3 определ етс из выражени : U HVK R4BMv,(M:M siiVL rju KtStPWM SfWVl l где и„.,. (t) временна зависимость выходного напр жени на магниточувствительном элементе 3; К - коэ(})фициент, завис щий от параметров объема попупро подника и геометрии элемента В/Т, . - омическое сопротивление магниточувствитепьного элемента 3 Эй - ток, протекающий через элемент 3,. 3 - м.агнитна индукци изме-. р емого магнитного поп , зг Цгв - скоростей поверхностных рекомбинаций на поверхност х магниточувствитепьного элемента 3 от поверхностных элект, ростатических потенциалов 91,5 2. приложенных к управл ющим эпект родам напр жений 0 g (контакты 9 к 10). М - коэффициент, завис щий от геометрических размеров магниточувствительно . го элемента 3 и объемного времени жизни носителей зар да; К т безразмерные коэ иииенты , завис щие от проходных емкостей между уп- , равн ющими электродами 7, 8 и поверхност ми магниточувствительного эле .мента 3. роведении противофазных переменвл ющих напр жений на.выходные 9 и 10, т. е. при условии )ia;-b -UgSinout, 2) при выполнении услови : ( а ) обеспечено: выражению 2.g-,U(.b) оВ лл следнего выражени следует, что истика управлени магниточувстстью вида 5(.0) вл етс симме-ртносительно нул и мен ет знак, мости от знака U , Этим обесозможность преобразовани посмагнитного сигнала В в переапр жение Ufttix Выходной везонда вл етгс переменное напр ледовательно исключаетс дрейф сто нно1Ч) выходного напр жени ула изобретени дл измерени напр женности маг пол , содержащий полупроводниковый плоскопараттлепьный магнкточувстоительный элемент с токовыми электродами, диэпектрический держатель и металлический немагнитный экран, отличающийс тем, что, с цепью повышени точности измерени , в него введены два управл ющих электрода, выполненные в виде замкнутых эластичных диэлектрических капилл ров с металлизирсканной внутренней поверхностью и заполненных жидким 78 76 диэлектриком, при этом каждый управл ющий электрод соединен с противоположной боковой гранью магниточувстьительного элемента. Источники ии{)ормации, прин тые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР № 39О482, кл. в О1 R 33/О2. 1971. 2. Приборы и техника эксперимента. 197О, № 5, с. 193.The invention relates to a measuring technique, a pa, a depot of magnetic measurements, and can be used to measure pressure: 1) Magnetic strengths in various devices. The known probe for measuring the magnetic field strength, containing a semiconductor magnetically sensitive element, dielectric holder and conductors connected to the magnetically sensitive element.} The disadvantage of the probe with semiconductor magnetically sensitive elements for measuring the magnetic field strength is the lack of direct installation and adjustment of parasol parameters. signal zero, which narrows the scope of the application and limits the accuracy of the measurement. Probes are known for measuring the magnetic field strength, consisting of a plane-parallel semipersional sensing element, a dielectric holder-holder, an external metal non-magnetic screen on current electrodes connected to a plane-parallel sensing element 2. There is no possibility of direct adjustment of the parasitic level in this probe signal zero, which is the reason for the lack of an optimal operating mode and low accuracy of changes. The purpose of the invention is to improve the accuracy of measuring the magnetic field intensity. The goal is achieved by the fact that a probe for measuring the intensity of a magical field, containing a nonynpceozj-like whole plane-parallel magnetically sensitive element with tox-electrode electrodes, a dielectric holder and a metal non-magnetic screen, is inserted into it with control electrodes made in the form of closed elastic dielectric charts, which are made in the form of closed elastic dielectric charts. and filled with a liquid dielectric, with each 378 control electrode connected to the opposite side of the magnetosensitivity item element. The drawing shows the design of a probe for measuring the intensity of a magnetic field. The probe consists of a metal non-magnetic screen 1, which is the carrier body of the probe, the dielectric holder 2, on which the plane-parallel magnetically sensitive element 3, made of an intrinsic semiconductor, is located. Toksuy electrodes 4 and 5 are connected to the ends of the magnetically sensitive element 3, one of which is connected to a metal non-magnetic screen 1 representing the common probe bar b. To the side faces of the magneto sensitive element 3 on which the surface electrostatic potential is controlled (controlled This is a hamlet of ps surface recombination velocity, control electrodes 7 and 8 are attached. They are made in the form of closed elastic capillaries from a dielectric (for example, polyethylene terephthalate) with metallization This inner surface (for example, silver-plated). The capillaries are filled with a dielectric fluid (for example, glycerin). Internal metallized surfaces have electrical output contacts 9 and 10 that are output to the outside. A pressure mechanism is built into the metal non-magnetic screen 1, consisting of adjustment screws 11 and 12 dielectric gaskets 13 and 14. The probe for measuring the strength of magnetic pop works as follows. When direct current is applied to the current electrodes 4 and 5 of the magnetically sensitive element 3 and the influence of the measured magnetic field, the strong lines of which are parallel to the surfaces with a controlled value of the surface recombination velocity, the magnitude of the voltage drop across the magnetosensitive element 3 is determined from : U HVK R4BMv, (M: M siiVL rju KtStPWM SfWVl l where and „.,. (t) is the time dependence of the output voltage on the magnetically sensitive element 3; K is the coefficient (}) factor depending on the volume parameters of the receiver and the geometry of the element V / T,. is the ohmic resistance of the magnetosensitive element 3 Hey is the current flowing through the element 3,. 3 - m. magnetic induction of the measured magnetic pop, г sgv - the rates of surface recombinations on the surfaces of the magnetosensitive element 3 from surface electrons, growth potentials 91.5 2. applied to the control yuschim epekt genera voltages 0 g (tracks 9 to 10). M is the coefficient depending on the geometric dimensions is magnetically sensitive. element 3 and the bulk lifetime of charge carriers; To t are dimensionless coefficients depending on the passage capacitances between the supporting, equalizing electrodes 7, 8 and the surfaces of the magnetically sensitive element 3. conducting the antiphase alternating voltages to the output 9 and 10, i.e., subject to ia; -b -UgSinout, 2) when the following conditions are met: (a) provided: the expression 2.g-, U (.b) оВ of the last expression, it follows that the source of control of the magnetically sense type 5 (.0) is relative zero and changes the sign, bridges from the sign U, This makes it possible to convert the pos-magnetic signal B to the overvoltage Ufttix O hydrochloric vezonda is etgs alternating voltage been consistent eliminated drift hundred nno1Ch) output voltage ula invention for measuring the field strength mage floor, comprising a semiconductor ploskoparattlepny magnktochuvstoitelny element with current electrodes, diepektrichesky holder and a metallic non-magnetic screen, characterized in that, with the chain increase the accuracy of measurement , two control electrodes are introduced into it, made in the form of closed elastic dielectric capillaries with metallized inner surface filled with a liquid 78 76 dielectric, with each control electrode connected to the opposite side of the magnetosensitive element. Sources and () of the structure taken into account during the examination 1. USSR author's certificate No. 39О482, cl. in O1 R 33 / O2. 1971. 2. Instruments and equipment of the experiment. 197O, No. 5, p. 193.