SU785912A1

SU785912A1 - Device for protecting microwave receiver

Info

Publication number: SU785912A1
Application number: SU782605015A
Authority: SU
Inventors: Валерий Филиппович Малюга; Иван Васильевич Омелянюк
Original assignee: Предприятие П/Я В-8117
Priority date: 1978-04-05
Filing date: 1978-04-05
Publication date: 1980-12-07

Description

1one

Изобретение относитс к радиотехнике и может быть использовано дл защиты линии от сверхвысокочастотных (СВЧ) сигналов большой мощности.The invention relates to radio engineering and can be used to protect a line from microwave signals of high power.

Известно устройство дл защиты сверхвысокочастотного приемника, содержащее каскадное соединение датчика мощности падающей волны, выполненного на полупроводниковом детекторном диоде с нагрузочным резистором , и отрезка линии передачи с параллельно включенными р-{-п-диодами, н транзистор, ко.гшектор которого сое.динен через резисторы с,положительным полюсом источника питани и отрицательными электродами р-ч-п-диодовA device for protecting an ultra-high-frequency receiver, comprising a cascade connection of an incident wave power sensor made on a semiconductor detector diode with a load resistor, and a transmission line with parallel connected p - {- p-diodes, n transistor, which coaxial vector connects. resistors with a positive pole of the power supply and negative electrodes of r-h-p-diodes

МОднако известное устройство имеет нейостаточно высркий уровень допустимой мощности падающей волны.However, the known device has a fairly high level of permissible power of the incident wave.

Цель изобретени - увеличение уровн допустимой мощности падающей волны.The purpose of the invention is to increase the level of permissible power of the incident wave.

Дл этого в устройство дл защиты сверхвысокочастотного приемника, со .держащее каскадное соединение датчика мощности падающей, волны, выполненного на полупроводниковом детекторном диоде с нагрузочным резисто- : ром, и отрезка линии передачи с параллельно включенными p-1-n -диодами и транзистор, коллектор которого соединён через резисторы с положительным полюсом источника питани и отрицательными электродами р--(-п-диодов , положительныеp-i - п-диодов соединены с положительным полюсом источника питани через дополнительно введенный резистивный делитель наtO пр жени . Эмиттер транзистора соединен с отрицательным полюсом источника питани , а база транзистора подключена к выходу датчика мощности падающей волны.For this purpose, in a device for protecting a microwave receiver, which maintains a cascade connection of an incident power wave sensor made on a semiconductor detector diode with a load resistor, and a transmission line with parallel-connected p-1-n diodes and a transistor, a collector which is connected through resistors with a positive pole of the power source and negative electrodes p - (- p-diodes, positive p-i - p-diodes are connected to the positive pole of the power source through the additional input istivny natO direct voltage divider. The emitter of transistor is connected to the negative pole of the power source and the transistor base is connected to the output power of the incident wave detector.

15 На чертеже приведена электрическа принципиальна схема предло)кенного устройства.15 The drawing shows an electrical schematic diagram of the proposed device.

Устройство содержит датчик мощности падающей волны, выполненный наThe device contains an incident wave power sensor, made on

20 полупроводниковом детекторном диоде 1 с нагрузочным резистором 2, отрезок линии передачи 3, транзистор 4,p-J-n диоды 5, резисторы б и 7, резистивный делитель напр жени , выполненный на резисторах 8 и 9 и источник питани 10.20 semiconductor detector diode 1 with a load resistor 2, a segment of transmission line 3, a transistor 4, a p-Jn diodes 5, resistors b and 7, a resistive voltage divider made on resistors 8 and 9, and a power source 10.

Устройство работает следующим образом .The device works as follows.

Если мощность на входе устройстваIf the power input device

30 не превышает допустимого уровн ,тран30 does not exceed the permissible level, tran

Claims

Claim

A device for protecting an ultra-high 2 () frequency receiver, comprising a cascade connection of an incident wave power sensor made on a semiconductor detector diode with a load resistor, and a segment

25 transmission lines with parallel connected p-4-n-diodes, the transistor / collector of which is connected through the resistors to the positive pole of the power supply source and negative. electrodes of p - (- η-diodes, characterized in that, in order to increase the level of permissible power of the incident wave, the positive electrodes of p-4-η-diodes are connected to the positive pole of the power source through an additionally introduced resistive voltage divider, the emitter of the transistor is connected to the negative the power supply pole, and the base of the transistor is connected to the output 40 of the remote control of the incident wave power sensor.