SU785910A1

SU785910A1 - Hall sensor

Info

Publication number: SU785910A1
Application number: SU792707593A
Authority: SU
Inventors: Николай Иванович Павлов; Юрий Иванович Якунин
Priority date: 1979-01-04
Filing date: 1979-01-04
Publication date: 1980-12-07

Description

1one

Изобретение относитс к устройст вам, использующим гальваномагнитные эффекты, а именно вторичный эффект Холла, и может быть применено дл измерени характеристик электромагнитных полей, параме.тров полупроводниковых материалов, в различных счетно-решающих устройствах, а также в качестве элемента радиоэле1;стронных и регулирующих цепей.The invention relates to devices using galvanomagnetic effects, namely, the secondary Hall effect, and can be used to measure the characteristics of electromagnetic fields, parameters of semiconductor materials, in various calculating devices, as well as an element of the radio element 1; .

Возникновение ЭДС вторичного эффekтa Холла обусловлено действием внешнего магнитного пол на вихревые холловские токи, которые образуютс в провод щей среде в результате такого же действи внешнего магнитного пол на основной электрический ток-. Поэтому величина ЭДС вторичного эффекта Холла пропорциональна второй степени индукции внешнего магнитного пол 1.. Вторична ЭДС Холла всегда направлена против напр жени , поддерживающего основной ток в среде, вызыва - тем самым кажущеес увеличение сопротивлени среды, т.е. ее магнитосопротивлени .The appearance of the EMF of the secondary Hall effect is due to the effect of an external magnetic field on eddy Hall currents, which are formed in a conducting medium as a result of the same effect of an external magnetic field on the main electric current. Therefore, the magnitude of the EMF of the secondary Hall effect is proportional to the second degree of induction of the external magnetic field. 1. The secondary Hall emf is always directed against the voltage supporting the main current in the medium, thus causing an apparent increase in the resistance of the medium, i.e. its magnetoresistance.

Известен также датчик Холла, выполненный на основе полупроводникового диска с двум точечными токовымиAlso known is the Hall sensor, made on the basis of a semiconductor disk with two point current

и двум потенциальными электродами 2 .and two potential electrodes 2.

Недостатки данного устройства св заны прежде всего с невозможностью Непосредственного г змерени с его помощью ЭДС вторичного эффекта Холла , что обусловлено необходимостью измер ть падение напр жени на сопротивлении как в магнитном поле,так The disadvantages of this device are primarily due to the impossibility of directly measuring with it the EMF of the secondary Hall effect, which is caused by the need to measure the voltage drop across the resistance both in a magnetic field and in a magnetic field.

10 и без него.10 without him.

Цель изобретейи - упрощение устройсгва при измерении . вторичного эффекта Холла и повышение точности из-мерени .The purpose of the invention is to simplify the measurement device. secondary Hall effect and increased accuracy of measurement.

1515

Согласно изобретению, поставленна цель достигаетс тем, что электроды расположены на одном диаметре, причем один из токовых электродов установлен на периферии диска, дру20 гой - на рассто нии а от него,- потенциальные электроды расположены соответственно на рассто ни х вис от первого токового электрода, которые определены условием According to the invention, the goal is achieved by the fact that the electrodes are located on the same diameter, with one of the current electrodes mounted on the periphery of the disk, the other - at a distance from it - potential electrodes are located respectively at the distance x of the first current electrode, defined by the condition

25 2aR .25 2aR.

21ткТ ТГда Ь а,, (Л21tkT TGda b a ,, (L

где R - радиус круга.where R is the radius of the circle.

Суть изобретени по сн етс чертежом , на котором изображен датчикThe invention is illustrated in the drawing, which shows a sensor.

30thirty

Claims

Hall sensor made on the basis of a semiconductor disk with two point current and two potential electrodes; - sh and th with the fact that, in order to simplify the device when measuring the secondary Hall effect and increase the accuracy. measurement, the electrodes are located on the same diameter, and one of the current electrodes is installed on

40 of the periphery of the disk, the other - at a distance from it, the potential electrodes are located respectively at distances b and c from the first current electrode, which are determined by the user:

____2aR δϊΐ'β + α J ^{b <a} ' ^{a <c} < ^{£ 2R} r where R is the radius of the circle. .