SU77209A1

SU77209A1 - Способ снижени термоэлектронной эмиссии

Info

Publication number: SU77209A1
Application number: SU377292A
Authority: SU
Inventors: Л.П. Мальков
Original assignee: Л.П. Мальков
Priority date: 1948-01-14
Filing date: 1948-01-14
Publication date: 1948-11-30

Description

Предметом изобретени вл етс способ снижени термоэлектронной эмиссии деталей электронных ламп путем покрыти их защитным слоем материала, вследствие чего увеЛИчиваетс работа вылета электронов.

В насто щее врем в р де типов генераторных и приемноусилитель}1ых ламп дл уменьшени термоэлектронной эмиссии сеток, а также дл снижени температуры анодов примен етс их чернение .и покрытие цирконием, золотом или окисью титана .

Чернение и покрытие окисью титана имеет тот недостаток, что полученные пленки вследствие недостаточной сцепл емости часто осыпаютс , чем огол ют основной материал сеток и анодов.

Применение металлического порошкообразного циркони вследствие его высокой пирофорности требует специальной организации рабочего места,

Согласно изобретению, в .качестве покрытий никелевых, молибденовых или вольфрамовых деталей, вход щих в арматуру ламп, предлагаютс карбиды некоторых тугоплавких металлов определенного химического состава, приготовленные в виде тончайших порош1ков, например, карбид вольфрама состав WC, кар20 Свод. Выпуск 11. 1949 г.

бид титана-TiC, карбид циркони - ZrC, карбид молибдена Мо2С, карбид тантала - ТаС, карбид бора - ВС.

Указанные карбиды получают путем шихтовани с сажей металлических порошков, вз тых в стехиометрических количествах, или окислов металлов, вз тых из расчета восстановлени и карбюрации, « последующего нагрева шихты при температуре 1500-2100° в течение 10- 30 мин. в печи с вольфр1амовым или молибденовым сопротивлением.

В качестве защитной газовой среды в печи примен ют водород. Шихту набивают в угольные или граф 1товые патроны и в таком виде загружают в печь

Полученные карбиды подвергают мокрому размолу в мельницах из нержавеющей стали с шарами из твердого сплава или (что лучше) в мельнице, футерованной твердым сплавом, с шарами из твердого сплава . Жидкостью при размоле служит спирт.

Высока твердость футеровки и шаров, а также высокий удельный вес шаров, достигающий 14,5, обеспечивают высокую степень помола (размер зерен ниже двух микрон).

Тонко размолотые карбиды в виде суспензк -: с нитролаком и ацетоном

30-)

нанос т пульверизацией или иным путем тонким слоем на детали электронных ламп (сетки, аноды и т. п.), которые затем подвергают обжигу в вакууме при температуре 1200- 1450° дл удалени н-итролака и закреплен .и сло карбида.

Окончательное закрепление сло карбида может быть достигнуто во врем откачки ламп.

Применение мелкозернистых карбидов преследует цель добитьс получени тончайших и максимально плотных слоев покрыти деталей

Чтобы нанесенный слой карбида после обжига в вакууме имел прочную св зь с основанием, а частицы карбида-между собой, целесообразно к карбиду примешивать от 1 до 6% (лучше от 1 до 3%) порошка металлов железной группы (Ni и Со) или смеси этих металлов, причем в случае нанесени карбида вольфрама и молибдена добавл ют кобальт, а в случае нанесени карбидов титана , циркони и тантала добавл ют никель.

Применение -карбидов с добавкой металла железной группы о беспечивает получение покрыти в виде тонкой пленки сплава состава WCCo, TiCNi и т. п.

Приведенные выше карбиды могут быть заменены сложными карбидами (типа WC, TiC. ТаС, TiC и т. п.), вз тыми без добавки или с добавкой металла железной группы. В качестве добавки в этом случае рекомендуетс или только «икель, или смесь никел и кобальта.

, Предмет изобретени

Claims

1.Способ снижени термоэлектронной эмиссии деталей электронных ламп путем применени покрыти этих деталей, отличающий., с тем, что в качестве покрыти примен ют карбиды металлов (например , WC, TiC, ТаС, ВС и т. п.) в виде тонко дисперсных порошков.

2.Способ по п. 1, отличающийс тем, что порошки карбидов получают в услови х высокотемпературной кратковременной карбюрации с последующим мокрым размолом в шаровой мельнице.