SU762256A1 - Device for growing shaped crystal - Google Patents
Device for growing shaped crystal Download PDFInfo
- Publication number
- SU762256A1 SU762256A1 SU782602736A SU2602736A SU762256A1 SU 762256 A1 SU762256 A1 SU 762256A1 SU 782602736 A SU782602736 A SU 782602736A SU 2602736 A SU2602736 A SU 2602736A SU 762256 A1 SU762256 A1 SU 762256A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- shape
- capillaries
- nozzle
- crystal
- crystals
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
Изобретение относится к технологии получения профилированных монокристаллов, в частности, к технологии получения профилированного сапфира.The invention relates to a technology for producing profiled single crystals, in particular, to a technology for producing profiled sapphire.
Известны устройства для получения профилированных· кристаллов. Все они .содержат емкость с расплавом, в которой установлен формообразователь, форма которого соответствует форме выращиваемого кристалла. Например, по.методу А.В. Степанова в расплав погружают экран с профильной щелью или на поверхности расплава плавает фильера. В практике выращивания кристаллов это решение не получило *распространения,' так как в процессе кристаллизации понижается уровень расплава, а следовательно, и положение фронта кристаллизации, которое для сохранения стабильными формы и свойств кристалла следует поддержи- : вать неизменным.Known devices for producing shaped crystals. All of them contain a container with a melt in which the former is installed, the shape of which corresponds to the shape of the grown crystal. For example, according to the method of A.V. Stepanov in the melt immerse the screen with a profile gap or on the surface of the melt float filler. In the practice of growing crystals, this solution has not spread *, since the level of the melt decreases in the crystallization process and, therefore, the position of the crystallization front, which must be maintained unchanged in order to maintain stable crystal forms and properties.
Наиболее близким техническим решением является устройство для выращивания кристалла на затравке трубчатой формы, включающее тигель с крышкой,‘установленный в ней формообразователь, содержащий формообразующий элемент с отверстием в центре для затравливания и капилляры Для подачи расплава в процессе роста, и механизм для вытягивания. Формообразователь проходит через весь тигель. . Недостатки такого устройства:·The closest technical solution is a device for growing a crystal on a tubular seed, including a crucible with a lid, a shaper installed in it, containing a shaping element with a hole in the center for perching and capillaries For feeding the melt during growth, and a pull mechanism. Shaper passes through the entire crucible. . The disadvantages of such a device: ·
- при деформации кромки формообразователя вся оснастка выходит из строя и не подлежит восстановлению;- when deforming the edge of the former, all the accessories fail and are not subject to recovery;
- для изменения размера или формы выращиваемого кристалла необходимо менять всю оснастку.- to change the size or shape of the grown crystal it is necessary to change the entire snap.
Эти недостатки весьма существенны так как деформация формообразующей кромки может произойти на первой же кристаллизации из-за раздавливания · кромки затравочным кристаллом, выкрашивания формообразователя, выпадения из него образовавшихся кристаллов .These shortcomings are very significant since the deformation of the forming edge can occur at the very first crystallization due to crushing of the edge with a seed crystal, chipping of the former, and precipitation of the resulting crystals from it.
Целью изобретения является увеличение срока службы и возможность выращивания кристаллов различного профиля.The aim of the invention is to increase the service life and the possibility of growing crystals of different profiles.
Указанная цель достигается тем, что капилляры выполнены в виде отдельных трубок, собранных в пучок,This goal is achieved by the fact that the capillaries are made in the form of separate tubes assembled in a bundle,
762256 2 ,762256 2 ,
• а формообразующий элемент выполнен' в виде съемной насадки, установленной на него сверху и имеющей внутри сквозную прорезь, форма которой соот5 ветствует форме выращенного кристалла. ’ ··..• and the forming element is made in the form of a removable nozzle mounted on top of it and having a through slot inside, the shape of which corresponds to the shape of the grown crystal. ’·· ..
. На фиг, 1 изображен общий вид. Fig, 1 shows a general view.
' предлагаемого устройства^ на фиг.2 6 - варианты съемных· насадок для вы10 ращивания кристаллов различного профиля: фиг;. 2 - в, виде круглых труб’, фиг. 3 - в виде трехгранной. призмы,* фиг. 4 - в виде четырехгранного профиля*, на фиг.'5 - в виде ленты^The proposed device ^ in FIG. 2 6 shows options for removable attachments for growing crystals of various profiles: FIG. 2 - in, in the form of round pipes ’, FIG. 3 - in the form of a triangular. prisms, FIG. 4 - in the form of a tetrahedral profile *, in FIG. "5 - in the form of a tape ^
15 фиг. 6 - в виде шестигранного профи., ля,15 of FIG. 6 - in the form of hex pro., For,
• Устройство состоит из тигля 1с крышкой 2, в которой установлен пу20 чок 3 капилляров. Торец пучка капилляров выведен из тигля и на нем уста-новдена насадка 4, выполняющая роль формообразующего элемента. Насадка 4 состоит из внутренней и внешней 25 деталей с прорезью,.форма которой соответствует форме выращенного кристалла, а 'в центре насадки имеется отверстие 5 для затравливания.• The device consists of a crucible 1c with a lid 2, in which is installed a puck of 3 capillaries. The end of the capillary bundle is removed from the crucible and on it is mounted nozzle 4, which serves as a shaping element. The nozzle 4 consists of an inner and an outer 25 parts with a slot, the shape of which corresponds to the shape of the grown crystal, and in the center of the nozzle there is a hole 5 for persecution.
30 Устройство работает следующим образом. Через отверстия в крышке 2 в тигель 1 загружают сырье. После расплавления сырья и заполнения капилляров 3 к отверстию 5 насадки $ подводят затравочный кристалл и30 The device operates as follows. Through the holes in the cover 2 in the crucible 1 load raw materials. After melting the raw material and filling the capillaries 3, the seed crystal is fed to the hole 5 of the nozzle $ and
35 подплавляют его. Подплавление необходимо, чтобы соединить расплавом капилляр насадки 4 с капиллярами пуч•ка 3. Затем включают вытягивающее • устройство и выращивают кристалл35 melt it. The build-up is necessary in order to melt the capillary of the attachment 4 with the capillaries of bundle • ka 3. Then turn on the suction device and grow the crystal
4θ известным способом. Форма выращиваемого кристалла определяется формой насадки 4. При деформации насадки ее удаляют легким боковым ударом (насадка удерживается слоем затвердевшего расплава толщиной в несколько : микрон) или (при значительных размерах насадки) снижают температуру устройства до примерзания кристалла к насадке, после чего ее поднимают 4 θ in a known manner. The shape of the grown crystal is determined by the shape of the nozzle 4. When the nozzle is deformed, it is removed by a slight side impact (the nozzle is held by a layer of solidified melt several microns thick) or (at considerable nozzle sizes) the temperature of the device is frozen until the crystal freezes to the nozzle, after which it is raised
50ι вытягивающим устройством вместе с кристаллом.50ι pulling device with crystal.
К преимуществам предлагаемого устройства относится возможность 55 получения профилей сложного сечения (например спирали Архимеда), которое нельзя вырастить в известных устройствах, так как капиллярные системыThe advantages of the proposed device include the possibility 55 of obtaining profiles of complex cross sections (for example, Archimedes spirals), which cannot be grown in known devices, since capillary systems
XX
3 .3
таких сложных форм изготовить технически невозможно, в то время как насадку, высота, которой составляет несколько миллиметров, выполнить достаточно просто.It is technically impossible to manufacture such complex shapes, while a nozzle, which is several millimeters high, is quite simple to perform.
762256762256
Предложенное устройство позволяет более, чем в 4 раза увеличить срок службы формообразователя и уменьшить расход тугоплавких матерйаThe proposed device allows more than 4 times to increase the service life of the shaper and reduce the consumption of refractory materials.
5 лов на его Изготовление. 5 lov on his Manufacture.
Фиг.ВFIG. B
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU782602736A SU762256A1 (en) | 1978-04-11 | 1978-04-11 | Device for growing shaped crystal |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU782602736A SU762256A1 (en) | 1978-04-11 | 1978-04-11 | Device for growing shaped crystal |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU762256A1 true SU762256A1 (en) | 1986-07-30 |
Family
ID=20758933
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU782602736A SU762256A1 (en) | 1978-04-11 | 1978-04-11 | Device for growing shaped crystal |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU762256A1 (en) |
-
1978
- 1978-04-11 SU SU782602736A patent/SU762256A1/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3953174A (en) | Apparatus for growing crystalline bodies from the melt | |
EP0368586A1 (en) | Apparatus for manufacturing silicon single crystals | |
DE69201292T2 (en) | Single crystal pulling device. | |
US4230674A (en) | Crucible-die assemblies for growing crystalline bodies of selected shapes | |
JPS6033798B2 (en) | Semiconductor material manufacturing method from coarse crystal to single crystal | |
EP0340941A1 (en) | Method and apparatus for manufacturing silicon single crystals | |
US5370078A (en) | Method and apparatus for crystal growth with shape and segregation control | |
EP1571240A3 (en) | Method for producing compound semiconductor single crystal | |
US5114528A (en) | Edge-defined contact heater apparatus and method for floating zone crystal growth | |
US4322263A (en) | Method for horizontal ribbon crystal growth | |
CN1051207A (en) | Make silicon single-crystal equipment | |
SU762256A1 (en) | Device for growing shaped crystal | |
US4213940A (en) | Apparatus for pulling monocrystalline ribbon-like bodies out of a molten crystalline film | |
JPS6018634B2 (en) | Crystal pulling device | |
JPS59203798A (en) | Apparatus for preparing belt-shaped silicon crystal | |
WO1986006109A1 (en) | Method and apparatus for growing single crystal bodies | |
US3212858A (en) | Apparatus for producing crystalline semiconductor material | |
JPS5973492A (en) | Apparatus for preparation of silicon strip crystal | |
JPH01294592A (en) | Growth of single crystal | |
RU2222646C1 (en) | Method of monocrystals growing from melt | |
JP2662020B2 (en) | Single crystal growth method of compound semiconductor by vertical board method | |
JPH0711177Y2 (en) | Raw material supply mechanism for semiconductor single crystal manufacturing equipment | |
RU1382052C (en) | Device for growing profiled crystals | |
JPS59182292A (en) | Production of silicon crystal band | |
KR930005406B1 (en) | Method and apparatus for growing single crystal bodies |