SU762190A1 - Readout amplifier - Google Patents
Readout amplifier Download PDFInfo
- Publication number
- SU762190A1 SU762190A1 SU782663956A SU2663956A SU762190A1 SU 762190 A1 SU762190 A1 SU 762190A1 SU 782663956 A SU782663956 A SU 782663956A SU 2663956 A SU2663956 A SU 2663956A SU 762190 A1 SU762190 A1 SU 762190A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- mos transistors
- transistors
- trigger
- bus
- grounding
- Prior art date
Links
Landscapes
- Manipulation Of Pulses (AREA)
Description
Изобретение относится к импульсной технике, может быть использовано при построении цифровых устройств.The invention relates to a pulse technique, can be used to build digital devices.
Известей быстродействующий переключатель тока, содержащий диодную матрицу, триггер, управляемые ключи [1].Lime high-speed current switch containing diode array, trigger, controlled keys [1].
Недостатки устройства — его сложность, низкая надежность.The drawbacks of the device is its complexity, low reliability.
Наиболее близким техническим решением, взятым за прототип, является усилитель считывания, содержащий симметричный триггер с перекрестными связями на первом, втором, третьем и четвертом МДПтранзисторах, два восстанавливающих МДП-транзистора, подключенные своими истоками соответственно к выходам информационного и опорного сдвиговых регистров затворами — к первой тактовой шине, стоками — к шине питания [2].The closest technical solution, taken as a prototype, is a read amplifier, containing a symmetric trigger with cross-links on the first, second, third and fourth MDP transistors, two restoring MOS transistors, connected by their sources to the outputs of the information and reference shift registers, respectively, to the first gates clock bus, drains - to the power bus [2].
Недостатком устройства является малый динамический диапазон.The disadvantage of this device is a small dynamic range.
Цель изобретения — расширение динамического диапазона схемы.The purpose of the invention is to expand the dynamic range of the circuit.
Поставленная цель достигается тем, что в усилитель считывания, содержащий симметричный триггер с перекрестными связями на первом, втором, третьем и четвертом МДП-транзисторах, первый и второй восстанавливающие МДП-транзисторы, истоки которых подключены соответственно к вы2This goal is achieved by the fact that the reading amplifier, containing a symmetric trigger with cross-links on the first, second, third and fourth MOS transistors, the first and second restoring MOS transistors, the sources of which are connected respectively to you
ходам информационного и опорного сдвиговых регистров, затворы — к первой тактовой шине, а стоки — к шине питания, введены первый и второй переключающие,moves information and reference shift registers, closures - to the first clock bus, and drains - to the power bus, entered the first and second switching,
5 первый и второй заземляющие, первый и второй входные МДП-транзисторы, затворы входных транзисторов подключены соответственно к выходам информационного и опорного регистров, сток первого входно10 го и затвор второго переключающего МДПтранзисторов подключены к одному выходу триггера, сток второго входного и затвор первого переключающего МДП-транзнсторов — к противоположному выходу триг15 гера, истоки первого и второго входных МДП-транзисторов соединены соответственно со стоками первого и второго переключающих МДП-транзисторов, первый заземляющий МДП-транзистор включен 20 между точкой соединения истоков переключающих МДП-транзисторов и общей шиной устройства, второй заземляющий МДП-транзистор — между точкой соединения истоков первого и второго МДП-тран25 зисторов триггера и общей шиной устройства, стоки третьего и четвертого транзисторов триггера подключены к шине питания, их затворы — ко второй тактовой ши1-щ, затвор первого заземляющего МДП30 транзистора — к третьей тактовой шине,5 the first and second grounding, the first and second input MOSFETS, the gates of the input transistors are connected respectively to the outputs of the information and reference registers, the drain of the first input 10 and the gate of the second switching MDPtransistor are connected to one output of the trigger, the drain of the second input and the gate of the first switching MIS- transistors - to the opposite output of the trigger 15, the sources of the first and second input MOS transistors are connected respectively to the drains of the first and second switching MIS transistors, the first the grounding MOS transistor is connected 20 between the connection point of the sources of the switching MOS transistors and the device common bus, the second grounding MDP transistor is between the connection point of the sources of the first and second MIS transistors of the trigger and the device common bus, the drains of the third and fourth transistors of the trigger are connected to the power bus, their gates - to the second clock shi1-sh, the gate of the first grounding MDP30 transistor - to the third clock bus,
762190762190
33
затвор второго заземляющего МДП-транзистора — к четвертой тактовой шине.the gate of the second grounding MOS transistor - to the fourth clock bus.
На чертеже приведена схема устройства.The drawing shows a diagram of the device.
Устройство содержит триггер на первом, втором, третьем, четвертом МДП-транзисторах 1—4, первый и второй восстанавливающие МДП-транзисторы 5, 6, информационный и опорный сдвиговые регистры 7,8, первую тактовую шину 9, шину 10 питания, первый и второй входные МДП-транзисторы 11, 12, первый и второй переключающие МДП-транзисторы 13, 14, первый и второй заземляющие МДП-транзисторы 15, 16, вторую, третью, четвертую тактовые шины 17—19.The device contains a trigger on the first, second, third, fourth MOS transistors 1-4, the first and second restoring MOS transistors 5, 6, information and reference shift registers 7.8, the first clock bus 9, the power bus 10, the first and second input MOSFET 11, 12, the first and second switching MOSFET 13, 14, the first and second grounding MOSFET 15, 16, the second, third, fourth clock bus 17-19.
На первую тактовую шину подается импульс Фь на вторую тактовую шину — импульс Ф2, на третью тактовую шину — импульс Ф3, на четвертую тактовую шину — импульс Ф4.On the first clock bus, an impulse F b is fed to the second clock bus - an impulse F 2 , on a third clock bus - an impulse F 3 , on a fourth clock bus - an impulse F 4 .
Устройство работает следующим образом. Во время действия импульса Φι восстанавливающие МДП-транзисторы 5,' 6 открыты, и потенциалы считывающих узлов (выходы регистров 7, 8) нарастают до одинаково высоких уровней. Так как при этом заземляющие МДП-транзисторы 15, 16 закрыты, а нагрузочные МДП-транзисторы 3, 4 триггера открыты (импульсы Ф2, Ф3 имеют низкие, а Ф4 — высокий уровни), то напряжение в выходных узлах (выходы регистров 7, 8) также нарастают до одинаково высоких уровней. С окончанием импульсов Фь Ф4 считывающие узлы (выходы регистров 7, 8) переходят в режим плавающего потенциала, а нагрузочные МДПтранзисторы 3, 4 закрываются. Одновременно с выхода регистра 7 поступает считываемый заряд, а с выхода регистра 8 — опорный заряд. Вследствие этого создаются начальный разбаланс напряжений на затворах входных МДП-транзисторов 11, 12 и соответствующий разбаланс сопротивлений каналов МДП-транзисторов 11, 12.The device works as follows. During the pulse Φι, the reducing MOSFETs 5, '6 are open, and the potentials of the reading nodes (outputs of registers 7, 8) increase to equally high levels. Since the grounding MIS transistors 15, 16 are closed, and the load MOS transistors 3, 4 of the flip-flop are open (F 2 , F 3 pulses are low, and F 4 - high levels), the voltage at the output nodes (outputs of registers 7 , 8) are also growing to equally high levels. The end pulse F F s 4 readers nodes (outputs of the registers 7, 8) pass into the floating potential mode and load MDPtranzistory 3, 4 are closed. At the same time, the readout charge comes from the output of register 7, and the reference charge from the output of register 8. As a result, the initial voltage imbalance at the gates of the input MOS transistors 11, 12 and the corresponding unbalance of the resistances of the channels of the MIS transistors 11, 12 are created.
С поступлением импульса Ф2 открывается заземляющий МДП-транзистор 15, и емкости, подключенные к выходным (выходы регистров 7, 8) начинают разряжаться через последовательно соединенные МДПтранзисторы 11, 13, 15 и 12, 14, 16 соответственно. При считывании заряда логической единицы сопротивление канала МДП-транзистора 11 больше, чем сопротивление канала МДП-транзистора 12. Поэтому напряжение стока МДП-транзистора 4 спадает быстрее, чем напряжение стока МДПтранзистора 3, и образуется разбаланс выходных напряжений. Из-за наличия положительной обратной связи в разрядных цепях (за счет перекрестного соединения затворов переключающих МДП-транзисторов 13 ,14) в процессе спада выходных напряжений возникает регенеративный процесс, и начальный разбаланс усиливается.With the arrival of the pulse F 2 , the grounding MOS transistor 15 is opened, and the capacitances connected to the output (outputs of registers 7, 8) begin to discharge through the series-connected MOS transistors 11, 13, 15 and 12, 14, 16, respectively. When reading the charge of a logical unit, the resistance of the channel of the MIS transistor 11 is greater than the resistance of the channel of the MIS transistor 12. Therefore, the drain voltage of the MOS transistor 4 decreases faster than the drain voltage of the MDP transistor 3 and an output voltage imbalance occurs. Due to the presence of positive feedback in the bit circuits (due to the cross-connection of the gates of the switching MOS transistors 13, 14), the regenerative process occurs in the process of the output voltage decrease and the initial imbalance is amplified.
4four
С приходом импульсов Ф3, Ф4 открываются МДП-транзисторы 3, 4, 16, и триггер подключается к шине питания 10 и общей точке схемы. В результате разбаланс выходных напряжений усиливается, как в обычных триггерных усилителях считывания, применяемых в однотранзисторных запоминающих устройствах с произвольной выборкой. При считывании заряда логического нуля сопротивление канала входного МДП-транзистора 11 меньше, чем сопротивление канала МДП-транзистора 12. С приходом импульса Ф] и окончанием импульсов Ф2, Ф3 восстанавливающие МДПтранзисторы 5, 6 открываются, а истоки переключающих МДП-транзисторов 13, 14 и активных МДП-транзисторов 1, 2 триггеров отключаются от общей точки схемы. В результате восстанавливается высокий уровень напряжения, т. е. схема возвращается в первоначальное состояние.With the arrival of pulses F 3 , F 4 , MOSFETs 3, 4, 16 open, and the trigger is connected to the power bus 10 and the common point of the circuit. As a result, the unbalance of the output voltages is amplified, as in conventional trigger read amplifiers used in single-transistor random-access memory devices. When reading the charge of logical zero, the channel resistance of the input MOS transistor 11 is less than the channel resistance of the MOS transistor 12. With the arrival of the pulse F] and the end of the pulses F 2 , F 3, the reducing MDP transistors 5, 6 open, 14 and active MOS transistors 1, 2 triggers are disconnected from the common point of the circuit. As a result, a high voltage level is restored, i.e. the circuit returns to its original state.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU782663956A SU762190A1 (en) | 1978-09-08 | 1978-09-08 | Readout amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU782663956A SU762190A1 (en) | 1978-09-08 | 1978-09-08 | Readout amplifier |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU762190A1 true SU762190A1 (en) | 1980-09-07 |
Family
ID=20785181
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU782663956A SU762190A1 (en) | 1978-09-08 | 1978-09-08 | Readout amplifier |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU762190A1 (en) |
-
1978
- 1978-09-08 SU SU782663956A patent/SU762190A1/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4216390A (en) | Level shift circuit | |
US4247791A (en) | CMOS Memory sense amplifier | |
US3675144A (en) | Transmission gate and biasing circuits | |
US3431433A (en) | Digital storage devices using field effect transistor bistable circuits | |
US3838295A (en) | Ratioless mos sense amplifier | |
US3284782A (en) | Memory storage system | |
GB1194754A (en) | Semiconductor Bistable Circuit Arrangements | |
US3983543A (en) | Random access memory read/write buffer circuits incorporating complementary field effect transistors | |
US4045688A (en) | Power-on reset circuit | |
GB1567858A (en) | Voltage comparators | |
US4017741A (en) | Dynamic shift register cell | |
GB1567565A (en) | Preamplifiers | |
KR830002451A (en) | Sense amplifier | |
US3852625A (en) | Semiconductor circuit | |
US4112296A (en) | Data latch | |
US4825110A (en) | Differential amplifier circuit | |
EP0184148B1 (en) | Semiconductor memory device | |
GB1122411A (en) | Data storage circuit | |
US4567387A (en) | Linear sense amplifier | |
US3509379A (en) | Multivibrators employing transistors of opposite conductivity types | |
US3638039A (en) | Operation of field-effect transistor circuits having substantial distributed capacitance | |
US3619670A (en) | Elimination of high valued {37 p{38 {0 resistors from mos lsi circuits | |
US4130897A (en) | MNOS FET memory retention characterization test circuit with enhanced sensitivity and power conservation | |
US3838293A (en) | Three clock phase, four transistor per stage shift register | |
US3971004A (en) | Memory cell with decoupled supply voltage while writing |