SU756603A1 - Балансный модулятор1 - Google Patents

Балансный модулятор1 Download PDF

Info

Publication number
SU756603A1
SU756603A1 SU782635078A SU2635078A SU756603A1 SU 756603 A1 SU756603 A1 SU 756603A1 SU 782635078 A SU782635078 A SU 782635078A SU 2635078 A SU2635078 A SU 2635078A SU 756603 A1 SU756603 A1 SU 756603A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
output
source
cathode
anode
low
Prior art date
Application number
SU782635078A
Other languages
English (en)
Inventor
Boris G Perlin
Vladimir P Razinkin
Original Assignee
Novosibirsky Elektrotech Inst
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Novosibirsky Elektrotech Inst filed Critical Novosibirsky Elektrotech Inst
Priority to SU782635078A priority Critical patent/SU756603A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU756603A1 publication Critical patent/SU756603A1/ru

Links

Landscapes

  • Amplitude Modulation (AREA)

Description

Изобретение относится к радиотехнике 'и может использоваться в (
различных устройствах для получения амплитудно-модулированных колебаний с глубоким подавлением остатка несу- 5 щеп.
Известен балансный модулятор, содержащий первый и второй полупроводниковые диоды, выходной трансформатор, первичная обмотка которого подключена к катоду первого и , аноду второго полупроводникового диода, а ее средняя точка' соединена с общей шиной, источник модулируе- мого и источник модулирующего сиг- 15 налов,выходы которых через, соответствующие развязывающие элементы подключены к аноду первого и катоду второго полупроводникового диода,а также источник постоянного смещения,положи- 2С тельная и отрицательная шина которого подключены соответственно к аноду первого и катоду второго ; полупроводникового диода через соответствующие первый' и второй фильт- 25 ры нижних частот [1].
• Однако в известном устройстве недостаточно подавление несущей в выходном сигнале при смене полупроводниковых диодов, изменении уровней . ЗС
2
модулируемого и модулирующего сигналов, при воздействии дестабилизирующих факторов, например, температуры 'окружающей среды из-за низкой стабильности параметров существующих элементов.
Цель изобретения - увеличение подавления несущей в выходном сигнале .
Для этого в балансном модуляторе, содержащем первый и второй полупроводниковые диоды, выходной трансформатор, первичная обмотка которого подключена к катоду первого и аноду второго. полупроводникового диода, а ее средняя точка соединена с общей шиной, источник модулируемого и источник модулирующего сигналов, выходы которых через соответствующие развязывающие .элементы к аноду первого и катоду второго полупроводникового диода, а также источник постоянного смещения, положительная и отрицательная шины которого подключены соответственно к ано ду первого и катоду второго полупроводникового диода через соответствующие первый и второй фильтры нижних частот, между выходом источника модулируемого сигнала и выходом второго •фильтра нижних частот включены после756603 4
довательно соединенные фазовращатель, фазовый детектор, третий фильтр нижних частот и усилитель постоянного тока, при этом другой вход фазового детектора соединен с одним из выводов вторичной обмотки выходного трансформатора. _
На фиг. 1 представлена структурная ' электрическая схема предложенного устройства; на фиг. 2 -.временные диаграммы работы устройства.
Балансный модулятор содержит первый и второй полупроводниковые диоды 1 и 2, выходной трансформатор 3, источники 4 и 5 модулируемого и модулирующего сигналов, развязывающие элементы б, 7 и 8, 9, 10, 11, источник 12 постоянного смещения, первый, и второй 15 фильтры 13 и 14 нижних частот, а также фазовращатель 15, фазовый детектор 16, третий фильтр 17 нижних частот и Усилитель 18 постоянного тока (УПТ).
' Балансный модулятор работает еле- 20 дующим образом.
При разомкнутой цепи обратной связи, когда выход УПТ 18 отключен от элемента 11, спектр выходного сигнала балансного модулятора/ без учета 25 комбинационных составляющих, можно представить в следующем'виде.
30
КиЧг,СО5а^ > 0)
где Он, - амплитуда сигнала источника модулируемого сигна-35
• ла;
о - частота модулируемого сигнала;
Ώ. - частота модуляции;
- коэффициент преоб- ...
разования полезного сигнала;
Ко - коэффициент преобразования несущей;
Е4мЕ2- положительные и отрицательные напряжения б '45 источника питания. .
Первый член выражения (1) учитывает неподавленный остаток несущей, а второй - полезный продукт преобразования. На выходе фазового детектора 50 16 при этом появится напряжение, содержащее переменную и постоянную составляющие :
’ 55
где Кфд - коэффициент передачи фазового детектора;
дЧ - разность фаз сигнала источника модулируемого сигнала и выходного сигнала баланс- 60 ного модулятора.
Для получения максимального значения Офд подстройкой фазовращателя 15 устанавливают режим, при котором выполняется условие Знак и 65
величина постоянной составляющей- напряжения Κφχ, как следует из выражения
(2), зависят от состояния Ц1 |
(см. фиг. 2,сГ,в). Знак и величина выходного напряжения УПТ 18 также зависят от соотношения) | -|1 I и по форме аналогичны дискриминаторной характеристике (фйг. 2,2).
Таким образом, изменение знака . выходного напряжения УПТ 18 при смене знака неравенства | | >1 на обратный позволяет охватить модулятор отрицательной обратной связью и обеспечить его автосимметрирование.
Уровень подавления несущей и четных комбинационных составляющих будет определяться глубиной обратной связи, возникающей в такой системе. Таким образом, предложенный балансный мо·* дулятор за счет возникновения глубокой отрицательной обратной связи обеспечивает увеличение подавления несущей не менее чем на 10 дБ по сравнению с известным модулятором, как в обычных условиях, так и при воздействии дестабилизирующих факторов .
Кроме того, в предложенном балансном модуляторе значительно упрощается настройка. ·

Claims (1)

  1. Формула изобретения
    Балансный модулятор, содержащий первый и второй полупроводниковые диоды, выходной трансформатор, первичная обмотка которого подключена к катоду первого и аноду второго полупроводникового диода, а ее средняя .точка соединена с общей шиной, источник модулируемого и источник модулирующего сигналов, выхода которых через соответствующие развязывающие элементы подключены.к аноду, первого и катоду второго полупроводникового диода, а также источник постоянного смещения, положительная и отрицательная шины которого подключены соответственно к аноду первого и . катоду второго полупроводникового диода через соответствующие первый и второй фильтры нижних частот, отличающийся тем, что, с целью увеличения подавления несущей в выходном сигнале, между выходом источника модулируемого сигнала и выходом второго фильтра нижних частот включены последовательно соединенные фазовращатель, фазовый детектор, третий фильтр нижних частот и усилитель постоянного тока, при этом другой вход фазового детектора соединен с одним из выводов вторичной обмотки выходного трансформатора.
SU782635078A 1978-05-26 1978-05-26 Балансный модулятор1 SU756603A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU782635078A SU756603A1 (ru) 1978-05-26 1978-05-26 Балансный модулятор1

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU782635078A SU756603A1 (ru) 1978-05-26 1978-05-26 Балансный модулятор1

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU756603A1 true SU756603A1 (ru) 1980-08-15

Family

ID=20772903

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU782635078A SU756603A1 (ru) 1978-05-26 1978-05-26 Балансный модулятор1

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU756603A1 (ru)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2389251A (en) * 2002-05-31 2003-12-03 Hitachi Ltd A polar-loop wireless communication apparatus, a semiconductor integrated circuit and a loop gain calibration method
US7085544B2 (en) 2002-05-31 2006-08-01 Renesas Technology Corp. Transmitter having a phase control loop whose frequency bandwidth is varied in accordance with modulation modes
US7209717B2 (en) 2002-05-31 2007-04-24 Renesas Technology Corporation Apparatus for radio telecommunication system and method of building up output power
US7230997B2 (en) 2002-05-31 2007-06-12 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit for communication, radio-communications apparatus, and transmission starting method

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2389251A (en) * 2002-05-31 2003-12-03 Hitachi Ltd A polar-loop wireless communication apparatus, a semiconductor integrated circuit and a loop gain calibration method
GB2389251B (en) * 2002-05-31 2005-09-07 Hitachi Ltd A communication semiconductor integrated circuit, a wireless communication apparatus, and a loop gain calibration method
US7082290B2 (en) 2002-05-31 2006-07-25 Renesas Technology Corp. Communication semiconductor integrated circuit, a wireless communication apparatus, and a loop gain calibration method
US7085544B2 (en) 2002-05-31 2006-08-01 Renesas Technology Corp. Transmitter having a phase control loop whose frequency bandwidth is varied in accordance with modulation modes
US7209717B2 (en) 2002-05-31 2007-04-24 Renesas Technology Corporation Apparatus for radio telecommunication system and method of building up output power
US7230997B2 (en) 2002-05-31 2007-06-12 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit for communication, radio-communications apparatus, and transmission starting method
US7248842B2 (en) 2002-05-31 2007-07-24 Renesas Technology Corp. Wireless communication apparatus having a phase control loop shared by first and second modulation modes and an amplitude control loop
US7366481B2 (en) 2002-05-31 2008-04-29 Renesas Technology Corporation Apparatus for radio telecommunication system and method of building up output power
US7433653B2 (en) 2002-05-31 2008-10-07 Renesas Technology Corp. Transmitter and semiconductor integrated circuit for communication
US7480345B2 (en) 2002-05-31 2009-01-20 Renesas Technology Corp. Semiconductor integrated circuit for communication, radio-communication apparatus, and transmission starting method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SU756603A1 (ru) Балансный модулятор1
US2682640A (en) Arrangement for modulating electric carrier wave oscillations
GB1022542A (en) Improvements relating to frequency modulators
ES8200805A1 (es) Un circuito modulador de amplitud
KR860000186B1 (ko) Fm 복조회로
EP0217457A1 (en) Angle demodulator
US2921739A (en) Product-taking system
GB754216A (en) Improvements in or relating to circuit arrangements for the generation of frequency modulated oscillations
SU924588A1 (ru) Измерительный преобразователь с гальваническим разделением цепей
US3052857A (en) Lag circuit
US3237129A (en) Push-pull modulator circuit with means to vary the output level of the carrier and sidebands
SU1181018A1 (ru) СВЧ-фазовый манипул тор
SU628477A1 (ru) Источник питани посто нного напр жени
SU77502A3 (ru) Приемник фазомодулированных колебаний
US3327246A (en) Electrical signal modulator
US3601715A (en) Transformerless double-balanced modulator apparatus
SU1192108A1 (ru) Детектор частотно-модулированных сигналов
SU1515339A1 (ru) Устройство формировани пол рно-модулированных колебаний
SU1390778A1 (ru) Усилитель посто нного тока типа М-ДМ
SU1385240A1 (ru) Кварцевый частотный модул тор
SU1755379A1 (ru) Система передачи сигналов по проводам трехфазной линии электропередачи
SU1123094A1 (ru) Усилитель частотно-манипулированных сигналов со стабилизацией коэффициента усилени
SU1215160A1 (ru) Генератор периодических колебаний
RU8858U1 (ru) Устройство для подавления паразитной фазовой модуляции
SU1462495A1 (ru) Приемник сигналов с угловой модул цией