SU746725A1 - Storage - Google Patents
Storage Download PDFInfo
- Publication number
- SU746725A1 SU746725A1 SU782615504A SU2615504A SU746725A1 SU 746725 A1 SU746725 A1 SU 746725A1 SU 782615504 A SU782615504 A SU 782615504A SU 2615504 A SU2615504 A SU 2615504A SU 746725 A1 SU746725 A1 SU 746725A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- electrodes
- electrode
- plate
- recording
- information
- Prior art date
Links
Landscapes
- Dram (AREA)
Description
Изобретение относитс к вычислительной технике и может быть использовано при построении микроминиатюрных устройств , где требуетс хранение дискретной информации, представленной более, чем двум уровн ми.The invention relates to computing and can be used in the construction of microminiature devices, which require the storage of discrete information represented by more than two levels.
Известны запоминающие устройства (34) содержащие пластину из сегнетсн. электрическогчз материала, обладающего пьезоэлектрическими свойствами в пол ризованном состо нии, с нанесенной на ее Противоположные стороны системой электродов.Known storage devices (34) containing a plate of fernets. an electrical material with piezoelectric properties in a polarized state, with an electrode system applied on its Opposite sides.
, Одно из известных ЗУ содержит пластину из сегнетоэлеКтрического мйтериала , на разных стороневс ксзтброй расположены электроды возбуждени и выходные электроды l .One of the known chargers contains a plate of ferroelectric triplets, and excitation electrodes and output electrodes l are located on different sides of the Xctbra.
Недостатком ЗУ вл етс возможность хранени лищь двух дискретных уровней информации.The disadvantage of memory is the ability to store only two discrete levels of information.
Наиболее близким техническим решением к предлагаемому вл етс ЗУ, содержащего сегнетоэлектрическую пластину,The closest technical solution to the proposed is a memory containing a ferroelectric plate,
обладающую пьезоэлектрическими свойствами в пол ризованном состо нии, на одной из сторон которой расположен первый электрод возбуждени и электроды записи, на другой стороне пластины против nef. вого электрода возбуждени расположен второй электрод возбуждени и выходные электроды 2 ,possessing piezoelectric properties in a polarized state, on one side of which there is a first excitation electrode and recording electrodes, on the other side of the plate against nef. second excitation electrode and output electrodes 2 are located at the second excitation electrode,
Недостатком известного устройства вл етс способность .хранени информации, A disadvantage of the known device is the ability to store information,
10 представленной лишь двум дискретными уровн ми, что не позвол ет использовать это устройство в многоустойчивых цифровых системах и ограничивает его информационную емкость.10 is represented by only two discrete levels, which prevents the use of this device in multistable digital systems and limits its information capacity.
1515
Целью изобретени вл етс повышение информационной емкости известного ЗУ.The aim of the invention is to increase the information capacity of a known memory device.
Поставленна цель достигаетс тем, что ЗУ,, содержащее пластину из сегиетоэлектрического материал, обладающего The goal is achieved by the fact that the memory containing a plate made of a ferroelectric material that has
20 пьезоэлектрическими свойствами в пол ризованном состо нии, на одной из сторон которой расположен первый электрод возбуждени и параллельно ему вььходной20 of the piezoelectric properties in a polarized state, on one side of which the first excitation electrode is located and parallel to it is the leading
лектрод, а на другой стороне пластины ротив первого электрода возбуждени асположен второй электрод возбуждени , формироватеди сигналов записи, содержит на другой стороне пластины из сегнетоэлектрического материала против выодного электрода электроды записи и вспомогательные электроды по числу усойчивых информационньрс состо ний устройства , причем электроды записи под- JQ ключены к соответствующим формировате- п м сигналов записи, а вспомогательные электроды - к шине нулевого потенциала.The electrode, and on the other side of the plate the second excitation electrode is positioned, the second excitation electrode, forming the recording signals, contains on the other side a plate made of ferroelectric material against the outgoing electrode, recording electrodes and auxiliary electrodes according to the number of stable information states of the device, and the recording electrodes are sub- JQ They are connected to the corresponding formers of the recording signals, and auxiliary electrodes to the zero potential bus.
На чертеже изображена конструкци ЗУ.The drawing shows the design of the memory.
Предложенное ЗУ содержит пластину из сегнетоэлектрического материала, обладающего пьезоэлектрическими свойствами в поп ризованнсм состо нии. На одну из сторон пластины 1 нанесен первый электрод 2 возбуждени и параллельно ему вы- jo ходной электрод 3, На другую сторону пластины 1 против первого электрода 2 возбуждени второй электрод 2 возбуждени против выходного электрода 3 нанесены электроды 4 записи и вспомогатвль- 25 ные электроды 5. К электродам 2 возбуждени подключен формирователь 6 сигнапов считывани , к выходнЪму электроду подключен усилитель 7 считьтани . Электроды 4 записи подключены к формировател м зо 8 разнопол рных сигналов записи. Вспомогательные электроды 5 подключены к общей точке.The proposed memory device contains a plate made of a ferroelectric material having piezoelectric properties in the positive state. On one side of the plate 1, the first excitation electrode 2 is applied and parallel to the output electrode 3. On the other side of the plate 1 against the first excitation electrode 2, the second excitation electrode 2 against the output electrode 3 is deposited 4 recording electrodes and auxiliary electrodes 5 . A shaper 6 of readout signals is connected to the excitation electrodes 2, and an amplifier 7 is connected to the output electrode. Recording electrodes 4 are connected to a shaper of 8 different recording recording signals. Auxiliary electrodes 5 are connected to a common point.
В общем случае дл хранени информации , имеющей максимальное число уровней 35 N (информационные сигналы уровн М ), устройство имеет К электродов 4 записи И такое же количество вспомогательных электродов 5.In the general case, for storing information that has the maximum number of levels of 35 N (level M information signals), the device has K records 4 electrodes And the same number of auxiliary electrodes 5.
Запись информации в устройство произ- о водитс следующим образом.Information is recorded into the production device as follows.
Дл записи дискретного информационного сигнала уровн К с К формирователей 8 сигнапов записи подаетс напр жение записи на К электродов 4 записи, подклю- ченные к этим формировател м, создающее пол ризацию сегнетоэлектрического материала пластины 1, наход щегос в зоне перекрыти электродов 4 записи и выходного электрода 3 (подключенного че- 5° рез входные цепи усилител считывани 7 к общей точке), равную по величине и направлению пол ризации сегнетоэлектрического материала пластины 1 в зоне перекрыти вспомогательных электродов 5 и вьшодного электрода 3. С остальных (К) формирователей 8 сигналов записи На (N-K) электрод 4 записи, подключенные к этим формировател м, подаетс напр жение записи, создающее пол ризацию Сегнетоэлектрического материала пластины 1, наход щегос в зоне перекрыти электродов 4 записи и выходного электрода 3, по величине, но знак которой противоположен знаку пол ризации сегне- тоэлектрического материала пластины 1 в зоне перекрыти вмпомогательных электродов 5 и выходного электрода 3.To write a discrete information signal of the K K level of the 8 write signal formers, a write voltage is applied to the K 4 record electrodes connected to these formers, creating a polarization of the ferroelectric material of the plate 1 located in the zone of the output electrode 3 (connected through a 5 ° cut input circuit of the read amplifier 7 to a common point), equal in magnitude and direction of polarization of the ferroelectric material of the plate 1 in the overlap zone of the auxiliary electrodes 5 and of the electrode electrode 3. From the remaining (K) formers 8 recording signals, the (NK) recording electrode 4 connected to these formers is supplied with a recording voltage that creates a polarization of the Ferroelectric material of the plate 1 located in the zone of overlap of the recording electrodes 4 and the output electrode 3, in magnitude, but the sign of which is opposite to the polarization sign of the ferroelectric material of the plate 1 in the overlap zone of the auxiliary electrodes 5 and the output electrode 3.
При считывании информации все электроды записи 4 подключены к общей точке. Импульс считывани с формировател 6 подаетс на электроды возбуждени 3. В силу влени обратного пьезоэффекта, воз- бунщаетс волна механической деформации, .распростран юща с в материале сегнетоэлектрической пластины. По достижении механической волной зоны выходного электрода 3, на последнем, в силу влени пр мого пьезоэффекта, индуцируетс электрический зар д, источниками которого вл ютс элементарные пъезопреобразова- тели, образованные в зонах перекрыти электродов записи 4 и вспомогательных электродов 5 с выходным электродом 3. Каждый из элементарных пьезопреобразов телей индуцирует зар д, мгновенное значение которрго равно-ю. или -су. (знак зар да определ етс направлением пол ризации сегнетоэлектрического материала данного элементарного пьезопреобразова- тел ). Если мгновенный зар д, индуцируемый элементарным пьезопреобразователем, образованным в зоне перекрыти выходного электрода 3 и одного из вспомогательных электродов 5 + С , то суммарный мгновенный электрический зар д, индуцируемый на выходном электроде 3 дл рассматриваемого произвольного случа (считывание записанного дискретного сигнала уровн К) пропорционален количеству уровней К записанного многоуровневого сигнала.When reading information, all recording electrodes 4 are connected to a common point. A read pulse from the generator 6 is applied to the excitation electrodes 3. Due to the reverse piezoelectric effect, a mechanical deformation wave propagates in the material of the ferroelectric plate. When the wave of the output electrode 3 reaches the mechanical wave, the latter, due to the appearance of the direct piezoelectric effect, induces an electric charge, the sources of which are elementary piezoelectric transducers formed in the overlapping zones of the recording electrodes 4 and the auxiliary electrodes 5 with the output electrode 3. Each of elementary piezoelectric transducers, induces a charge, the instantaneous value of which is equal to th. or -su. (the sign of the charge is determined by the direction of polarization of the ferroelectric material of this elementary piezoelectric transducer). If the instantaneous charge induced by an elementary piezoelectric transducer formed in the overlap zone of the output electrode 3 and one of the auxiliary electrodes 5 + C, then the total instantaneous electric charge induced at the output electrode 3 for the considered arbitrary case (reading the recorded discrete level K signal) is proportional to the number of levels To the recorded multi-level signal.
При использовании предложенного запоминающего устройства в вычислительных устройствах уменьшаетс физический объем и количество примен емого оборудовани , значительно снижаетс потребл ема мощность и длительное хранение информации без затрат .внешней энергии, а также ее считьшание без разрушени .When using the proposed storage device in computing devices, the physical volume and quantity of the equipment used are reduced, the power consumption and long-term storage of information are significantly reduced without the expense of external energy, as well as its combination without destruction.
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU782615504A SU746725A1 (en) | 1978-05-15 | 1978-05-15 | Storage |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU782615504A SU746725A1 (en) | 1978-05-15 | 1978-05-15 | Storage |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU746725A1 true SU746725A1 (en) | 1980-07-07 |
Family
ID=20764541
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU782615504A SU746725A1 (en) | 1978-05-15 | 1978-05-15 | Storage |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU746725A1 (en) |
-
1978
- 1978-05-15 SU SU782615504A patent/SU746725A1/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US2717372A (en) | Ferroelectric storage device and circuit | |
EP0111868A3 (en) | A memory system for storing analog information | |
GB719288A (en) | Improvements in or relating to ferroelectric memory elements and circuits therefor | |
KR920008753A (en) | Semiconductor memory | |
Anderson | Ferroelectric storage elements for digital computers and switching systems | |
GB1233912A (en) | ||
US3733590A (en) | Optimum electrode configuration ceramic memories with ceramic motor element and mechanical damping | |
SU746725A1 (en) | Storage | |
US2924814A (en) | Storage devices | |
ES457351A1 (en) | Capacitor storage memory | |
ES472351A1 (en) | Electromechanical transducer for relief display panel | |
US3798619A (en) | Piezoelectric transducer memory with non-destructive read out | |
SU752474A1 (en) | Memory store | |
EP0285125A3 (en) | Semiconductor memory having a parallel input/output circuit | |
US3537079A (en) | Ferroelectric storage device | |
SU842970A1 (en) | Analogue storage device | |
SU1030853A1 (en) | Ferroelectronic information-accumulating device | |
US3460103A (en) | Ferroelectric memory device | |
SU739652A1 (en) | Storage member for read only memory | |
SU368648A1 (en) | ||
SU427378A1 (en) | MATRIX RECORDER DEVICE | |
SU488257A1 (en) | Memory device | |
SU1014034A1 (en) | Ferroelectric information storage | |
SU501420A1 (en) | Method of reading information from a piezotransformer storage element | |
SU1427423A2 (en) | Analog storage |