(54) СПОСОБ КОНТАКТНОГО КОПИРОВАНИЯ Изобретение относитс к электрографии и может быть использовано дл раэмножени микрофиш, микрофильмов и т. п., выполненных на электрографических фотополупроводниковых носител х (ЭФН). Известен способ контактного копировани с прозрачного оригинала на электрофотографический материал с провод щим подслоем. По этому способу между оригиналом и ЭФН во врем экспонировани введена п о зрачна диэлектрическа плёнка При контактном экспонировании ЭФН и оригинал должны быть прижаты друг к другу с целью получени минимального зазора. При этом случайные пылинки.и др. загр знени , попадающие в зазор, вдавливаютс в ЭФН, ди электрическую пленку и оригинал. На вводимой в зазор пленке возникающие углублени , риски, царапины довольно быстро накапливаютс .и привод т к по влению дефектов на копии. Повышенма дефектность особенно заметна , при копировании микроизображений с высотой символов 50-150 мкм. Это приводит к необходимости частой замены пленки и установке соотвётстИЗОБРАЖЕНИЙ вующего механизма смены пленки в аппаратах копиров.ани , что усложн ет и удорожает аппараты и.их техническое обслуживание. Другой недостаток введени пленки заключаетс в уменьшении-разрешающей способности из-за наличи зазора между ЭФН и оригиналом. Цель изобретени - повышение качества копируемого изображени и удешевление процесса контактного копировани . Указанна цель достигаетс тем, что во врем экспонировани осуществл ют непосредственный контакт между оригиналом и фотополупроводниковым слоем носител . , сущность изобретени заключаетс в исключении нерегул рного переноса электрического зар да между оригиналом и ЭФН путем введени диэлектрической пленки в места контакта оригинала с токопровод щими участками носител . Способ включает зар дку ЭФН, введение диэлектрической пленки в места контакта оригинала с токопровод щими участками носител , прижим . ЭФН и оригинала, экспонирование. разъединение ЭФН и оригинала, про вление ЭФН и при необходимости закрепление про вленного изображени ЭФН состоит и.з пленочной основы, на которую нанесен токопровод щий по слой. Поверх находитс фотополупроводник , который не полностью перекрь (вает токопровод щий подслой. Обычно пленочную основу вьаполн ют из лавсана толщиной 75-300 мкм, а токопровод щий подслой нанос т напылением в вакууме никел или платины слоем в несколько ангстрем;. В качестве фотополупроводника используют прливинилкарбазол, полиэпоксипропилкарбазол и др. с сенсибилизи рующими и пластифицирующими добавками . Толщина фотополупроводника 2-8мк Зар дка ЭФН -производитс обычным скоротроном с коронирующимИ пройолочками , на которые подаетс напр лсение в несколько киловольт.. При это провод ща основа ЭФН заземл етс . Зар женный,ЭФН прижимаетс к оригиналу. Прижим осуществл етс механически вакуумным присосом и. т. п Перед прижимом ввод т-в зазор или предварительно нанос т на оригинал диэлектрическую пленку, котора , перекрывает токопровод щие участки носител . За счет деформации пленочной основы ЭФН в рабочем поле воздушный зазор минимален и фо тополупроводниковый носитель и оригинал прилегают друг к другу. .Плотное контактирование поверхностей требуетс дл получени максимальной разрешающей способности. Исключение диэлектрической пле ки во. врем контактного экспонирова ни .невозможно, как без нее про вод щие основы ЭФН й| оригинала замы каютс друг с другом. В результате образуютс плоск;ий конденсатор с дву м замкнутыми обкладками, между ко торыми расположен зар д на поверхности .ЭФН. Этот .зар д индуДйрует в обкладках соответствующие наведенные зар ды. Суммарное поле всех зар до оказываетс весьма Значитёльньом , особенно в малом воздушном зазоре между оригиналом и ЭФН. Возду ный промежуток в отдельных местах пробива.етс электрическим полем и пр исходит нерегул рный перенос зар дов приводит к неравномерности скрытого электростатического изображени и, как следствие, к п тнам, дефектам разкштию и т. п. на про вленной копии .. В тоЖе врем отказатьс от про вод щих дорожек невозможно, так как они нужна Дл надежного заземлени , токопровод щего подсло ЭФН при за-р дке . .. По предлагаемому способу основы ЭФН и оригинала не соединены и электрическое поле поверхностного зар да сосредоточено в фотополупроводнике ЭФН и не перераспредел етс в воздушный промежуток. Экспонирование производ т направленным потоком свеТа со стороны оригинала . Непрозрачные элементы изображени не пропускают к фотополупроводнику ЭФН и поэтому в этих местах сохран етс начальный зар д. В остальных местах за счет фотопроводимости зар ды стекают на токопровод щий подслой. Таким образом на ЭФН формируе с скрытое электростатическое изображение. Далее свет выключают и производ т разъединение. Диэлектрическую пленку оставл ют на оригинале или убирают. Загот.овку со скрытым электростатическим изображением про вл ют обычным методом, смачива ее поверхность жидким электрографическим про вителем . Затем этот про витель сливают, остатки высушивают и получают готовую копию. Дл надежности диэлектрическую пленку устанавливают несколько больших размеров,чем токопровод щие до-, рожки. Диэлектрические прокладки изготавливают из прозрачного материала лавсана толщиной 5-100 мкм. Дл введени диэлектрической пленки между оригиналом и токопрово-. д щими участками носител используют прозрачную лавсановую пленку толщиной 5-100 мкм. Более тонкий лавсанне удобен практически,а. более толстый прив.бдит к слишком большим деформаци м подложки ЭФН.Диэлектрическую пленку предварительно нанос т на оригинал, например с помощью лакового раствора. В качестве пленкообразующего вещества используют поливинилбутираль, создающий на оригинале прозрачную достаточно твердую диэлектрическую пленку. По предлагаемому способу требуетс меньшее к.оличестводиэлектрической пленки иболее редка ее замена, что удешевл ет процесс копировани . Экспериментальную проверку способа провод т на электрофотографических микрофиш.ах стандартного размера 105х . х148 мм. Оригиналмикрофиши получают МикрофилЁмироданием бумажных оригиналов с 21 уменьшением. Элёктрофотографическа , микрофиша вдоль своих длинных сторон имеет то; копровод щиеучастки шириной 1-1,5 мм. Заготовку зар жают до потенциала 200-250 В и. затем зажимают совместно с оригиналом между двум плоскими стекл нными поверхност ми. Перёд этим на оригинал мик.рофиши накладывают лавсановые полоски толщиной 5100 мкм и перекрывают кра микрофиши- оригинала вдоль токрпровод щих участков . В другом варианте на микрофишу-оригинал нанос т из раствора пленку поливинилбутирал толщиной -3 мкм. Экспонирование производ т лампойКП«127-100 в течение 3-5 с. Затем заготовку отдел ют от оригинала. Про вление производ т перемещением заготовки относительно менискового устройства про влени . Используют жидкий сажевый про витель на основе фреона-113 ,концентраци тонера 5-8 г/дц.(54) CONTACT COPY METHOD The invention relates to electrography and can be used for the multiplication of microfiches, microfilms, etc., performed on electrographic photo semiconductor media (EFN). A known method of contact copying from a transparent original onto an electrophotographic material with a conductive underlayer. According to this method, a transparent dielectric film was introduced between the original and EFN. During exposure, the EFN and the original should be pressed together in order to obtain a minimum gap. At the same time, random dust particles and other contaminants entering the gap are pressed into the EFN, the dielectric film and the original. On the film introduced into the gap, the arising recesses, risks, scratches rather quickly accumulate and lead to the appearance of defects on the copy. Increased defectiveness is especially noticeable when copying micro images with a height of 50-150 microns. This leads to the need for frequent replacement of the film and the installation of appropriate IMAGES of the existing mechanism for changing the film in the copiers, which complicates and increases the cost of the apparatus and their maintenance. Another disadvantage of film insertion is the reduced resolution due to the presence of a gap between the EGF and the original. The purpose of the invention is to improve the quality of the copied image and reduce the cost of the contact copying process. This goal is achieved by direct contact between the original and the photo-semiconductor carrier layer during the exposure. The essence of the invention is to exclude the irregular transfer of electric charge between the original and EFN by introducing a dielectric film at the points of contact of the original with the conductive parts of the carrier. The method includes charging EFN, inserting a dielectric film at the places of contact of the original with the conductive parts of the carrier, and pressing. EFN and the original exposure. separation of the EFN and the original, the appearance of the EFN and, if necessary, the fastening of the developed image of the EFN consists of the film base on which the conductive layer is applied. There is a photosemiconductor overhead that does not completely cross the conductive sublayer. Usually, the base film is made of lavsan 75-300 µm thick, and the conductive sublayer is applied by vacuum deposition of nickel or platinum with a layer of a few angstroms. , polyepoxypropylcarbazole and others with sensitizing and plasticizing additives. The thickness of the photosemiconductor is 2-8 microns. The EGF charge is produced by a conventional scorotron with a corona and pro-fuel, which is fed a few kilovolts direction. When this conductive base of EHF is grounded. Charged, EGF is pressed to the original. The clamp is mechanically suctioned by a vacuum suction device. Before the clamp is inserted into the gap or the dielectric film is preliminarily applied to the original. which, due to the deformation of the film base of the ESP in the working field, minimizes the air gap and the semi-semiconductor carrier and the original are adjacent to each other. Tight contacting of surfaces is required for maximum resolution. Exclusion of the dielectric array in. the time of contact exposure is not possible, as without it the conducting bases of EFNs y | original closes with each other. As a result, a flat capacitor with two closed plates is formed, between which the charge on the surface of the EFN is located. This charge induces in the plates the corresponding induced charges. The total field of all charges is very significant, especially in the small air gap between the original and EFN. The air gap in the individual points of the breakdown by the electric field and the irregular transfer of charges occurs leads to unevenness of the latent electrostatic image and, as a result, to spots, defects to the development, etc., on the developed copy .. Also time It is impossible to refuse conductive tracks, since they are necessary for reliable earthing, conductive sublayer of EFN during charging. .. According to the proposed method, the basics of the EFN and the original are not connected and the electric field of the surface charge is concentrated in the photoconductor of the EFN and is not redistributed into the air gap. Exposure is made by a directed stream of light from the original. The opaque elements of the image do not pass the EGS to the photoconductor and, therefore, the initial charge is preserved in these places. In other places, due to the photoconductivity, the charges flow to the conductive sublayer. Thus, in EFN form a latent electrostatic image. The light is then turned off and disconnected. The dielectric film is left on the original or removed. A crocheted electrostatic image is developed by a conventional method, wetting its surface with a liquid electrographic developer. Then this vendor is drained, the remains are dried and a finished copy is obtained. For reliability, the dielectric film is installed in several larger sizes than conductive plates. Dielectric pads are made of transparent lavsan material with a thickness of 5-100 microns. To introduce a dielectric film between the original and the conductor. Transparent lavsan film with a thickness of 5-100 microns is used in these sections of the carrier. A thinner lavsanna is convenient practically as well. a thicker one leads to too large deformations of the EFN substrate. The dielectric film is preliminarily applied to the original, for example, with a lacquer solution. Polyvinyl butyral is used as a film-forming substance, which creates a transparent enough solid dielectric film on the original. According to the proposed method, less than the amount of a dielectric film is required and its replacement is more rare, which reduces the cost of the copying process. Experimental verification of the method was carried out on electrophotographic microfiches of standard size 105x. x148 mm. Original microfiches are obtained by microfilming of paper originals with 21 decreases. Electrotechnical, fiche along its long sides has one; copying areas 1-1.5 mm wide. The billet is charged to a potential of 200-250 V and. then clamped together with the original between two flat glass surfaces. By this, on the original microfilm, lavsan strips with a thickness of 5100 µm are superimposed and overlap the edges of the original microfiche along the conductive areas. In another embodiment, a polyvinyl butyral film with a thickness of -3 microns is applied to the original microfiche from a solution. Exposure is made by the lamp "127-100 within 3-5 s. Then the blank is separated from the original. The development is performed by moving the workpiece relative to the meniscus appearance device. Freon-113 liquid carbon black promoter is used, the toner concentration is 5-8 g / dz.