(54) НЕЙРИСТСР
Изобретение относитс к нейристорной геэснике и может быть использовано в ус-р ройствах вычислительной техники, в автоматике и оптоэлектронике. Известен ней- ристор, содержащий параллельно включенные чейки из последовательно соединенных лазера, фотодиода и фоторезистора l. Также известен нейристор, содержащий параллельно включенные чейки приборов с S -образной характеристикой 2J Известные схемы имеют узкие функцису нальные возможности. Целью изобретени вл етс расширение функциональных возможностей; Цель достигаетс тем, что в нейристор содержащий Гпараллельно включенные чейки приборов с S-образной характеристикой , введены оптроны, причем последовательно с каждым прибором с S-образной характеристикой включены светоизлучан щий элемент одного оптрона и фоточувст вительный элемент другого оптрона, свето излучающий элемент которого включен в к предьтдущей чейке. На фиг. 1 приведена принципиальна электрическа схема нейристора: фоточувс- вительный элемент 1, светоизлучающий элемент 2, приборы с S-образной характеристикой 3, источник питани 4; на фиг. 2 - вольтамперна характеристика с нагрузочными пр мыми. Нейристор работает следующим образом . При подаче на нход устройства импульсов с длительностью, большей дштельнооти нейристорного импульса, после включени прибора с S -образной характеристикой 3, он останетс в низкоомном состо нии в течение всего времени действи входного импульса; соответственно, в течение этого времени светоизлучающий элемент 2 будет излучать свет, что приведет к переводу прибора с S -образной характеристикой 3 во включенное состо ние, получению светоизлучающих элементов 2 и т.д. Раосто ние , на которое распространитс фронт зоны возбуждени и, соответственно, излучени при открытых оптронах определ етс 374 длительностью входного импульса и временем выключени каждой чеШси от,заш1его фронта входного импульса. При равенстве времен включени и выключени чейки в целом, вдоль неГфисто™. ра может распростран тьс нейристорный импульс и, соответственно, свпт ща .с область, с длительностью и размерами, равной и пропорциональными даительнос™ ти нходавго импульса. При времени выключени чейки, много меньшем времени включени ее, число включеьшых чеек будет пропорционально: . длительности вхошюго импульса и, соответственно , длина свет щегос столбика будет пропорциональна длительности . входного импульса при открытых оптронах. При импульсном напр жении питани с амплитудой импульса Е и положении лиПИИ нагрузки в исходном состо нии 3 и при подаче на вход импульса запуска одновременно с подачей импульса питани , вдоль }1ейристора будет распростран тьс зона воэбуждени и, соответственно, свет щийс - столбик, длительность и длина которых пропорциональна длительности импульса питани . При выполнении оптронов открытыми дл тжода излучени вог можно управление временами включени и выключени чеек, т,е скоростью распространени нейристорного им пульса или (зронта зоны возбуждени , атшсже амплитудой нейристорного импульса при подаче внеш)1ей подсветки за счет изменени сопротивлен)Ш (юточ.увствительных элементов оптронов и пололшни линии нагрузки, что приведет к изменению тока дозар шси собственной емкости фоточувствительных элементов, про1 екающего через светоизлу- чающие элементы, протекающего через све тоизл -чшощие элемепты и к измененшо интенсивности их излучени . того, возмож1Пз1 различ1Ш1е комбинации вышеузсазанных режимов. Предло к:енное устройство может быть реализовано как в дискретном, так ив микроэлектронном исполнении. При источнике нитани посто нного напр жени амплитудой Е и пересечении В АХ линией нагрузки в положении 2 (фга-. 2), а также при длительности импульса запуска меньшей длительности ней эисторнО го импульса, реализуетс релшм самопроизвольного распространени не фистор-него импульса. При подаче элек1тэического импульса запуска на прибор с S-образ ной характеристшсой 3 или светового импульса на фотОчувствитольшзТЙ элемент 1, 2 достаточного дл уменьшени его сопротивени до перевода линии нагрузки в пололсение 4 прибор с S -образной характернотикой 3 переключитс в низкоомноесосто 1ие . Начнетс зар д собственной емкости фоточувствительного элемента 1, в результате чего будет уменьшатьс напр жение на приборе с S -образной характеристикой 3 до величишы, при которой ток через него станет равшлм току выключени . Прибор с S-образной характеристикой 3 выключитс . Начнетс разр д собственной емкости фоточувствительного элемента 1 на его сопротивление, в результате чего повышаетс напр жение на приборе с S -образной характеристикой 3, подготавлива его к новому циклу запуска. При протекании тока через светоизл5т 1а{ощий элемент 2 во врем нахождени прибора с S -образной характеристикой 3 в низкоомном состо нии элемент 2 излучает свет, который падает на фоточувствительный элемент 1 данного отрона. Парамеары оптрона выбираютс такими, чтобы обеспечить перевод линии нагрз зки чейки в положение 4. . При этом включитс прибор с S -образной характеристикой 3. Начнетс зар д---собст венной емкости фоточувствите ьного зле- мента 1 и т.д. В случае выполнени оптронов открытыми дл выхода излучени , ош1овременно с распространением нейристорного импульса , вдоль него будет распростран тьс свет щеес п тно, обусловленное выходом , части излучени . Ф о р N5 у л а изобретени HeiipHCTOp, содержащий параллельно вклк ченные приборов с S -образной хвграктеристикой , отличают и и с тем, что, с целью расширени функциональных возможностей, в него введеиь онтро- ны, причем последовательно с каждым прибором с S -образиой характеристикой включены светоизлучающий элемент одного опт рона и фоточувствительный элемент другого оптрона, светоизлучающий элемент которого включен в предыдущей чейке. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1.Бузанов Л. К, и др. Полупроводниковые фотоприемники. Энерги , М., 1976, с. 49, рис. 31. 2.Журнал ТИРИ 1962, т. 50, № Ю, с. 209О (прототип).
Фиг.2
E Ч