SU735101A1 - Кристалл-монохроматор тепловых нейтронов - Google Patents
Кристалл-монохроматор тепловых нейтронов Download PDFInfo
- Publication number
- SU735101A1 SU735101A1 SU782710750A SU2710750A SU735101A1 SU 735101 A1 SU735101 A1 SU 735101A1 SU 782710750 A SU782710750 A SU 782710750A SU 2710750 A SU2710750 A SU 2710750A SU 735101 A1 SU735101 A1 SU 735101A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- crystal
- thermal
- thermal neutron
- silicon
- monochromator
- Prior art date
Links
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
ные решетки, незначительно отличаютс
о
друг от друга (-5,65 А дл германи и
О
- 5,45 А дл кремни ), что позвол ет регулировать структурное совершество твердого раствора изменением концентрации кремни и его распределени по кристаллу.
Однако заметны изменени в структуре кристаллов твердого раствора Ge-Si, т. е. возникновение блоков мозаики, по вл етс лишь при минимальной концентрации кремни на одной из отражаюш,их поверхностей 2,5 ат. %. Существование градиента концентрации кремни по толщине кристалла приводит к увеличению напр жени в решетке германи и изменению посто нной кристаллической решетки вдоль направлени градиента концентрации кремни .
При концентрации кремни на отражающей поверхности выше 8 ат. % не удалось вырастить монокристалл твердого раствора. Получающиес поликристаллы . непригодны дл использовани в качестве кристаллов-монохроматоров тепловых нейтронов , так как дают рассе ние, характерное дл ди|фракции тепловых.нейтронов,на поликристалле . Увеличение градиента концентрации кремни свыше 9,5 ат. %/см также приводит к тому, что выращекный кристалл имеет сильно разориентированную ноликристаллическую структуру и непригоден к использованию в качестве кристалла-монохроматора тепловых нейтронов. При градиенте же концентрации кремни меньше 3 ат. %/см крива качани кристалловмонохроматоров имеет малую полуширину, и следовательно, низкий интегральный коэффициент отражени тепловых нейтронов даже на кристаллах с минимальным содержанием кремни на одной из отражающих поверхностей до 8 ат. %.
На фиг. I приведены кривые качани дл прототипа (а) и дл за вл емого .кристалла-монохроматора (б); на фиг. 2 - схемка устройства, по сн юща его работу.
Интегральный коэффициент отражени твпл01вых мейтронов на иривой 6 больше, чем на кривой а за счет увеличени пикового коэффициента отражени тепловых нейтронов в 2-2,5 раза при сохранении -используемой обычно полуширины кривой качани в диапазоне 10-18.
Кристалл-монохроматор представл ет собой монокристалл на основе германи со средним градиентом концентрации кремни 3,0-9,5 ат. %/см и с концентрацией
кремни на одной из отражающих поверхностей 2,5-8,0 ат. %.
При попадании пучка тепловых нейтронов (фиг. 2) из активной зоны реактора 1 на кристалл-монохроматор 2 происходит дифракци нейтронной волны на кристаллемонохроматоре , в результате чего нейтроны, падающие под углом Брэгга ОБ, соответствующим уравнению:
2d sin О Б
где d - посто нна рещетки кристалламонохроматора;
Я- - длина волны тепловых нейтронов; п - пор док отражени . Происходит моиохроматизаци «белого пучка тепловых нейтронов, идущего из реактора. Полученный монохроматический
п)чок тепловых нейтронов направл етс на исследуемый объект 3. В зависимости от конкретной физической задачи могут измер тьс параметры рассе ни тепловых нейтронов на объекте 3 с помощью детектора
тепловых нейтронов 4.
В вьшолнеином HaiMH .кристалле-моиохроматоре тепловых нейтронов на основе германи средний градиент концентрации кремни составл ет 5 ат. %/см при концентрации кремни на отражающей поверхности 3 ат. %.
Предлагаемый кристалл-монохроматор тепловых нейтронов позвол ет увеличить интегральный коэффициент отражени тепловых нейтронов по сравнению с прототипом почти в 3 раза (фиг. 1) при сохранении высокой монохроматичности дифрагированного пучка тепловых нейтронов при полуширине кривой качани 10-12 угловых .мин. Измерени бьши п;р01ведвны на двукристальном спектрометре, в котором первый кристалл - идеально соверщеиный Ge монохроматор, а второй - исследуемый,
о
Длина волны нейтронов Л 1,52 А.
Claims (1)
- Формула изобретециКристалл-монохроматор тепловых нейтронов на основе германи с нарущенной кристаллической решеткой, отличающийс тем, что, с целью повышени интегрального значени коэффициента отражени тепловых нейтронов, он выполнен со средним градиентом концентрации кремни 3,0-9,5 ат. %/см и с концентрацией кремни на одной изотражающих поверхностей 2,5-8,0 ат. %.-20-15-10-5 В 5 to ,52025а
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU782710750A SU735101A1 (ru) | 1978-12-15 | 1978-12-15 | Кристалл-монохроматор тепловых нейтронов |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU782710750A SU735101A1 (ru) | 1978-12-15 | 1978-12-15 | Кристалл-монохроматор тепловых нейтронов |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU735101A1 true SU735101A1 (ru) | 1981-12-15 |
Family
ID=20804382
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU782710750A SU735101A1 (ru) | 1978-12-15 | 1978-12-15 | Кристалл-монохроматор тепловых нейтронов |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU735101A1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011108974A1 (en) * | 2010-03-01 | 2011-09-09 | Westinghouse Electric Sweden Ab | A reactor component |
WO2011108973A1 (en) * | 2010-03-01 | 2011-09-09 | Westinghouse Electric Sweden Ab | A neutron absorbing component and a method for producing of a neutron absorbing component |
-
1978
- 1978-12-15 SU SU782710750A patent/SU735101A1/ru active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011108974A1 (en) * | 2010-03-01 | 2011-09-09 | Westinghouse Electric Sweden Ab | A reactor component |
WO2011108973A1 (en) * | 2010-03-01 | 2011-09-09 | Westinghouse Electric Sweden Ab | A neutron absorbing component and a method for producing of a neutron absorbing component |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Hirsch et al. | Intensity of x-ray reflexion from perfect and mosaic absorbing crystals | |
Buras et al. | Relations between integrated intensities in crystal diffraction methods for X-rays and neutrons | |
Weertman | Helical dislocations | |
De Yoreo et al. | Sources of optical distortion in rapidly grown crystals of KH2PO4 | |
El-Shair et al. | Optical properties of Sb2Se3 thin films | |
Spencer et al. | Defects in synthetic quartz | |
SU735101A1 (ru) | Кристалл-монохроматор тепловых нейтронов | |
Batterman | X‐Ray Integrated Intensity of Germanium Effect of Dislocations and Chemical Impurities | |
Kulda et al. | Elastically bent silicon monochromator and analyzer on a TAS instrument | |
Bradler et al. | Use of the Ewald sphere in aligning crystal pairs to produce X-ray moiré fringes | |
Toledano et al. | Soft acoustic mode in ferroelastic lanthanum pentaphosphate | |
Lei et al. | Low-angle boundaries in ZnGeP2 single crystals | |
Afanas' ev et al. | Diffraction scattering at angles far from the Bragg angle and the structure of thin subsurface layers | |
Tanner et al. | X-ray double crystal diffractometry of multiple and very thin heteroepitaxial layers | |
Kikuta | Determination of structure factors of X‐rays using half‐widths of the Bragg diffraction curves from perfect single crystals | |
Areshkin et al. | On concentration dependences of the band parameters in AIIBVI solid solutions with structural phase transitions | |
Bastie et al. | γ-ray diffractometry for the study of ferroelastic crystals: Application to KH2PO4 | |
Matsui et al. | X-ray study of LEC-grown InP crystals | |
US3446961A (en) | X-ray interferometer using three spaced parallel crystals | |
Parratt et al. | X‐Ray Absorption Coefficients and Geometrical Collimation of the Beam | |
Rajesh et al. | Effect of the purity of starting materials on the growth and properties of potassium dihydrogen phosphate single crystals–A comparative study | |
Nittono et al. | An X-ray double-crystal method utilizing non-parallel setting for measuring local lattice mismatches between epitaxial films and substrates | |
Chu et al. | Bragg case X-ray Moiré patterns observed in GaAlAs/GaAs laser structures | |
Shyamprasad et al. | Thickness dependence of photoconductivity in tellurium | |
Mook et al. | Transmission optical device to produce intense polarized neutron beams |