SU735101A1 - Кристалл-монохроматор тепловых нейтронов - Google Patents

Кристалл-монохроматор тепловых нейтронов Download PDF

Info

Publication number
SU735101A1
SU735101A1 SU782710750A SU2710750A SU735101A1 SU 735101 A1 SU735101 A1 SU 735101A1 SU 782710750 A SU782710750 A SU 782710750A SU 2710750 A SU2710750 A SU 2710750A SU 735101 A1 SU735101 A1 SU 735101A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
crystal
thermal
thermal neutron
silicon
monochromator
Prior art date
Application number
SU782710750A
Other languages
English (en)
Inventor
М.Л. Кожух
И.Н. Белокурова
С.Б. Вахрущев
В.С. Земсков
В.А. Трунов
Original Assignee
Ордена Ленина физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ордена Ленина физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе filed Critical Ордена Ленина физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе
Priority to SU782710750A priority Critical patent/SU735101A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU735101A1 publication Critical patent/SU735101A1/ru

Links

Landscapes

  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Description

ные решетки, незначительно отличаютс 
о
друг от друга (-5,65 А дл  германи  и
О
- 5,45 А дл  кремни ), что позвол ет регулировать структурное совершество твердого раствора изменением концентрации кремни  и его распределени  по кристаллу.
Однако заметны изменени  в структуре кристаллов твердого раствора Ge-Si, т. е. возникновение блоков мозаики, по вл етс  лишь при минимальной концентрации кремни  на одной из отражаюш,их поверхностей 2,5 ат. %. Существование градиента концентрации кремни  по толщине кристалла приводит к увеличению напр жени  в решетке германи  и изменению посто нной кристаллической решетки вдоль направлени  градиента концентрации кремни .
При концентрации кремни  на отражающей поверхности выше 8 ат. % не удалось вырастить монокристалл твердого раствора. Получающиес  поликристаллы . непригодны дл  использовани  в качестве кристаллов-монохроматоров тепловых нейтронов , так как дают рассе ние, характерное дл  ди|фракции тепловых.нейтронов,на поликристалле . Увеличение градиента концентрации кремни  свыше 9,5 ат. %/см также приводит к тому, что выращекный кристалл имеет сильно разориентированную ноликристаллическую структуру и непригоден к использованию в качестве кристалла-монохроматора тепловых нейтронов. При градиенте же концентрации кремни  меньше 3 ат. %/см крива  качани  кристалловмонохроматоров имеет малую полуширину, и следовательно, низкий интегральный коэффициент отражени  тепловых нейтронов даже на кристаллах с минимальным содержанием кремни  на одной из отражающих поверхностей до 8 ат. %.
На фиг. I приведены кривые качани  дл  прототипа (а) и дл  за вл емого .кристалла-монохроматора (б); на фиг. 2 - схемка устройства, по сн юща  его работу.
Интегральный коэффициент отражени  твпл01вых мейтронов на иривой 6 больше, чем на кривой а за счет увеличени  пикового коэффициента отражени  тепловых нейтронов в 2-2,5 раза при сохранении -используемой обычно полуширины кривой качани  в диапазоне 10-18.
Кристалл-монохроматор представл ет собой монокристалл на основе германи  со средним градиентом концентрации кремни  3,0-9,5 ат. %/см и с концентрацией
кремни  на одной из отражающих поверхностей 2,5-8,0 ат. %.
При попадании пучка тепловых нейтронов (фиг. 2) из активной зоны реактора 1 на кристалл-монохроматор 2 происходит дифракци  нейтронной волны на кристаллемонохроматоре , в результате чего нейтроны, падающие под углом Брэгга ОБ, соответствующим уравнению:
2d sin О Б
где d - посто нна  рещетки кристалламонохроматора;
Я- - длина волны тепловых нейтронов; п - пор док отражени . Происходит моиохроматизаци  «белого пучка тепловых нейтронов, идущего из реактора. Полученный монохроматический
п)чок тепловых нейтронов направл етс  на исследуемый объект 3. В зависимости от конкретной физической задачи могут измер тьс  параметры рассе ни  тепловых нейтронов на объекте 3 с помощью детектора
тепловых нейтронов 4.
В вьшолнеином HaiMH .кристалле-моиохроматоре тепловых нейтронов на основе германи  средний градиент концентрации кремни  составл ет 5 ат. %/см при концентрации кремни  на отражающей поверхности 3 ат. %.
Предлагаемый кристалл-монохроматор тепловых нейтронов позвол ет увеличить интегральный коэффициент отражени  тепловых нейтронов по сравнению с прототипом почти в 3 раза (фиг. 1) при сохранении высокой монохроматичности дифрагированного пучка тепловых нейтронов при полуширине кривой качани  10-12 угловых .мин. Измерени  бьши п;р01ведвны на двукристальном спектрометре, в котором первый кристалл - идеально соверщеиный Ge монохроматор, а второй - исследуемый,
о
Длина волны нейтронов Л 1,52 А.

Claims (1)

  1. Формула изобретеци 
    Кристалл-монохроматор тепловых нейтронов на основе германи  с нарущенной кристаллической решеткой, отличающийс  тем, что, с целью повышени  интегрального значени  коэффициента отражени  тепловых нейтронов, он выполнен со средним градиентом концентрации кремни  3,0-9,5 ат. %/см и с концентрацией кремни  на одной изотражающих поверхностей 2,5-8,0 ат. %.
    -20-15-10-5 В 5 to ,52025
    а
SU782710750A 1978-12-15 1978-12-15 Кристалл-монохроматор тепловых нейтронов SU735101A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU782710750A SU735101A1 (ru) 1978-12-15 1978-12-15 Кристалл-монохроматор тепловых нейтронов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU782710750A SU735101A1 (ru) 1978-12-15 1978-12-15 Кристалл-монохроматор тепловых нейтронов

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU735101A1 true SU735101A1 (ru) 1981-12-15

Family

ID=20804382

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU782710750A SU735101A1 (ru) 1978-12-15 1978-12-15 Кристалл-монохроматор тепловых нейтронов

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU735101A1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011108974A1 (en) * 2010-03-01 2011-09-09 Westinghouse Electric Sweden Ab A reactor component
WO2011108973A1 (en) * 2010-03-01 2011-09-09 Westinghouse Electric Sweden Ab A neutron absorbing component and a method for producing of a neutron absorbing component

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011108974A1 (en) * 2010-03-01 2011-09-09 Westinghouse Electric Sweden Ab A reactor component
WO2011108973A1 (en) * 2010-03-01 2011-09-09 Westinghouse Electric Sweden Ab A neutron absorbing component and a method for producing of a neutron absorbing component

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Hirsch et al. Intensity of x-ray reflexion from perfect and mosaic absorbing crystals
Buras et al. Relations between integrated intensities in crystal diffraction methods for X-rays and neutrons
Weertman Helical dislocations
De Yoreo et al. Sources of optical distortion in rapidly grown crystals of KH2PO4
El-Shair et al. Optical properties of Sb2Se3 thin films
Spencer et al. Defects in synthetic quartz
SU735101A1 (ru) Кристалл-монохроматор тепловых нейтронов
Batterman X‐Ray Integrated Intensity of Germanium Effect of Dislocations and Chemical Impurities
Kulda et al. Elastically bent silicon monochromator and analyzer on a TAS instrument
Bradler et al. Use of the Ewald sphere in aligning crystal pairs to produce X-ray moiré fringes
Toledano et al. Soft acoustic mode in ferroelastic lanthanum pentaphosphate
Lei et al. Low-angle boundaries in ZnGeP2 single crystals
Afanas' ev et al. Diffraction scattering at angles far from the Bragg angle and the structure of thin subsurface layers
Tanner et al. X-ray double crystal diffractometry of multiple and very thin heteroepitaxial layers
Kikuta Determination of structure factors of X‐rays using half‐widths of the Bragg diffraction curves from perfect single crystals
Areshkin et al. On concentration dependences of the band parameters in AIIBVI solid solutions with structural phase transitions
Bastie et al. γ-ray diffractometry for the study of ferroelastic crystals: Application to KH2PO4
Matsui et al. X-ray study of LEC-grown InP crystals
US3446961A (en) X-ray interferometer using three spaced parallel crystals
Parratt et al. X‐Ray Absorption Coefficients and Geometrical Collimation of the Beam
Rajesh et al. Effect of the purity of starting materials on the growth and properties of potassium dihydrogen phosphate single crystals–A comparative study
Nittono et al. An X-ray double-crystal method utilizing non-parallel setting for measuring local lattice mismatches between epitaxial films and substrates
Chu et al. Bragg case X-ray Moiré patterns observed in GaAlAs/GaAs laser structures
Shyamprasad et al. Thickness dependence of photoconductivity in tellurium
Mook et al. Transmission optical device to produce intense polarized neutron beams