SU728109A1 - Method of manufacturing protective reliefs - Google Patents
Method of manufacturing protective reliefs Download PDFInfo
- Publication number
- SU728109A1 SU728109A1 SU782613321A SU2613321A SU728109A1 SU 728109 A1 SU728109 A1 SU 728109A1 SU 782613321 A SU782613321 A SU 782613321A SU 2613321 A SU2613321 A SU 2613321A SU 728109 A1 SU728109 A1 SU 728109A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- reliefs
- dielectric
- protective
- photoresist
- foiled
- Prior art date
Links
Description
Изобретение, относитс к способу изготовлени защитных рельефов при производстве пе-. чатных плат и других аналогичных изделий фотохимическим методом.The invention relates to a method for producing protective reliefs in the production of Chat cards and other similar products by photochemical method.
Известен способ изготовлени защитных рельефов при производстве печатных плат путем удалени загр знений с поверхнос1ги фольгированного дизлектрика (обезжиривание, декапирование минеральными кислотами), нанесени на него светочувствительного сло на основе жидкого фоторезиста, например сенсибилизированного поливинилциннамата, зкспонй .ровани , про влени и термообработки светочувствительного сло 1 .A known method of making protective reliefs in the manufacture of printed circuit boards is by removing contaminants from the surface of a foiled dielectric (degreasing, pickling with mineral acids), applying a photosensitive layer based on a liquid photoresist, for example, sensitized polyvinyl cinnamate, coated, heat-treating, and treating. .
Недостатком известного способа вл етс неудовлетворительное качество защитного рельефа, вследствие мацой толщины светочувствительного сло (2-8 мкм). что приводит к искажению профил проводников и образованию дендритов металла при гальваническом наращивании 1фоводников, а также перетравам проводников при получении их путем травлени . Другим недостатком вл етс то, что использование жидкого фоторезиста затрудн етThe disadvantage of this method is the unsatisfactory quality of the protective relief, due to the thickness of the photosensitive layer (2-8 microns). which leads to a distortion of the profile of the conductors and the formation of metal dendrites during electroplating of accumulators, as well as peretravam conductors when they are obtained by etching. Another disadvantage is that the use of liquid photoresist makes it difficult
механизацию производственных процессов изготовлени нтечатных плат,, особенно гфи работе с перфорированными подложками.the mechanization of production processes for the manufacture of printed boards, especially for gf work with perforated substrates.
Наиболее бJшзким к изобретению по технической сутшгости вл етс способ изготовлени защитных рельефов на подложке из фольгированного диэлектрика путем удалени загр знений с поверхности фольгированного диэлектрика , ламиниротани на него сухого пленочного фоторезиста на основе акриловых MOHONtepoB, зкспонировани фоторезиста и про влени 2The most basic to the invention in terms of technical quality is a method of making protective reliefs on a foil-insulated substrate by removing contaminants from the surface of the foil-insulated dielectric, laminating a dry film photoresist based on MOHONtepoB acrylic on it, exposing the photoresist and making 2
Недостатком известного способа вл етс то, что тфи ламинировании сухого пленочного фоторезиста на границе светочувствительный слой - поверхность фольгированного диэлектрика образуютс воздушные включени , содержащие кислород. При дальнейшем зкспонировании фоторезиста кислород ингибирует процесс фотополимёризации на участках светочув- . ствительного сло , граничащих ;С воздушными включени ми. В результате снижаетс качества защитного рельефа - возрастает неровность кра рельефного изображени , а также пористость . Целью изобретени вл етс повышение качества защитного рельефа. Цель изобретени достигаетс т:ем, что после операции удалени загр знений на поверхность фолыированного диэлектрика нанос т состав, включающий aкpйлoвь й мономер и фотойнициатор при следующем соотнощении компонентов, вес .ч.: Акриловый мономер100 Фотоинищ атор1 - 30. Состав, наносимый на поверхность фолыированного диэлектрика, нар ду с акриловым мономером и фотоинициэтором может дополнительно содержать технологические добавки, такие как ускорители фотополимеризации, нагфимер диэтиленгликоль, добавки, регулирующие в зкость состава, например пластификаторы - триацетин, дибутилфталат и другие, растворители, например хлористый метилен, изопрошшовый спирт. В качестве акриловых мономеров могут быть использованы, главным образом, соединени , содержащие в молекуле 1-3 (мет) акрильных остатка, например моноглетакрилат этиленгликол ,тризтиленглико ьдиметакрилат, диметакрилат (бис-этиленгликоль-)-фталат, триметилолпропантриакрилат, пентазритриттриакрилат или их смеси. В качества фотоннициаторов могут быть использованы преимущественно соединени , чувствительные к УФ-иэлучению в области 250-400 нм, такие как 2-трет- бутилантрахинон , кетон Михлера, бензофенон, метиловый эфир бензоина, трихлордифенил или их смеси Применение предлагаемого способа позвол улучшить качество защитного рельефа без изменени существующей технологии их изготовлени , а также конструкции оборудовани Предлагаемый способ может использоватьс при изготовлении изделий из различных фоль гированных диэлектриков, которые могут бы перфорированными или сплошными, с двухили односторонним покрытием фольгой. Способ может бьггь реализован также при исполь зовании фольгированных диэлектриков, имею щих несплощное (локальное) покрытие фоль гой) . В качестве сухих пленочных фоторезистов могут использоватьс , главным образом, негативные фоторезисты, имеющие сухой светочувствительный слой на основе акриловы мономеров толщиной 15-150 мкм, про вителем которых вл етс метилхлороформ или водные растворы. Пример 1. Фольгированный диэлектрик , представл ющий собой диэлектрическое основание из стеклотекстолита толщиной мм с наклеенной с двух сторон медной 4 фольгой толщиной 35 мкм, дл удалени загр знений с его поверхности обрабатывают трихлорэтилеиом в течение 2 мин, затем обрабатывают 5%-ным водным раствором серной кислоты в течение I мин и подвергают дополнительной очистке вращающимис щетками из полиамидного волокна в присутствии водно-пемзовой суспензии. Заготовку с очищенной поверхностью промывают водой в течение 2 мин и сушат обдувом воздухом при 30°С в течение 5 мин. На поверхность фолыированного диэлектрика нанос т из пульверизатора следующий состав , вес.ч.: Монометакрилат этиленгликол 100 2-Трет-Бутилактрахинон1 , Заготовку с нанесенным составом устанавливают в вертикальном положении и дают возможность дл стекани избытка жидкости. Затем на поверхность фольгированного диэлектрика нанос т сухой пленочный фоторезист на основе триметилолпропантриакрилата, про вл емый 2%-ным водным раствором карбоната натри . Толщина светочувствительного сло фото- рбзиста 40 мкм. Нанесени фоторезиста производ тс с, использованием валкового ламинатора при температуре нагревательных элементов , равтюй 110°С. Скорость ламинировани 1 м/мин. Фоторезист экспонируют ртутной лампой ДРС-1000 в течение 40 с через фотошаблон, имеющий рисунок проводников с неровностью кра не более 3 мкм. Про вление фоторезиста производ т на струйной установке 2%-ным раствором карбоната натри в i течение 1 мин. Неровность кра защитного рельефа не превышает Ь 5 мкм. Защитный рельеф, изготовленный по известному способу в тех же услови х, имел неровность кра , достигающую 50 мкм. Пример 2. Защитный рельеф изготавливают , как указано в гфимере 1, но на поверхность фольгированного диэлектрика нанос т следующий состав, вес.ч.: Триэтиленгликоль диметакрилат70 Пентазритриттриакрилат 30 Метиловый эфир бензоина5 Изолропиловый спирт 300. После нанесени и стекани избытка состава фольгированньш диэлектрик выдерживают при 20С в течение 1 ч дл испарени растворител , f Изготовленный защитный рельеф имеет те же показатели, как и в примере 1.The disadvantage of this method is that the Tfi lamination of a dry film photoresist at the border of the photosensitive layer - the surface of the foiled dielectric forms air inclusions containing oxygen. With the further exposure of photoresist, oxygen inhibits the process of photopolymerization in the regions of photosensitivity. contiguous layer; with air inclusions. As a result, the quality of the protective relief decreases - the roughness of the relief image increases, as well as the porosity. The aim of the invention is to improve the quality of the protective relief. The aim of the invention is to achieve that after the operation of removing contaminants a composition comprising an acrylic monomer and a photo-initiator is applied onto the surface of a foliated dielectric at the following ratio of components, parts by weight: Acrylic monomer 100 Photo finish ator1 - 30. Composition applied to the surface of the folded the dielectric, in addition to acrylic monomer and photoinitiator, may additionally contain processing aids, such as photopolymerization accelerators, diethylene glycol naghymer, additives that regulate the viscosity of the composition, an example of plasticizers is triacetin, dibutyl phthalate and others, solvents, for example, methylene chloride, isoproxy alcohol. As acrylic monomers, mainly compounds containing 1-3 (meth) acryl residues in the molecule can be used, for example ethylene glycol monoglet acrylate, triztilenglyko dimethacrylate, dimethacrylate (bis-ethylene glycol -) - phthalate, trimethylol propane triacrylate, pentactrite, and nitrile nitrite, it can be used in acrylate. As photonicators, compounds sensitive to UV and radiation in the range of 250-400 nm can be used, such as 2-tert-butylanthraquinone, Michler's ketone, benzophenone, benzoin methyl ester, trichlorobiphenyl, or mixtures thereof The application of the proposed method allows to improve the quality of protective relief without changing the existing technology of their manufacture, as well as the design of the equipment. The proposed method can be used in the manufacture of products from various foil dielectrics that can be made ingly or solid, with a two-sided coated foil. The method can also be implemented using foiled dielectrics having an inconspicuous (local) foil coating). As dry film photoresists, mainly negative photoresists can be used, having a dry photosensitive layer based on acrylic monomers with a thickness of 15-150 microns, produced by methyl chloroform or aqueous solutions. Example 1. A foil dielectric, which is a dielectric base made of glass fiber textolite, mm thick, with a copper foil of 35 µm glued on both sides, is treated with trichlorethylene for 2 minutes to remove contaminants from its surface, then treated with 5% aqueous sulfuric solution acid for I min and subjected to additional cleaning with rotating polyamide fiber brushes in the presence of a water-pumice suspension. The billet with the cleaned surface is washed with water for 2 minutes and dried by blowing air at 30 ° C for 5 minutes. The following composition, parts by weight: ethylene glycol monomethacrylate 100 2-Tert-Butylactraquinone1, is applied to the surface of the foliated dielectric with a spray gun. The preparation with the applied composition is set in an upright position and allows excess liquid to drain. Then, a dry film photoresist based on trimethylolpropane triacrylate, manifested by a 2% aqueous solution of sodium carbonate, is applied to the surface of the foiled dielectric. The thickness of the photosensitive layer of the photo-rbzist 40 microns. Photo resist is applied using a roller laminator at a heating element temperature of 110 ° C. Laminating speed 1 m / min. The photoresist is exposed to a DRS-1000 mercury lamp for 40 s through a photomask having a pattern of conductors with an edge roughness of not more than 3 microns. The photoresist is produced on an inkjet machine with a 2% sodium carbonate solution for 1 minute. The roughness of the edge of the protective relief does not exceed 5 μm. The protective relief made by a known method under the same conditions had an edge roughness of 50 microns. Example 2. The protective relief is made as indicated in hfimer 1, but the following composition is applied to the surface of the foiled dielectric, parts by weight: Triethylene glycol dimethacrylate 70 Pentasrite triacrylate 30 Benzoin methyl ester 5 Isopropyl alcohol 300. After applying and draining the excess, the foiled dielectric is kept at 20 for 1 hour to evaporate the solvent, f. The produced protective relief has the same characteristics as in example 1.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU782613321A SU728109A1 (en) | 1978-05-04 | 1978-05-04 | Method of manufacturing protective reliefs |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU782613321A SU728109A1 (en) | 1978-05-04 | 1978-05-04 | Method of manufacturing protective reliefs |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU728109A1 true SU728109A1 (en) | 1980-04-15 |
Family
ID=20763612
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU782613321A SU728109A1 (en) | 1978-05-04 | 1978-05-04 | Method of manufacturing protective reliefs |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU728109A1 (en) |
-
1978
- 1978-05-04 SU SU782613321A patent/SU728109A1/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4069076A (en) | Liquid lamination process | |
US3645772A (en) | Process for improving bonding of a photoresist to copper | |
US4576902A (en) | Process of making and using a positive working photosensitive film resist material | |
US3796602A (en) | Process for stripping polymer masks from circuit boards | |
JPS643352B2 (en) | ||
JPS5569265A (en) | Pattern-forming method | |
US3944421A (en) | Process for simultaneous development and etch of photoresist and substrate | |
US6653055B1 (en) | Method for producing etched circuits | |
US4202703A (en) | Method of stripping photoresist | |
US3669665A (en) | Process for making resist stencils from photographic stripping films and for using same | |
JPS60208748A (en) | Photosensitive resin composition and laminate using it | |
SU728109A1 (en) | Method of manufacturing protective reliefs | |
US4447519A (en) | Solid photoresist and method of making photoresist | |
JPS61296353A (en) | Manufacture of thermally stable structured layer | |
JPH09288358A (en) | Formation of conductor circuit | |
US4259421A (en) | Improving etch-resistance of casein-based photoresist pattern | |
US3668029A (en) | Chemical machining process | |
JPS616827A (en) | Stripper of photoresist | |
JPH01263645A (en) | Photopolymerizing composition | |
US4237210A (en) | Aqueous photoresist method | |
RU2195047C2 (en) | Photoresist mask generation process | |
EP0469973A1 (en) | Method for forming relief patterns | |
JPH05198924A (en) | Pattern formation | |
JPH023982B2 (en) | ||
KR20020049218A (en) | Manufacturing method of printed circuit board using dry-film resist |