Изобретение относитс к электрой1ной промьш-шеш-юсти и- может быть использовано дл контрол параметров МОП-транзисторов и исследовани характеристик интегральных схем на их основе. Известно устройство дл измерени noporoBtJX напр жений МОП-транзисторов , содержащее источник опорного напр жени , токозадающий резистор, источник питани цепи стока испытуемого МОП-транзистора и операционный усилитель, к инвертирующему входу.ко торого подключен исток испытуемого транзистора, а к выходу - его затвор Благодар введению большого сопротив лейи токозадающего резистора в цеп стока протекает ток очень малой величины и при этом на выходе операционного усилител устанавливаетс напр жение, близкое к пороговому. Причем выходное напр жение операцио ного усилител тем ближе к порогово му, чем меньше заданный уровень тока стока 1. Однако это устройство позвол ет измер ть пороговые напр жени МОПгранзисторов только в индуцироваиньм каналом итолько в режиме насыщени Кроме того, дл получени достаточно хорошей точности измерений устройство требует применени операционных усилителей с очень высоким входным сопротивлением и большим усилением . Известно также устройство дл измерени пороговых напр жений МОПтранзисторов , содержащее источники питани стока, затвора и подложки испытуемого транзистора, фиксатор уровн тока стока, в который вход т эталонные резисторы, служащие дл его измерени , схема начального смещени , след ща система, обеспечивающа установление на затворе такого напр жени , при котором,в цепи исток-сток транзистора протекает заданное фиксатором значение тока, и индикатор, измер ющий установившеес напр жение, на затворе, соответствующее пороговому при достаточно малом значении тока 2. Это устройство более универсально, так как позвол ет измер ть че только ;пороговые напр жени транзисторов с индуцированным каналом, но и напр жени отсечки транзисторов с встроенным каналом. наиболее близким к предлагаемому вл етс устройство, которое содержит два аналоговых ключа, два аналоговых запоминающих элемента, решающее устройство, регистрирующее устройство , а также коммутируег/пдй источ ник тока стока испытуемого транзисто ра. Работа устройства основана на не пользовании известной аппроксимирующей квадратичной зависимости тока ст ка йт напр жени на затворе МОП-тран зистора в области насыщени icT Р(изатБ пор)(1) где ICT цепи исток-сток; р - посто нней коэффициент ( конструктивный параметр) напр жение на затворе; и pop - пороговое напр жение. При коммутации тока стока на зат ,воре транзистора устанавливаютс соответствующие значени напр жений. Если выбрать такие значени тока, чтобы они отмечались в 4 раза, то на затворе транзистора.устанавливаютс при этом такие напр жени , по которым легко определ етс пороговое напр жение из уравнени , которое решает несложное решающее устройство пор - - jatTBj Wв,, где - напр жение на затворе транзистора при протекании через него тока7, и - напр жение на затворе транзистора при протекании через нёгЪ тока 4 I 3J . Недостатком указанного.устройства вл етс то, что оно позвол ет измер ть только пороговые напр жени МОП-транзисторов с индицированньлм каналом, поскольку в нем нет возможности измен ть пол рность напр жени между затвором и истоком испытуемого транзистора, а также проводить эти измерени только в режиме насыщени транзистора. . Цель изобретени - расширение области применени устройства дл измерени пороговых напр жений МОПгран з исто ров . Указанна цель достигаетс тем, что в устройство, содержащее два ана логовых ключа, два аналоговых запомингиощих элемента, решающее устройст во, регистрирующее устройство, введе ны генератор низкой частоты, подключенный к затвору испытуемого транзис тора и к управл ющим входам аналоговых ключей, ИСТОЧНИКстокового напр жени , подключенный к стоку транзистора через коммутирующее устройство, выход которого соединен с решающим устройством, эталонный резистор, одним выводом соединенный с общей шиной , а другим - с истоком транзистора и инвертирующими входами двух ком параторов напр жени , к неинвертирую дим входам которых подключены два ис Точника опорных напр жений, выходк. компараторов напр жени через схемы формировани импульсов управлени соединены с аналоговыми ключами. Такое устройство позвол ет измер ть как пороговые напр жени МОПтранзисторов с индуцированным каналом , так и напр жени отсечки полевых транзисторов с встроенным каналом , причем не только в режиме насыщени , но и в ненасыщенной област, а также независимо от длины канала транзистора. На чертеже изображена блок-схема предлагаемого устройства. Устройство содержит генератор 1 низкой частоты, клеммЫ дл подключени затвора 2, стока 3 и истока 4 испытуемого транзистора, коммутирующее устройство 5, источник стокового напр жени 6, эталонный резистор 7,. источники опорного напр жени 8 и 9, компараторы напр жени 10 и 11, схемы формировани импульсов управлени 12 и 13, аналоговые ключи 14 и 15, аналоговые запоминающие элементы 16 и 17, решающее устройство 18 и регистрирующее устройство 19. Устройство работает следующим образом . Генератор низкой частоты 1 подает на затвор 2 испытуемого транзистора знакопеременное напр жение (например , синусоидальное) с большей, чем ожидаемый диапазон измер емых пороговых напр жений амплитудой. Нл сток 3 испытуемого транзистора через коммутирующее устройство 5 подаетс посто нное напр жение от источника стокового напр жени б. В цепь истока 4 включен эталонный резистор 7, на котором создаетс падение напр жени от тока, текущего через транзистор . К истоку подключены также инвертирующие входы компараторов напр жени 10 и 11, на неинвертирующие входы которых поданы опорные напр жени Uof, и UOP от источников 8 и 9. Компараторы напр жени 10 и 11 и схемы формировани импульсов управлени 12 и 13 настроены таким образом, что их срабатывание происходит по одному разу в течение периода изменени напр жени низкой частоты на затворе 2 транзистора от максимального положительного до максимального отрицательного или наоборот, в зависимости от типа проводимости канала транзистора, Причем срабатывание происходит в моменты равенства падений напр жений на эталонном резисторе 7 значени м опорных напр жений UQ и Uon Выходные импульсы схем формировани импульсов 12 и 13 открывают аналоговые ключи 14 и 15 и в течение действи этих импульсов на аналоговых запоминающих элементах 16 и 17 Происходит запоминание напр жений на затворе 2 транзистора U UjaTBz соответствующих напр жени м Uon и. Uoni Напр жени и эатва поступают .на решающееустрой ство 18,- которое вычисл ет экстрапо лированное пороговое напр жение и подает его на регистрирующее устрой ство 19, В зависимости от того, в каком р жиме (насыщенном или ненасыщенном) необходимо производить измерени ,коммутирующее устройство 5 обеспечивает соответствующий режим измерени испытуемого транзистора и одновреме но измен ет функцию, которую вычисл ет решающее устройство 18. В насыщенном режиме вычисление производитьс по формуле По сравнению с известными предлагаемое устройство имеет более широки возможности при измерении порогового напр жени или напр жени отсечки по левых транзисторов, а также создает возможность автоматизации измерени этих напр жений и других параметров транзисторов (крутизны, коэффициента вли ни подложки, подвижности носителей в канале), Формула изобретени Устройство дл измерени пороговых напр жений МОП-транзисторов, со держащее два ключа, два зaпo шнaющиx элемента, решающее устройство, регистрирующее устройство, о т л и чающеес тем, что, с целью расширени функциональных возможноетей устройства,.в него введены генератор низкой частоты, подключенный к затвору испытуемого транзистора и к управл ющим входам ключей, источник стокового напр жени , подключенный к стоку транзистора через коммутирующее устройство, выход которого соединен с решающим устройством, эталонный резистор, одним, выводом соединенный с общей шиной, а другимс истоком транзистора и инвертирующими входами двух компараторов напр жени , к неинвертирующим входам которых подключены два источника опорных напр жений, -вблходы компараторов напр жени через схемы формировани импульсов управлени соединены с ключами. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1.Грэм, Измерение параметров транзисторов с помощью схем на операционных усилител х, Электроника 1972, т, 45,№ 5, с. 45-52.