SU682948A1

SU682948A1 - Matrix storage device for optronic memory

Info

Publication number: SU682948A1
Application number: SU762398474A
Authority: SU
Inventors: Владимир Иванович Осадчий; Анатолий Яковлевич Паринский
Original assignee: Тульский Политехнический Институт
Priority date: 1976-08-16
Filing date: 1976-08-16
Publication date: 1979-08-30

Description

нение элементов считывани запоминающих элементов.reading elements of the storage elements.

Матричный накопитель помепден в колбуMatrix storage device in flask

1,внзтри которой расположены нушки 2, 3, 4 записи, стирани и считывани соответственно с узлами управлени электронным лучами. Оси пушек 2, 3, 4 лежат в одной плоскости, параллельной дну колбы и на рассто нии нескольких микрометров от него. Дно колбы нредставл ет собой диэлектрическую прозрачную пОлЧложку 5, на которой расположена матрина запоминающих элементов. Каждый запоминающий элемент (фнг. 2) содержит- слой 6 магнитотвердого материала, например алнико , и элемент 7 считывани , размещенные в углублени х 8, вынолненых в подложке 5, на поверхности которой расположена гибка нленка 9, например, на полимера с нанесенными на иее над углублени ми 8 сло ми 10 из магнитного материала с пр моугольной нетлей гистерезиса, например никел , и высокой отражающей снособностью. Элементы 7 считывани соединены носледовательно с нагрузкой (фиг. 3).1, the inside of which are nooks 2, 3, 4 of recording, erasing and reading, respectively, with electronic beam control nodes. The axes of the guns 2, 3, 4 lie in the same plane parallel to the bottom of the bulb and at a distance of several micrometers from it. The bottom of the flask is a dielectric transparent cap 5, on which the matrix of storage elements is located. Each storage element (FNG. 2) contains a layer 6 of a magnetically hard material, such as alnico, and a read element 7 placed in the recesses 8, made in the substrate 5, on the surface of which there is a flexible film 9, for example, on a polymer coated with above the depressions 8 by layers 10 of magnetic material with a rectangular net glue hysteresis, such as nickel, and high reflectivity. The readout elements 7 are connected in series with the load (FIG. 3).

На внутреннюю поверхность колбы нанесен аквадаг 11. Передн поверхность колбы покрыта антиотражающим покрытием 12. Дно колбы со стороны запоминающих элементов освещено когерентным пол ризованным световым нучком 13. Отраженный пучок 14, несущий изображение в внде фазового распределени фронта пучка , может носле коррел ционной (голографической ) обработки проецироватьс на экран. В комплект устройства может входить магнитное перо 15.Aquadag 11 is applied to the inner surface of the bulb. processing is projected onto the screen. The device may include a magnetic pen 15.

Устройство работает следующим образом .The device works as follows.

В исходном ноложении за счет начального намагничивани слоев 6 и 10 пленка 9 вогнута внутрь элемента, что соответствует в двоичной системе нулевому состо нию элемента (фиг. 2,а).In the initial position due to the initial magnetization of layers 6 and 10, the film 9 is concave inside the element, which corresponds in the binary system to the zero state of the element (Fig. 2, a).

В режиме записи виртуальна рамка, образованна электронными лучами пущекIn the recording mode, a virtual frame formed by electron beams of shots

2,3, 4, скарн1рует параллельно плоскости матрицы запоминающих элементов н локально перемагничивает пленку. За счет магнитных сил отталкивани сло ми 6 и 10 пленка 9 занимает выпуклое положение над элементом, что соответствует в двоичной системе единичному состо нию запоминающего элемента (фиг. 2,6). Материал сло 6 выбран таким, чтобы его коэрцитивна сила была много больще коэрцитивной силы материала сло 10. В соответствии с заданным кодом адреса л а матрице формируетс пространственный рельеф записанной информации. Одновременно записанную информацию оператор наблюдает в отраженном световом пучке 14 за счет фазовой модул ции локальных лучей , отраженных от запоминающих элементов .2, 3, 4, scars parallel to the plane of the matrix of storage elements and locally remagnetizes the film. Due to the magnetic repulsive forces of the layers 6 and 10, the film 9 occupies a convex position over the element, which in the binary system corresponds to the unit state of the storage element (Fig. 2.6). The material of layer 6 is chosen so that its coercive force is much greater than the coercive force of the material of layer 10. In accordance with the given address code, the spatial relief of the recorded information is formed in the matrix. At the same time, the operator observes the recorded information in the reflected light beam 14 due to the phase modulation of the local rays reflected from the storage elements.

В режиме считывани виртуальна рамка , образованна электронными лучами пушек 2, 3, 4, сканирует параллельно плоскости матрицы запоминающих элементов и локально перемагиичивает слой 10. При этом предварительно провод т ком.мутацию электронных лучей в пространстве, тем самым измен ют нанравление магнитного пол рамки. За счет .магнитных сил прит гивани между сло ми 6 и 10 пленка 9 переходит в нижнее нулевое положение, если предыдущее состо ние было единичным, нIn the read mode, a virtual frame formed by the electron beams of the guns 2, 3, 4 scans parallel to the matrix plane of the storage elements and locally remakes the layer 10. At the same time, the electron rays are mutated in space, thereby changing the magnetic field pattern of the frame. Due to the magnetic attraction forces between layers 6 and 10, the film 9 goes to the lower zero position if the previous state was single,

не мен ет своего состо ни , если оно было нулевым. При переходе в нижнее состо ние в элементе 7 наводитс ЭДС, котора вызывает ток в нагрузке. Паличие или отсутствие сигнала в нагрузке соответствует условной единице или нулю информации. Врем сохранени изображени не ограничено . Однако считывание происходит с разрушением ииформации. По истечении цикла считывани заномииающие элементыdoes not change its state if it was zero. In the transition to the lower state, an emf is induced in the element 7, which causes a current in the load. Palichi or absence of a signal in the load corresponds to the conventional unit or zero information. Image retention time is unlimited. However, reading occurs with the destruction of the information. After the read cycle has expired

нодготовлены к заниси.but prepared to take care.

Дл онеративного изменени информации запоминающего элемента может быть применено магнитное перо 15, представл ющее собой дроссель с разомкнутым сердечником .For an operative change of information of the storage element, a magnetic pen 15 can be used, which is an open-circuit core choke.

Выполнение накопител в виде матрицы запоминающих элементов, каждый из которых содержит слой магнитотвердого материала и элемент считывани , размещенные в углублени х, вынолненных в диэлектрической нрозрачной подложке, на поверхности которой расположена гибка пленка с нанесенными на нее над углублени миThe accumulator is made in the form of a matrix of storage elements, each of which contains a layer of magnetically hard material and a readout element placed in depressions made in a dielectric transparent substrate, on the surface of which there is a flexible film with deposited above depressions

сло ми из магнитного материала с нр моугольной петлей гистерезиса, а также последовательное соединение элементов считывани позвол ет пснользовать дл записи и считывани носитель информацииlayers of magnetic material with a rectangular hysteresis loop, as well as the sequential connection of the elements of the readout allows us to write and read the information carrier

большой площади. Это повышает информационную емкость накопител , обеспечивает высокоскоростное стирание и считывание информации виртуальной рамкой с током, образованной пересекающимис электронными лучами пущек, оси которых параллельны нлоскости матрицы, при отсутствии контакта с носителем инфор.мации, что исключает его нагрев. Освещение матрицы запоминающих элементов когерентным пол ризованным светом позвол ет обеспечить визуальное отображение записанной информации на большом экране с использованием фазовой модул ции при высоком уровне ркости. Кроме того, врем сохранени изображени принципиально не ограничено , в то врем как в нзвестных зстройствах оно ограничено из-за несовершенства электрической изол ции.large area. This increases the storage capacity of the storage device, provides high-speed erasing and reading of information by a virtual frame with a current formed by intersecting electron beams of airbags, the axes of which are parallel to the matrix plane, in the absence of contact with the information carrier, which prevents its heating. Illumination of the matrix of storage elements with coherent polarized light allows visual display of the recorded information on a large screen using phase modulation at a high level. In addition, the time it takes to save an image is not fundamentally limited, while in some well-known devices it is limited due to imperfect electrical insulation.

Наличие магнитного пера (элемента обменной св зи оператора с вычислительнойThe presence of a magnetic pen (an element of the exchange coupling between an operator and a computational