SU677057A1 - Power amplifier - Google Patents
Power amplifierInfo
- Publication number
- SU677057A1 SU677057A1 SU772475336A SU2475336A SU677057A1 SU 677057 A1 SU677057 A1 SU 677057A1 SU 772475336 A SU772475336 A SU 772475336A SU 2475336 A SU2475336 A SU 2475336A SU 677057 A1 SU677057 A1 SU 677057A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- power
- transistor
- voltage
- transistors
- diode
- Prior art date
Links
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Description
Изобретение относитс к радиотехнике и может быть использовано при создании мощных усилителей переменного напр жени . Известен усилитель мощности, содержащий Л силовых транзисторов, эмиттер каждого из которых непосредственно подключен к нагрузке, а коллектор 1через диод - к соответствующему источнику питани , а также источник смещени 1. Однако при переключении силовых транзисторов в известном усилителе наблюдаютс искажени и, кроме того, такой усилитель характеризуетс низким КПД. Цель изобретени - уменьщение искажений при переключении силовых транзисторов и повыщение |КПД за счет уменьщени рассеиваемой мощности. Дл этого в усилитель мощности, содержащий N силовых транзисторов, эмиттер каждого из которых непосредственно подключен к нагрузке, а коллектор через диод - к соответствующему источнику питани , и источник смещени , введены дополнительных транзисторов противоположного типа проводимости и дополнительных диодов, причем база каждого дополнительного транзистора через соответствующий дополнительный диод подключена к коллектору предыдущего силового транзистора, коллектор - непосредственно к базе последующего силового транзистора, а эмиттер - к одной щине источника смещени , друга щина которого подключена к эмиттерам силовых транзисторов. iHa чертеже изображена принципиальна электрическа схема усилител мощности . (Предложенный усилитель содержит силовые транзисторы J-3. Эмиттер каждого из транзисторов ,/-3 непосредственно подключен к нагрузке 4, а коллектор через соответствующие диоды 5-7 - к своему источнику питани 8--10. База каждого дополнительного транзистора //, 12 противоположного типа проводимости через соответствующий дополнительный диод 13, 14 подключена к коллектору соответствующего предыдущего силового транзистора 1, 2, коллектор - непосредственно к базе соответствующего последующего силового транзистора 2, в, а эмиттер - к одной щине источника смещени 15, друга щина которого подключена к эмиттерам силовых транзисторов /-3. Предложенный усилитель работает следующим образом. Пр.и подаче на вход усилител мощности сигнала включаетс транзистор 1. При напр жении коллектор-эмиттер транзистораThe invention relates to radio engineering and can be used to create powerful variable voltage amplifiers. A power amplifier is known that contains L power transistors, the emitter of each of which is directly connected to the load, and the collector 1 through the diode to the corresponding power source, as well as the bias source 1. However, when switching power transistors in a known amplifier, distortions are observed and, moreover, the amplifier is characterized by low efficiency. The purpose of the invention is to reduce distortion when switching power transistors and increase | efficiency by reducing power dissipation. To do this, a power transducer containing N power transistors, the emitter of each of which is directly connected to the load, and the collector through the diode to the corresponding power source, and the bias source, is introduced with additional transistors of the opposite conductivity type and additional diodes, and the corresponding additional diode is connected to the collector of the previous power transistor, the collector is directly to the base of the subsequent power transistor, and emitter - to one bias of the bias source, the other of which is connected to the emitters of power transistors. The iHa drawing shows a circuit diagram of a power amplifier. (The proposed amplifier contains power transistors J-3. The emitter of each of the transistors, / - 3 is directly connected to the load 4, and the collector through the corresponding diodes 5-7 to its own power source 8--10. The base of each additional transistor //, 12 of the opposite type of conduction through the corresponding additional diode 13, 14 is connected to the collector of the corresponding previous power transistor 1, 2, the collector - directly to the base of the corresponding subsequent power transistor 2, in, and the emitter - to one source biasing nick 15, other ness which is connected to the emitters of the power transistors / -3. Proposed amplifier operates as follows. Pr.i applied to the input signal power amplifier transistor is turned 1. When a voltage of the collector-emitter of the transistor
7 напр жение источника смебзШШи /5, все остальные транзисторы за ы ы а1 ка йкрыт диод 13. При дости-жЗвиЙ ШЯО о о дзигнала величины, равной 7 voltage of the source of the supply voltage / 5, all other transistors are diode 13 diodes 13. When the NOR reaches about 3 times a signal equal to
f,-i величине напр жени источника питани 8, напр жение насыщени транзистора / станет меньше напр жени источника смещени 15, диод 13 открываетс и включает транзистор //, который в свою очередь подключает транзистор 2. Напр жение на нагрузке 4 при этом подниметс выще значени напр жени источника питани S, что приводит к запиранию диода 5 и отключению источника питани 8. Ток коллектора транзистора 1 вл етс теперь базовым током транзистора //, запитываемого от источника смещени 15, напр жение которого на пор док меньще минимального напр жени источника 8 и имеет очень малую величину . При насыщении транзистора 2 аналогично включаютс диод 14, транзисторы 12 и 3; закрываетс диод 6, отключив источник питани 9. f, -i the value of the voltage of the power source 8, the saturation voltage of the transistor / becomes less than the voltage of the bias source 15, the diode 13 opens and turns on the transistor / /, which in turn connects the transistor 2. The voltage on the load 4 will rise higher the value of the voltage of the power source S, which leads to the blocking of diode 5 and the disconnection of the power source 8. The collector current of transistor 1 is now the base current of the transistor // powered by the bias source 15, whose voltage is an order of magnitude lower than the minimum p voltage source 8, and has a very small value. At saturation of the transistor 2, the diode 14, transistors 12 and 3 are similarly included; Diode 6 closes by turning off power supply 9.
При уменьшении входного сигнала, соответ1ствующего сигналу па выходе менее значени напр жени источника питани 9, диод 14 закрываетс и отключает транзисторы 12 и 3 с диодом 7. В силовой цепи будут включены транзистор 2 и диод 6, запитываемые от источника питани 9.When the input signal corresponding to the output signal is less than the voltage value of the power supply 9, the diode 14 closes and turns off the transistors 12 and 3 with the diode 7. In the power circuit, transistor 2 and diode 6 powered from the power supply 9 are turned on.
Из работы схемы видно, что в предложенном усилителе силовые каскады по цепи нагрузки включены параллельно, а по цепи входного сигнала они посредством дополнительных транзисторов 11 и 12 включены последовательно. Это обеспечивает переключение последующих силовых каскадовFrom the operation of the circuit, it can be seen that in the proposed amplifier power stages are connected in parallel along the load circuit, and along the input signal circuit they are connected in series by means of additional transistors 11 and 12. This ensures the switching of subsequent power stages.
без переключени входов предыдущих. Така схема переключени позвол ет уменьщить искажени в точках переключени и увеличить коэффициент передачи. Переключение силовых транзисторов /-3 осуществл етс напр жением насыщени , что позвол ет повысить КПД усилител мощности при изменении напр жени источников пита«и 8-{10 без дополнительной стабилизацни .without switching previous inputs. Such a switching scheme allows to reduce distortion at the switching points and to increase the transmission coefficient. The switching of the power transistors / -3 is carried out by the saturation voltage, which makes it possible to increase the efficiency of the power amplifier when the voltage of the power sources and 8 ~ 10 is changed without additional stabilization.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU772475336A SU677057A1 (en) | 1977-04-11 | 1977-04-11 | Power amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU772475336A SU677057A1 (en) | 1977-04-11 | 1977-04-11 | Power amplifier |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU677057A1 true SU677057A1 (en) | 1979-07-30 |
Family
ID=20704669
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU772475336A SU677057A1 (en) | 1977-04-11 | 1977-04-11 | Power amplifier |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU677057A1 (en) |
-
1977
- 1977-04-11 SU SU772475336A patent/SU677057A1/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
ES371704A1 (en) | Differential amplifier | |
GB1367660A (en) | Circuit for generating a difference current value between a pair of current mode input signals | |
US3392342A (en) | Transistor amplifier with gain stability | |
KR890001274A (en) | Current mirror circuit | |
US5432477A (en) | Wide frequency range amplifier apparatus | |
US4587494A (en) | Quasi-complementary class B IC output stage | |
US4369410A (en) | Monolithically integrable transistor amplifier having gain control means | |
SU677057A1 (en) | Power amplifier | |
KR840004328A (en) | Gain Distribution Control Amplifier | |
US4237426A (en) | Transistor amplifier | |
KR930007294B1 (en) | Push-pull amplifier using darlington transistor | |
JPH01297909A (en) | Buffer amplifier | |
US4308469A (en) | Unity gain emitter follower bridge circuit | |
RU2298282C2 (en) | Push-pull power amplifier | |
KR980006805A (en) | Amplification circuit | |
SU1450076A1 (en) | Amplification cascade | |
JPS5535520A (en) | Output circuit of power amplifier | |
SU731555A1 (en) | Amplifier based on cascode-connected field effect transistors | |
JPS5518110A (en) | A-class push-pull amplifier | |
GB1372619A (en) | Transistor circuits comprising a differential amplifier | |
SU684714A1 (en) | Switch-type power amplifier | |
TW361009B (en) | Variable gain amplifier circuit | |
SU1446689A1 (en) | Operational amplifier | |
GB1465036A (en) | Amplifier circuit | |
SU1420643A1 (en) | Power amplifier |