SU677057A1 - Power amplifier - Google Patents

Power amplifier

Info

Publication number
SU677057A1
SU677057A1 SU772475336A SU2475336A SU677057A1 SU 677057 A1 SU677057 A1 SU 677057A1 SU 772475336 A SU772475336 A SU 772475336A SU 2475336 A SU2475336 A SU 2475336A SU 677057 A1 SU677057 A1 SU 677057A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
power
transistor
voltage
transistors
diode
Prior art date
Application number
SU772475336A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Юрий Григорьевич Еремин
Original Assignee
Предприятие П/Я В-2634
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я В-2634 filed Critical Предприятие П/Я В-2634
Priority to SU772475336A priority Critical patent/SU677057A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU677057A1 publication Critical patent/SU677057A1/en

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Description

Изобретение относитс  к радиотехнике и может быть использовано при создании мощных усилителей переменного напр жени . Известен усилитель мощности, содержащий Л силовых транзисторов, эмиттер каждого из которых непосредственно подключен к нагрузке, а коллектор 1через диод - к соответствующему источнику питани , а также источник смещени  1. Однако при переключении силовых транзисторов в известном усилителе наблюдаютс  искажени  и, кроме того, такой усилитель характеризуетс  низким КПД. Цель изобретени  - уменьщение искажений при переключении силовых транзисторов и повыщение |КПД за счет уменьщени  рассеиваемой мощности. Дл  этого в усилитель мощности, содержащий N силовых транзисторов, эмиттер каждого из которых непосредственно подключен к нагрузке, а коллектор через диод - к соответствующему источнику питани , и источник смещени , введены дополнительных транзисторов противоположного типа проводимости и дополнительных диодов, причем база каждого дополнительного транзистора через соответствующий дополнительный диод подключена к коллектору предыдущего силового транзистора, коллектор - непосредственно к базе последующего силового транзистора, а эмиттер - к одной щине источника смещени , друга  щина которого подключена к эмиттерам силовых транзисторов. iHa чертеже изображена принципиальна  электрическа  схема усилител  мощности . (Предложенный усилитель содержит силовые транзисторы J-3. Эмиттер каждого из транзисторов ,/-3 непосредственно подключен к нагрузке 4, а коллектор через соответствующие диоды 5-7 - к своему источнику питани  8--10. База каждого дополнительного транзистора //, 12 противоположного типа проводимости через соответствующий дополнительный диод 13, 14 подключена к коллектору соответствующего предыдущего силового транзистора 1, 2, коллектор - непосредственно к базе соответствующего последующего силового транзистора 2, в, а эмиттер - к одной щине источника смещени  15, друга  щина которого подключена к эмиттерам силовых транзисторов /-3. Предложенный усилитель работает следующим образом. Пр.и подаче на вход усилител  мощности сигнала включаетс  транзистор 1. При напр жении коллектор-эмиттер транзистораThe invention relates to radio engineering and can be used to create powerful variable voltage amplifiers. A power amplifier is known that contains L power transistors, the emitter of each of which is directly connected to the load, and the collector 1 through the diode to the corresponding power source, as well as the bias source 1. However, when switching power transistors in a known amplifier, distortions are observed and, moreover, the amplifier is characterized by low efficiency. The purpose of the invention is to reduce distortion when switching power transistors and increase | efficiency by reducing power dissipation. To do this, a power transducer containing N power transistors, the emitter of each of which is directly connected to the load, and the collector through the diode to the corresponding power source, and the bias source, is introduced with additional transistors of the opposite conductivity type and additional diodes, and the corresponding additional diode is connected to the collector of the previous power transistor, the collector is directly to the base of the subsequent power transistor, and emitter - to one bias of the bias source, the other of which is connected to the emitters of power transistors. The iHa drawing shows a circuit diagram of a power amplifier. (The proposed amplifier contains power transistors J-3. The emitter of each of the transistors, / - 3 is directly connected to the load 4, and the collector through the corresponding diodes 5-7 to its own power source 8--10. The base of each additional transistor //, 12 of the opposite type of conduction through the corresponding additional diode 13, 14 is connected to the collector of the corresponding previous power transistor 1, 2, the collector - directly to the base of the corresponding subsequent power transistor 2, in, and the emitter - to one source biasing nick 15, other ness which is connected to the emitters of the power transistors / -3. Proposed amplifier operates as follows. Pr.i applied to the input signal power amplifier transistor is turned 1. When a voltage of the collector-emitter of the transistor

7 напр жение источника смебзШШи  /5, все остальные транзисторы за ы ы а1 ка йкрыт диод 13. При дости-жЗвиЙ ШЯО о о дзигнала величины, равной 7 voltage of the source of the supply voltage / 5, all other transistors are diode 13 diodes 13. When the NOR reaches about 3 times a signal equal to

f,-i величине напр жени  источника питани  8, напр жение насыщени  транзистора / станет меньше напр жени  источника смещени  15, диод 13 открываетс  и включает транзистор //, который в свою очередь подключает транзистор 2. Напр жение на нагрузке 4 при этом подниметс  выще значени  напр жени  источника питани  S, что приводит к запиранию диода 5 и отключению источника питани  8. Ток коллектора транзистора 1  вл етс  теперь базовым током транзистора //, запитываемого от источника смещени  15, напр жение которого на пор док меньще минимального напр жени  источника 8 и имеет очень малую величину . При насыщении транзистора 2 аналогично включаютс  диод 14, транзисторы 12 и 3; закрываетс  диод 6, отключив источник питани  9. f, -i the value of the voltage of the power source 8, the saturation voltage of the transistor / becomes less than the voltage of the bias source 15, the diode 13 opens and turns on the transistor / /, which in turn connects the transistor 2. The voltage on the load 4 will rise higher the value of the voltage of the power source S, which leads to the blocking of diode 5 and the disconnection of the power source 8. The collector current of transistor 1 is now the base current of the transistor // powered by the bias source 15, whose voltage is an order of magnitude lower than the minimum p voltage source 8, and has a very small value. At saturation of the transistor 2, the diode 14, transistors 12 and 3 are similarly included; Diode 6 closes by turning off power supply 9.

При уменьшении входного сигнала, соответ1ствующего сигналу па выходе менее значени  напр жени  источника питани  9, диод 14 закрываетс  и отключает транзисторы 12 и 3 с диодом 7. В силовой цепи будут включены транзистор 2 и диод 6, запитываемые от источника питани  9.When the input signal corresponding to the output signal is less than the voltage value of the power supply 9, the diode 14 closes and turns off the transistors 12 and 3 with the diode 7. In the power circuit, transistor 2 and diode 6 powered from the power supply 9 are turned on.

Из работы схемы видно, что в предложенном усилителе силовые каскады по цепи нагрузки включены параллельно, а по цепи входного сигнала они посредством дополнительных транзисторов 11 и 12 включены последовательно. Это обеспечивает переключение последующих силовых каскадовFrom the operation of the circuit, it can be seen that in the proposed amplifier power stages are connected in parallel along the load circuit, and along the input signal circuit they are connected in series by means of additional transistors 11 and 12. This ensures the switching of subsequent power stages.

без переключени  входов предыдущих. Така  схема переключени  позвол ет уменьщить искажени  в точках переключени  и увеличить коэффициент передачи. Переключение силовых транзисторов /-3 осуществл етс  напр жением насыщени , что позвол ет повысить КПД усилител  мощности при изменении напр жени  источников пита«и  8-{10 без дополнительной стабилизацни .without switching previous inputs. Such a switching scheme allows to reduce distortion at the switching points and to increase the transmission coefficient. The switching of the power transistors / -3 is carried out by the saturation voltage, which makes it possible to increase the efficiency of the power amplifier when the voltage of the power sources and 8 ~ 10 is changed without additional stabilization.

Claims (1)

1. Патент США № 3577092, кл. 330-124, 1971.1. US Patent No. 3577092, cl. 330-124, 1971. т Ifft Iff
SU772475336A 1977-04-11 1977-04-11 Power amplifier SU677057A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU772475336A SU677057A1 (en) 1977-04-11 1977-04-11 Power amplifier

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU772475336A SU677057A1 (en) 1977-04-11 1977-04-11 Power amplifier

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU677057A1 true SU677057A1 (en) 1979-07-30

Family

ID=20704669

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU772475336A SU677057A1 (en) 1977-04-11 1977-04-11 Power amplifier

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU677057A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ES371704A1 (en) Differential amplifier
GB1367660A (en) Circuit for generating a difference current value between a pair of current mode input signals
US3392342A (en) Transistor amplifier with gain stability
KR890001274A (en) Current mirror circuit
US5432477A (en) Wide frequency range amplifier apparatus
US4587494A (en) Quasi-complementary class B IC output stage
US4369410A (en) Monolithically integrable transistor amplifier having gain control means
SU677057A1 (en) Power amplifier
KR840004328A (en) Gain Distribution Control Amplifier
US4237426A (en) Transistor amplifier
KR930007294B1 (en) Push-pull amplifier using darlington transistor
JPH01297909A (en) Buffer amplifier
US4308469A (en) Unity gain emitter follower bridge circuit
RU2298282C2 (en) Push-pull power amplifier
KR980006805A (en) Amplification circuit
SU1450076A1 (en) Amplification cascade
JPS5535520A (en) Output circuit of power amplifier
SU731555A1 (en) Amplifier based on cascode-connected field effect transistors
JPS5518110A (en) A-class push-pull amplifier
GB1372619A (en) Transistor circuits comprising a differential amplifier
SU684714A1 (en) Switch-type power amplifier
TW361009B (en) Variable gain amplifier circuit
SU1446689A1 (en) Operational amplifier
GB1465036A (en) Amplifier circuit
SU1420643A1 (en) Power amplifier