SU676991A1 - Устройство дл оптической обработки информации - Google Patents

Description

Horo ПОЛЯ, магнитосв занныи с магнитным кристаллом.

Магнитный кристалл вы олнен в виде монокристалла, имеющего несколько осей легкого намагничивани , расположенных в одной плоскости.

На чертеже изображена принциииальна  схема устройства дл  оптической обработки информации.

Предложенное устройство содержит основной источник 1 света, модул тор 2 света , объектив 3, слой фоторезистора 4 с системой электродов 5, магнитный кристалл 6, имеющий несколько осей легкого намагничивани , лежащих в плоскости кристалла , генератор 7 магнитных доменов, доменопродвигающие аппликации 8, источник 9 посто нного магнитного пол , дополнительный источник 10 света, блок 11 фотоприемников и источник 12 переменного магнитного пол .

Генератор 7 магнитных доменов и доменопродвигающие аппликации 8 расположены на поверхности магнитного кристалла и выполнены из прозрачных проводников. Способ .напесени  их на поверхность кристалла зависит от технологических возможностей изготовлени  устройства.

Устройство дл  оптической обработки информации работает следующим образом.

Свет от источника 1, промодулированный модул тором 2, проецируетс  через объектив 3 на слой фоторезисторов 4, подключенный к источнику 9.через систему электродов 5. Вследствие неоднородности засветки через слой фоторезистора протекают разные по величине токи, создающие в плоскости кристалла неоднородное магнитное поле. Энерги  магнитных доменов в этом поле имеет минимум (потенциальные  мы) вдоль линии тока. Магнитные домены , генерируемые генератором 7, вблизи линий максимальной плотности тока иЛи линий максимального градиента токов, где градиент магнитного пол  достаточен дл  преодолени  коэрцитивной силы, скатываютс  в потенциальные  мы и занимают устойчивые Положени , выстраива сь вдоль этих линий.

Свойства магнитных кристаллов, имеющих несколько осей легкого намагничивани , лежащих в плоскости, кристала, позвол ют генерировать магнитные домены различной формы: цилиндрические, кольцевые и полосовые. При изменении характера освещенности сло  фоторезистора с помощью модул тора 2 света измен ютс  глубина и конфигураци  потенциальных  м и магнитные домены, захваченные  мами-ловушками домёнопродвигающих аппликаций 8, перемещаютс  ло плоскости магнитного кристалла 6 под действием переменного магнитного нол , создаваемого источником 12, заполн   потенциальньте  мы от сло  фоторезистора. Регулиру  модул тором 2 света глубину и ширину потенциальной  мы в каком-либо месте кристалла , можно выборочно остановить домен или группу доменов, осуществл   такнм образом управление магнитными доменами по произвольной программе. Картину токов можно мен ть, измен   конфигурацию системы электродов, подключаемых попарно независимо к источнику 9, либо оомеща 

один электрод в центре сло  фоторезистора , а вторым охватыва  слой по периметру, либо временной модул цией напр жени , подаваемого на систему электродов. Таким способом может быть сформирована структура магнитных доменов, котора  дл  падающего пол ризованного монохроматического света от дотголнительного источника 10 представл ет зонную пластипку Френел , осуществл ющую концентрацию света в плоскости блока И фотоприемников в точку, линию или кольцевое изображение . Перестраива  доменную структуру источником посто нного магнитного пол , можно измен ть фокусное рассто ние

зонной пластинки Френел . Перестройку доменной структуры, а вместе с ней и фокусного рассто ни  можно осуществить также путем изменени  масщтаба конфигурации потенциальных  м с помощью объектива 3, так как магнитные домены, захваченные  мами-ловушками, перемещаютс  вместе с ними по плоскости кристалла. Характеристические размеры неоднородностей управл ющего магнитного пол  в

предложенном устройстве ограничены снизу лищь длиной волны света источника 1, следовательно, эту же границу имеют и минимальные размеры единицы информации, что -позвол ет существенно повысить плотность записи информации, особенно при использовании магнитных кристаллов, имеющих несколько осей легкого намагничивани  лежащих в плоскости кристаллов. Сравнительные испытани  данного устройства дл  оптической обработки информации с известными показали, что оно позвол ет повысить в 1,8-2,2 раза точность обработки оптической информации, а также получить заправл емую магнитооптическую концентрацию световой энергии. Это значительно расшир ет область применени  устройства.

Claims (2)

1. Устройство дл  оптической обработки информации, содержащее магнитный кристалл , на одной стороне которого расположен слой фоторезистора с электродами, подключенными к источнику посто нного

магнитного пол , и расположенные с той же стороны кристалла и оптически св занные с ним основной источник света, модул тор света и объектив, отличающеес   тем, что, с целью повыщени  точности

устройства, оно содержит на другой стороне магнитного кристалла генератор магнитных доменов и доменопродвигающие аппликации , дополнительный источник света и блок фотоприемников, расположенные с другой стороны магнитного кристалла и оптически св занные с ним, и источник переменного магнитного пол , магнитосв занный с магнитным кристаллом.

2. Устройство по п. 1, отличающеес  тем, что магнитный кристалл выполнен в

виде монокристалла, имеющего несколько осей легкого намагничивани , расположенных в одной плоскости.

Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе

1.Доменные и магнитооптические запоминающие устройства. М., «Наука, 1977, с. 209.

2.Авторское свидетельство СССР № 372579, кл. G 11 С 11/16, 1973.

У///////////////7/7/ а