SU668053A1 - Транзисторный инвертор - Google Patents

Description

(54) ТРАНЗИСТОРНЫЙ ИНВЕРТОР

1

Предлагаемое изобретение относитс  к электротехнике и может быть использовано в преобразовательной технике и устройствах электропитани .

Известны схемы транзисторных инверторов , в которых КПД повышаетс  за счет автоматического регулировани  и стабилизации оптимального коэффициента глубины насыщени  транзисторов.

Существуют технические решени , где повышение КПД устройства осуществл етс  за счет уменьшени  динамических потерь путем введени  задержек на отпирание транзисторов . Данные с.чемы либо сложны в управлении , либо обладают положительным КПД за счет дополнительных потерь в тданзисторах инвертора.

Наиболее близким к изобретению по технической сущности  вл етс  инвертор, содержащий задающий генератор, соединенный выходом со входом двухтактного уси- лител  мощности, и вспомогательный трансформатор , первична  обмотка которого св зана с вы.ходом усилител  мощности, а кажда  вторична  обмотка через полупроводниковый элемент подсоединена к своему nepi ходу база - коллектор транзисторов усилител  мощности.

Известный инвертор имеет также пониженный КПД за счет частичного прохождени  сквозного тока.

Целью изобретени   вл етс  повыщение КПД за счет полного исключени  сквозных токов.

Цель достигаетс  тем, что в транзисторном инверторе, содержащем задающий генератор , соединенный выходом со входом двухтактного усилител  мощности , и вспомогательный трансформатор, первична  обмотка которого св зана с выходом усилител  мощности, а кажда  вторична  обмотка через полупроводниковый элемент подсоединена к своему переходу база-коллектор транзисторов усилител  мощности, последовательно с первичной обмоткой дополнительного трансформатора включен дроссель а в качестве полуправодНиковыХэлементов применены диоды.

На чертеже представлена схема транзисторного инвертора.

Схема состоит из задающего генератора 1, трансформатора управлени  2, вспомогателыюго трансформатора 3. двухтактного усилител  мощности 4 и насыщающегос  дроссел  5. Задающий генератор 1 подключен через трансформатор унрав.чени  2 к переходам база-эмиттер транзисторов двухтактного усилител  мощности 4, к выходным клеммам транзисторного инвертора подключена через насыщающийс  дроссель 5 первична  обмотка дополнительного трансформатора 3, а вторичные обмотки трансформатора 3 подключены ч-ерез диоды к переходам коллектор-база транзисторов двухтактного усилител  мощности 4.

УстроГ|ство работает следующим образом . - .. . .:., . ; .

Напр жение задающего генератора поступает на трансформатор управлени  2, вторичные обмотки которого противофазно переключают транзисторы двухтактного уси .П1тел  мощности 4. Пр моугольное напр жениё с выхода двухтактного усилител  мош:ности подаетс  через насыщающийс  дроссель 5 на первичную обмотку трансформатора 3.

Длительность паузы в напр жении на обмотках трансформатора 3 определ етс  параметрами дроссел  5 и выбираетс  меньiiieii , чем длительность полупериода колебаний задающего генератора 1. Импульсы напр жени  на обмотках трансформатора

3 существуют лишь в копне полупериода, поэтому запирание коллекторных переходов (т.е. вывод транзисторов из области насышени ) происходит перед моментом изменени  пол рности напр жени  задающего генератора 1. Открытые транзисторы большую часть полупериода наход тс  в области насыщени , что обеспечивает малые статические потери, и только перед моментом переключени  выводитс  в граничный режим , благодар  чему уменьшаютс  динамические потери в транзисторах.

Claims (1)

1. Формула изобретеч;.ч

   Транзисторный инвертор, содержащий задающий генератор, подключенный ко входам двухтактного усилител  мощности, и вспомогательный трансформатор, первична  обмотка которого св зана выходом усилител  мощности, а кажда  вторична  об мотка через полупроводниковый элемент подсоединена к переходу база-коллект.;- соответствующего транзистора усилител  мощности , отличающийс  тем, что, с целью повышени  КПД, последовательно с первичной обмоткой вспомогательного трансформатора включен дроссель, а в качестве полупроводниковых элементов применены диоды.