Claims (1)
Дл достижени поставленной цели в импульсный фотопреобразователь, содержащий ключевой транзистор типа р-п-р, база которого через резистор подсоединена к коллектору ключевого транзистора типа п-р-п и через его коллекторный резистор к эмиттеру упом нутого ключевого транзистора типа р-п-р и к плюсовой клемме источника питани , минусова клемма которого подсоединена к эмиттеру упом нутого ключевого транзистора типа п-р-п, база которого подсоединена к одной из обкладок врем задающего конденсатора и через основной фоторезистор к плюсовой клемме и сточника питани , а коллектор упом нутого ключевого транзистора типа р-п-р соединен со второй обкладкой врем задающего конденсатора и с коллектором нагрузочного типа п-р-п,эмиттер которого подсоединен к минусовой клемме источника питани , а база через резистор подсоединена к плюсовой клемме источника питани , введены дополнительные транзистор типа р-п-р и фоторезисторы, причем коллектор дополнительного транзистора типа р-п-р подсоединен к коллектору упом нутого ключевого транзистора тиаа п-р-п, его база через первый дополнительный фоторезистор подсоединена к минусовой клемме источника .питани , .плюсова клемма которого подсоединена к эмиттеру дополнительного транзистора типа р-п-р и через второй дополнительный фоторезистор к базе упом нутого нагрузочного транзистора типа п-р-п, а третий дополнительный фоторезистор подсоединен параллельно базовому резистору упом нутого ключевого транзистора типа р-п-р, причем все фоторезисторы одновременно вл ютс фотоприемниками преобразуемого светового потока. На чертеже представлена принципиальна электрическа схема импульсного фотопреобразовател , который содержит ключевой транзистор 1 типа р-п-р, база которого через параллельно соединенные резистор 2 и третий дополнительный фоторезистор 3 подсоединена к коллектору ключевого транзистора 4 типа , а через его коллекторный резистор 5 подсоединена к эмиттеру ключевого транзистора 1 типа р-п-р и к плюсовой клемме источника питани 6, минусова клемма которого подсоединена к эмиттеру ключевого транзистора 4 типа п-р-п, база которого подсоединена к одной из обкладок врем задающего конденсатора 7 и через фоторезистор 8 к плюсовой клеммеисточника питани 6, коллектор ключевого транзистора 1 типа р-п-р соединен с коллектором нагрузочного транзистора 9 типа и второй обкладкой врем задающего конденсатора 7, эмиттер нагрузочного транзистора 9 подсоединен к минусовой клемме источника питани 6, а его база через параллельно соединенные резистор 10 и второй дополнительный фоторезистор 11 подсоединена к плюсовой клемме источника питани 6, коллектор дополнительного транзистора 12 подсоединен к колле ,ктору ключевого транзистора 4 типа п-р-п, эмиттер - к плюсовой клемме источника питани 6, а база через первый дополнительный фоторезистор 13 - к минусовой клемме источника питани 6, причем все фоторезисторы одновременно вл ютс фотоприемниками преобразуемого светового потока. Устройство работает следующим образом . При отсутствии запускающих импульсов схема находитс в статическом состо нии, определ емом открытым состо нием обоих .ключевых транзисторов 1 и 4. Врем задающий конденсатор 7 зар жен при этом до уровн напр жени источника питани 6. При подаче запускающего импульса происходит запирание транзисторов 1 и 4, что вызывает перезар д конденсатора 7, который осуществл етс через фоторезистор 8. Длительность перезар да конденсатора 7 определ етс сопротивлением фоторезистора 8, завис щим от уровн принимаемого им светового потока. Динамический диапазон преобразовани схемы отличаетс от теоретически возможного диапазона из-за вли ни коэффициента насьпцени ключевых транзисторов 1 и 4 на длительность генерируемых импульсов. Введение дополнительного транзистора 12 и трех дополнительных фоторезисторов 3, 11. и 13, наход щихс под Воздействием того же светового потока, что и основной фотоприемник 8, позвол ет получить возможность авто.матического поддержани коэффициента насыщени ключевых транзисторов 1 и 4 на посто нном уровне при изменении сопротивлени фоторезистора 8 под воздействием воспринимае.мого светового потока. Формула изобретени Импульсный фотопреобразователь, содержащий ключевой транзистор типа р-п-р, база которого черрз резистор подсоединена к.коллектору ключевого транзистора типа п-р-п и через его коллекторный резистор к эмиттеру упом нутого ключевого транзистора типа р-п-р и к плюсовой клемме источника питани , мину-. сова клемма которого подсоединена к эмиттеру упом нутого ключевого транзистора типа п-р-п, база которого подсоединена к одной из обкладок врем задающего конденсатора и через основной фоторезистор к плюсовой клемме источника питани , а коллектор упом нутого ключевого транзистора типа р-п-р соединен со второй обкла.дкой Врем задающего конденсатора и с коллектором нагрузочного транзистора типа п-р-п, эмиттер которого подсоединен к минусовой клемме источника питани , а база через резистор подсоединена к плюсовой клемме источника питани , отличающийс тем, что, с целью расщирени динамического диапазона преобразовани , в него введены дополнительные транзистор типа р-п-р и фоторезисторы, причем коллектор дополнительно транзистора типа p-n-p подсоединен к коллектору упом нутого ключевого транзистора типа n-р-п, его база череа первый дополнительный фоторезистор подсоединена к ми-, нусовой клемме источника питани , плрсова клемма которого подсоединена к эмиттеру дополнительного транзистора типа и через второй дополнительныйTo achieve this goal, a pulsed phototransducer containing a pnp key transistor, the base of which is connected via a resistor to the collector of a pnp key transistor and through its collector resistor to the emitter of the aforementioned key transistor of pnp type and to the positive terminal of the power source, the negative terminal of which is connected to the emitter of the aforementioned pn-type key transistor, the base of which is connected to one of the plates of the time of the driving capacitor and through the main photoresistor to positive the second terminal and power supply, and the collector of the mentioned ppp type key transistor is connected to the second plate of the time of the driving capacitor and to the load collector of the pnp type, the emitter of which is connected to the negative terminal of the power source, and the base is connected via a resistor An additional pnp transistor and photoresistors are introduced to the positive terminal of the power source, and an additional transistor of the pp type transistor is connected to the collector of the aforementioned key transistor tiaa npp, its base through the first to A complementary photoresistor is connected to the minus terminal of the power source, the positive terminal of which is connected to the emitter of an additional pnp type transistor and through a second additional photoresistor to the base of the mentioned np p load transistor, and the third additional photoresistor is connected in parallel to the base the resistor of the pnp type key transistor, all the photoresistors being simultaneously the photodetectors of the converted light flux. The drawing shows a circuit diagram of a pulsed photoconverter that contains a key transistor 1 of the pp type, the base of which is connected via a parallel-connected resistor 2 and the third additional photoresistor 3 to the collector of the key transistor 4, and through its collector resistor 5 is connected to the emitter of the key transistor 1 of the pp type and to the positive terminal of the power source 6, the minus terminal of which is connected to the emitter of the key transistor 4 of the pp type, the base of which is connected and to one of the plates the time of the driving capacitor 7 and through the photoresistor 8 to the positive terminal of the power source 6, the collector of the ppp type key transistor 1 is connected to the collector of the load transistor 9 of the type and the second facing of the time of the driving capacitor 7, the emitter of the load transistor 9 is connected to the negative terminal of the power source 6, and its base through a parallel connected resistor 10 and the second additional photoresistor 11 is connected to the positive terminal of the power source 6, the collector of the additional transistor 12 connects union of a Colle Ktorov transistor 4 of the n-p-n emitter - to the positive terminal of the power source 6 and the base via a first additional photoresistor 13 - to the negative terminal of the power source 6, wherein all photoconductive simultaneously are photodetectors converted light flux. The device works as follows. In the absence of triggering pulses, the circuit is in a static state determined by the open state of both key transistors 1 and 4. The timing of the driving capacitor 7 is charged to the voltage level of the power source 6. When a trigger pulse is applied, the locking of transistors 1 and 4 occurs. which causes a recharge of the capacitor 7, which is carried out through the photoresistor 8. The duration of the recharge of the capacitor 7 is determined by the resistance of the photoresistor 8, depending on the level of the luminous flux received by it. The dynamic range of the conversion circuit differs from the theoretically possible range due to the influence of the coefficient that the key transistors 1 and 4 have on the duration of the generated pulses. The introduction of an additional transistor 12 and three additional photoresistors 3, 11. and 13, which are affected by the same luminous flux as the main photodetector 8, makes it possible to automatically maintain the saturation coefficient of the key transistors 1 and 4 at a constant level the change in resistance of the photoresistor 8 under the influence of the perceived light flux. An impulse photoconverter containing a pnp key transistor, the base of which is a cherz resistor is connected to a collector of a pnp key transistor and through its collector resistor to the emitter of the aforementioned key transistor of the pnp type and to power supply plus terminal, min. The terminal of which is connected to the emitter of the mentioned pnp key transistor, the base of which is connected to one of the plates of the time of the driving capacitor and through the main photoresistor to the positive terminal of the power source, and the collector of the pnp key transistor connected with the second window of the Time of the setting capacitor and with the collector of a npp type load transistor, the emitter of which is connected to the negative terminal of the power source, and the base is connected via a resistor to the positive terminal of the source pi Ani, characterized in that, in order to expand the dynamic range of the conversion, an additional pp type transistor and photoresistors are introduced into it, the collector of an additional pnp type transistor connected to the collector of the above np type key transistor, its base through the first additional photoresistor is connected to the mini- and nous terminal of the power source, the plr terminal of which is connected to the emitter of the additional transistor of the type and through the second additional
66
фоторезистор к базе упом нутого нагрузочного транзистора типа n-р-п, а третий дополнительный фоторезистор подсоединен параллельно базовому резистору упом нутого ключевого транзистора типа р-п-р, п-ричем все фоторезисторы одновременно вл ютс фотоприемниками преобразуемого светового потока.A photoresistor to the base of the mentioned n-pn load transistor, and a third additional photoresistor connected in parallel to the base resistor of the pnp type key transistor, such as all photoresistors are simultaneously photodetectors of the converted light flux.
af +af +