SU661435A1 - Устройство дл измерени приведенного теплового сопротивлени силовых полупроводниковых приборов - Google Patents

Устройство дл измерени приведенного теплового сопротивлени силовых полупроводниковых приборов

Info

Publication number
SU661435A1
SU661435A1 SU762414706A SU2414706A SU661435A1 SU 661435 A1 SU661435 A1 SU 661435A1 SU 762414706 A SU762414706 A SU 762414706A SU 2414706 A SU2414706 A SU 2414706A SU 661435 A1 SU661435 A1 SU 661435A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
current
semiconductor devices
measuring
power
power semiconductor
Prior art date
Application number
SU762414706A
Other languages
English (en)
Inventor
Михаил Моисеевич Хазен
Original Assignee
Всесоюзный Ордена Трудового Красного Знамени Научно-Исследовательский Институт Железнодорожного Транспорта
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Всесоюзный Ордена Трудового Красного Знамени Научно-Исследовательский Институт Железнодорожного Транспорта filed Critical Всесоюзный Ордена Трудового Красного Знамени Научно-Исследовательский Институт Железнодорожного Транспорта
Priority to SU762414706A priority Critical patent/SU661435A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU661435A1 publication Critical patent/SU661435A1/ru

Links

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Description

Изобретение относитс  к устройствам дл  испытани  полупроводниковых преобразователей , примен емых преимущественно в устройствах энергоснабжени  и электрической т ги электрофицированных железных дорог , где к надежности силовых полупроводниковых прибороЁ предъ вл ютс  повышенHbte требовани . Устройство также может быть использовано дл  оценки нагрузочной способности полупроводниковой преобразовательной техники и определени  интегрального показател  дл  оценки старени  силовых полупроводниковых приборов в эксплуатации .
Известно устройство дл  контрол  теплового состо ни  силовых полупроводниковых приборов, содержащее источники измерительного тока, мостовые измерители падени  напр жени  на р-п-переходе, датчики тока силовой цепи, контакты в измерительных цеп х и катушки управлени  ими и используемых дл  испытани  преобразователей устройств энергоснабжени  и электрической т ги электрофицированных железных дорог 1.
Из известных устройств измерени  тепловых характеристик силовых полупроводниковых приборов наиболее близким по технической сущности  вл етс  устройство, содержащее источник измерительного тока, подключенный к мостовому измерителю падени  напр жени  на р-п-переходе, датчик тока силовой цепи, контакты, установленные в измерительных цеп х, и катущку управлени  ими, соединенную с датчиком тока , измерительные приборы логометрического типа 2.
Основной недостаток устройства заключаетс  в невозможности пр мой интегральной оценки приведенного теплового сопротивлени  силовой полупроводниковый прибор - устройство охлаждени  - окружающа  среда в услови х их прбмыщленной эксплуатации под нагрузкой рабочим током, без проведени  дополнительных измерений мощности тепловых потерь и последующих расчетов.
Цель предлагаемого изобретени  - повыщение точности измерени  приведенного теплового сопротивлени  полупроводниковых силовых приборов в услови х их промыщленной эксплуатации под нагрузкой рабочим током.
Дл  этого в устройство введены холловский преобразователь мощности, делитель напр жени  и сглаживающие фильтры, Причем холловский преобразователь мощности через нормально разомкнутые контакты соединен с клеммами дл  подключени  испытуемого прибора, а датчик тока - с обмоткой электромагнита преобразовател  мощности, выход которого через сглаживающий фильтр и делитель напр жени  соединен с одной рамкой логометра, друга  рамка которого через второй сглаживающий фильтр соединена с измерителем падени  напр жени . На чертеже представлена блок-схема предлагаемого устройства.
Предлагаемое устройство содержит мостовой измеритель 1 падени  напр жени  на р-п-переходе, источник 2 измерительного тока, холловский преобразователь 3 мощности , датчи к 4 тока, катущку 5 управлени , контакты 6,7 и 8, сглаживающие фильтры 9 и 10 делители И, 12 и 13 напр жени , измерительный прибор 14 логометрического типа и клеммы 15 дл  подключени  испытуемого силового полупроводникового прибора,полупроводникового преобразовател  16, регулируемые резисторы 17, 18 и 19, измерительный прибор 20, аккумул торную батарею 21 (или сетевой источник питани  с разделительным трансформатором), миллиамперметр 22, регулируемый резистор 23, магнитную цепь 24, электромагнит 25, гальваническую цепь 26, датчик 27 Холла, резисторы 28, 29 и 30, резистор 31 регулировки силы тока в гальванической цепи и магнитной цепи,индуктивность 32, емкости 33, 34, 35, 36, индуктивность 37, рамки 38 и 39 логометра, испытуемый полупроводниковый прибор 40, полупроводниковый прибор 41, силовую цепь 42.
Блок мостового измерител  1 падени  напр жени  на р-п-переходе выполнен, например , в виде четырехплечевого моста, одно из плеч которого экранированными проводами соединено с клеммами 15 дл  подключени  испытуемого силового полупроводникового прибора (диода или транзистора 40), а в других плечах которого наход тс  регулируемые резисторы 17, 18 и 19, и милливольтметра 20 контрол  начальной баланси{5овки моста: - .-,.-..... .-. .:
PeryjJHpyeMbra источник 2 измерительного тока содержит, например, аккумул торную батарею 21 или сетевой источник питани  с разделительным трансформатором, миллиамперметр 22 контрол  измерительного тока, регулируемый резистор 23. Блок холловского преобразовател  3 мощности состоит, например, из гальванической цепи 26, соединенной с клеммами 15, дл  подключени  испытуемого силового полупроводникового прибора 16, с датчиком 27 Холла, резисторами 28, 29 и 30 узла начальной балансировки ЭДС Холла, резистора 31 регулировки силы тока в гальванической ,:ba « tftrd46ap j w;af tv-. И магнитной цепи 24, содержащей электромагнит 25, обмотка которого посто нно соединена через делитель 11 напр жени  с датчиком 4 тока силовой цепи 42 испытуемого прибора 40 преобразовател  16.
В качестве датчика 4 могут быть применены трансформатор тока или вместо него щунт, или силовой полупроводниковый прибор . Датчик 4 тока может быть совмещен с электромагнитом 25, при размещении датчика Холла в витке, образованном кабелем силовой цепи 42, испытуемого полупроводникового прибора 40. С датчиком тока св зана также катущка 5 управлени , помещенна  в защитный электромагнитный экран , внутри которойразмещены, например, магнитоуправл емые контакты 6, 7 и 8 типа «Геркон : нормально замкнутые 7 и 8 в цеп х мостового измерител  1 падени  напр жени  на р-п-переходе и нормально разомкнутый 6 в гальванической цепи 26 холловского преобразовател  3 мощности. Катущка 5 управлени  также может быть совмещена с датчиком 4 тока силовой цепи 42, если магнитоуправл емые контакты 6, 7. и 8 типа «Геркон поместить в виток, образованный кабелем силовой цепи 42. Выходы блоков 1 и 3 через сглаживающие, например , Т или П-образные R-С фильтры 9 и 10, с индуктивност ми 32 и 37, емкост ми 33, 34, 35 и 36, делители 12 и 13 напр жени  дл  преобразовани  выходных сигналов схем 1 и 3 соединены с рамками 38 и 39 логометра 14, который  вл етс  выходом устройства.
Устройство может быть использовано дл  преобразователей с -последовательно соеди-. ненными силовыми приборами. Напр жение
В непровод щий период снимаетс , например , обратным полупроводниковым прибором 41. При протекании силового тока в цепи 42 испытуемого полупроводникового прибора 40 в любом направлении получает питание катущка 5 управле11и , нормально разомкнутый контакт 6 зам.ыкаетс , подключа  гальваническую цепь 26 холловского преобразовател  3 мощности, а нормально замкнутые контакт 7 и 8 размыкаютс -; ; Отключа  на врем  прохождени  силового
тока блок мостового измерител  1 падени  напр жени  на р п-переходе. Мостовой измеритель 1 падени  напр жени  на р-п переходе балансируетс  при температуре р-п-структуры испытуемого полупроводникового прибора 40, равной темЛературе окружающей среды, что обеспечивает падение напр жени , пропорциональное разнице температур р-п-структуры испытуемого полупроводникового прибора 40 и окружающей среды. /
Напр жёние на выходах схемы блоков 1 и 3, измеренные при разных периодах питающего силовой полупроводниковый прибор 40 напр жени , пропорциональные мощности потерь в испытуемом полупроводникоBOM приборе 40 и разнице температур структуры выпр мл ющего элемента испытуемого полупроводникового прибора и окружающей среды, после осреднени  в R-С фильтг pax 9 и 10, умножаютс  на посто нную датчика Холла, задаваемую регулируемым делителем 12 напр жени , температурный коэффициент напр жени , задаваемый посто нным дл  данного типа полупроводниковых приборов регулируемым делителем 13 напр жени  и поступает на рамки логометра 14, который  вл етс  выходом устройства. Использование элементов холловского преобразовател  мощности, делителей, сглаживающих фильтров, показывающего прибора логометрического типа, схемы управлени , измерение разницы температур и мощности Потерь в услови х эксплуатации под рабочим током, позвол ет снизить погрещность ;1змерени  с одновременным повышением достоверности данных измерени , определ емой зависимостью величины потерь от формы рабочего тока и параметров вольтамперной характеристики и зависимостью температуры структуры от уровн  тепловых потерь и характера их распределени  во времени. Причем измер ема  величина приведенного теплового сопротивлени  может служить дл  оценки допустимой нагрузочной способности преобразовател  по наиболее греющемус , лимитируемому полупроводниковому прибору. V 11 UV-DVJAnn r WDWlVl у 11 IjrUJVJIJ у .Величина приведенного теплового сопротивлени , например, дл  системы воздушного охлаждени , „ р Р fp , . & -УН, ч If- вр-  Л.Го + Ти Р где f)wp Кил) -теплова  характеристика системы вентиль-охладитель, °С/Вт; ё - число р дов ох.ладите лей последовательно охлаждаемых; WP -средн   скорость охлаж дающего рабочего тела, м/сек; У и Ср- плотность и средн   теплоемкость охлаждающего рабочего тела кг/м и Дж/кгтрад; Ki, Ku/ - коэффициент неравно мерности распределени  тока по параллельным ветв м и неравномерности распределени  пол  скоростей воздуха по параллельно обдуваемым охладител м: fo - живое сечение охладител , 0р-п-разница температур р-п-структур испытуемого полупроводникового прибора и окружающей среды, °С; р -мощность потерь в испытуемом полупроводниковом приборе, Вт.

Claims (2)

  1. 661435 Как видно из выражени , наличие лимитирующего вентил  определ етс  совместным вли нием це.лёвого р да факторов: распределением тока и охлаждающего рабочего тела по силовым полупроводниковым приборам к их радиаторам, компон.овкой радиаторов и конструктивными особенност ми системы охлаждени , потер ми в силовых полупроводниковых приборах; состо нием тепловых контактов в системе структура выпр мл ющего элемента - охлаждающее рабочее тело - окружающа  средаГобусловленных ., старением припоев, ослаблением давлени  сжати  в блоках СПП - охладитель; качеством обработки контактирующих поверхностей; отложени ми пыли на поверхност х теплообмена. Формула изобретени  Устройство дл  измерени  приведенного теплового сопротивлени  силовых полупроводниковых приборов, содержащее источник измерительного тока, подключенный к мостовому измерителю падени  напр жени  на р-п-переходе, датчик тока силовой цепи, контакты, установленные в измерительных цеп х и катущку управлени  ими, соединенную с датчиком тока, измерительные приборы логометрического типа, отличающеес  тем, что, с целью повышени  точности изме ,з введены холловскии преобразователь мощности, делитель напр жени  И сглаживающие фильтры, причем холловский преобразователь мощности через нормально разомкнутые контакты соединен с клеммами дл  подключени  испытуемого прибора, а датчик тока - с обмоткой электромагнита преобразовател  мощности, выход которого через сглаживающий фильтр и делитель напр жени  соединен с одной рамкой логометра, друга  рамка которого через второй сглаживающий фильтр соединена с измерителем падени  напр жени . Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1.Бел ков В. А., Голубев П. Н. - «Электрическа  и теплозна  т га, 1973, № 8,
  2. 2.Хазен М. М. Методика осциллографировани  температурных характеристик р-п-структур полупроводниковых вентиле.й. Труды ЦНИИ МПС, вып. 522, М., «Транспорт , 1974, с. 84. . I
SU762414706A 1976-10-25 1976-10-25 Устройство дл измерени приведенного теплового сопротивлени силовых полупроводниковых приборов SU661435A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU762414706A SU661435A1 (ru) 1976-10-25 1976-10-25 Устройство дл измерени приведенного теплового сопротивлени силовых полупроводниковых приборов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU762414706A SU661435A1 (ru) 1976-10-25 1976-10-25 Устройство дл измерени приведенного теплового сопротивлени силовых полупроводниковых приборов

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU661435A1 true SU661435A1 (ru) 1979-05-05

Family

ID=20680822

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU762414706A SU661435A1 (ru) 1976-10-25 1976-10-25 Устройство дл измерени приведенного теплового сопротивлени силовых полупроводниковых приборов

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU661435A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2654353C1 (ru) * 2016-12-20 2018-05-17 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет" Способ измерения компонент теплового сопротивления мощных полупроводниковых приборов

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2654353C1 (ru) * 2016-12-20 2018-05-17 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет" Способ измерения компонент теплового сопротивления мощных полупроводниковых приборов

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI261270B (en) Transformer monitoring system
CN105556266B (zh) 用于确定igbt器件的实际结温的方法和装置
US9075420B2 (en) Temperature monitoring of power switches
CN1965241A (zh) 老化装置的状态诊断方法
CN111238672B (zh) 一种基于磁显微法的超导带材动态温度测量方法
van den Brom et al. Characterization of DC current sensors with AC distortion for railway applications
SU661435A1 (ru) Устройство дл измерени приведенного теплового сопротивлени силовых полупроводниковых приборов
EP3644080B1 (en) Sensor circuit with offset compensation
RU2707757C1 (ru) Способ снижения погрешности измерения температуры электрическим мостом
Dudarev et al. New bridge temperature sensor for superconducting magnets and other cryogenic applications
CN103364606B (zh) 同时准确测量电压和电流的系统及采用该系统的仪器
CN112665762A (zh) 一种无绝缘线圈交流磁化损耗的量热测试装置及方法
Megantoro et al. The Analysis of Comparison Electrical Power Measurement on LED Lamps
RU2145063C1 (ru) Способ учета расхода тепловой энергии отопительного прибора и устройство для его осуществления
Inglis AC-DC transfer standards-present status and future directions
CN112858934B (zh) 用于测试电池传感器的方法、以及电池传感器
Rodriguez-Echevarria et al. A novel approach based on trace resistance compensation for summing networks for high-current measurement
SU1191830A1 (ru) Термоанемометрический датчик
SU917006A1 (ru) Устройство дл измерени температуры обмотки электрической машины
Bogdanova et al. Consideration of the Impact of Measurement Uncertainty in Decision Making at Temperature Rise Test of Power Transformers
SU1467675A1 (ru) Электрическа машина с устройством диагностировани повреждений обмотки возбуждени
SU165824A1 (ru)
CA1251948A (en) Improvements relating to solid state anemometers and temperature gauges
SU1308967A1 (ru) Способ проверки самобалансирующихс термисторных мостов
RU1811610C (ru) Устройство дл исследовани характеристик потоков