SU651448A1

SU651448A1 - Selective amplifier

Info

Publication number: SU651448A1
Application number: SU772436838A
Authority: SU
Inventors: Григорий Маркович Аристархов; Сергей Владимирович Вахрушев; Валерий Сергеевич Гуренко
Original assignee: Войсковая Часть 44388-Р/1
Priority date: 1977-01-02
Filing date: 1977-01-02
Publication date: 1979-03-05

Description

(54) ИЗБИРАТЕЛЬНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ(54) ELECTOR AMPLIFIER

Изобретение относитс к усилител м и может использоватьс в радиотехнической аппаратуре различного назначени , например в микроэлектро ных радиоприемных устройствах. Известен избирательный усилитель содержащий усилительный каскад на двух транзисторах, включенных по диф ференциальноЯ схеме, с генератором тока в общей эмиттерной цепи и резисторами в коллекторных цеп х транзисторов , к базе первого транзистора которого подключен источник входного сигнала, эмиттерный повторитель, вход которого соединен с коллекторам второго транзистора усилительного каскада, и КС-структуру с двум участками провод щего сло , резистив ный слой которой включен между выходом эми,ттерного повторител и базой второго транзистора усилительного каскада 1. Однако в известном избирательном усилителе при отклонении отношени сопротивлени резистивного сло КСструктуры Kg к сопротивлению нольрезистора КрОт значени , необходимого дл формировани нул передачи резко увеличиваетс произведение чувствительности добротности на требуемь1й дл реализации заданной добротности коэффициент усилени , а это, в свою очередь, приводит к нестабильности частотной характеристики усилител . Целью изобретени вл етс повышение стабильности частотной характеристики усилител . Дл этого в избирательном усилителе , содержащем усилительный каскад на двух транзйСтд гаХ, вклйчгённых по дифференциальной схеме, с генератором тока в общей эмиттерной цепи и резисторами в коллекторных цеп х транзИсторЬв ,к базе первого транзистора которого подключён источник входного сигнала, эмиттерный повторитель , вход которого соединен с коллектором второго транзистора усилительного каскада , и КС-структуру с двум участками провод щего сло , резистивный слой которой вк лючен между выходом эмиттерного повторител и базой второго транзистора усилительного каскада, один из участков провод щего сло КС-структуры подключен к выходу эмиттерного повторител , а другой - к коллектору первого транзистора усилительного каскада.The invention relates to amplifiers and can be used in various types of radio equipment, for example, in microelectronic radio receivers. A selective amplifier containing an amplifying cascade on two transistors connected in a differential circuit, with a current generator in a common emitter circuit and resistors in collector circuits of transistors, is known, the emitter follower is connected to the base of the first transistor, the input of which is connected to the collectors of the second transistor amplifier cascade, and KS-structure with two sections of the conductive layer, the resistive layer of which is connected between the output of the em, tter follower and the base of the second tr anzistor of the amplifier cascade 1. However, in a known selective amplifier, when the resistance ratio of the resistive layer of the KS structure Kg to the resistance of the zero resistor KrO deviates from the value necessary for the formation of a transmission zero, the product of Q-sensitivity increases by the gain required for the implementation of a given Q-factor, and this, in turn, leads to instability of the frequency response of the amplifier. The aim of the invention is to increase the stability of the frequency response of the amplifier. To do this, a selective amplifier containing an amplifying cascade on two transistors gaH, included in a differential circuit, with a current generator in the common emitter circuit and resistors in the collector circuits of the transistor, to the base of the first transistor the emitter follower is connected with the collector of the second transistor of the amplifier cascade, and the COP-structure with two portions of the conducting layer, the resistive layer of which is connected between the output of the emitter follower and the base of the second th transistor amplifier stage, one of the portions of the conductive layer COP structure connected to the output emitter follower, and the other - to the collector of the first transistor amplifier stage.

На фиг. 1 представлена принципиальна электрическа схема избирательного усилител ; на фиг. 2 - RCетруктура с продольным разрезом на .провод щем слое; на фиг. 3 - схематческое изображение КС-структуры.FIG. 1 shows a circuit diagram of a selective amplifier; in fig. 2 - RC structure with a longitudinal section on the conducting layer; in fig. 3 is a schematic representation of a KS structure.

Избирательный усилитель содержит усилительный каскадна двух транзисторах 1,2, включенных по дифференциальной схеме, с генератором тока 3 в общей эмиттерной цепи и резисторами 4,5 в коллекторных цеп х транзисторов. К базепервого транзистора 1 подключен источник входного сигнала. Вход эмиттерного повторител б сое5а;инен с коллектором второго транзистора 2 усилительного каскада. Усилитель содержит RCструктуру 7 с двум участками 8,9 провод щего сло , резистивный слой 10 которой включен между выходом эмиттерногр повторител б и базой второго транзистора 2 усилительного каскада. Участок 9 провод щего сло КС-структуры подключен к выходу эмитерного повторител б, а участок 8к коллектору первого транзистора 1 усилительного каскада.-, .---,-,The selective amplifier contains an amplifier cascade of two transistors 1.2, connected in a differential circuit, with a current generator 3 in the common emitter circuit and resistors 4.5 in the collector circuit of the transistors. To the base-transistor 1 is connected to the input source. The emitter follower input is so5a; inn with the collector of the second transistor 2 of the amplifier stage. The amplifier contains an RC structure 7 with two sections 8.9 of the conductive layer, the resistive layer 10 of which is connected between the output of the emitter and the repeater b and the base of the second transistor 2 of the amplifier cascade. The conductive layer part 9 of the CS structure is connected to the output of the emitter follower b, and the section 8k to the collector of the first transistor 1 of the amplifier cascade.-, .---, -,

КС-структура 7 (см. фиг. 2) представл ет собой трехслойную систему, вБйт сэлненную по технологии интегра льных схем, и содержит резистивны слой 10, диэлектрический слой 11 и провод щий слой, разделенный на учаки 8,9 продольным разрезом.The CS-structure 7 (see Fig. 2) is a three-layer system, in Byte sled according to the integrated circuit technology, and contains a resistive layer 10, a dielectric layer 11 and a conductive layer divided into sections 8.9 by a longitudinal section.

рассмотрим частотные свойства RCструктурЫу , включенной в цепи положительной и отрицательной-обратной св зи.Consider the frequency properties of the RC structure included in the positive and negative feedback loops.

Функци разреза f(х) провод щего сло RC-структуры имеет видThe cut function f (x) of the conducting layer of an RC structure is

1Г1G

М,M,

fCxi-p.(cos K-cos||x:), fCxi-p. (cos K-cos || x :),

где О () 0,66 - коэффициент, В - длина КС-структуры При подаче входного сигнала на участок 8 провод щего сло ми при выполнении условий короткого замыкани в койце и холостого хода в начале резистивного сло передаточна функци НС-структуры имеет видwhere O () 0.66 is the coefficient, B is the length of the KS structure.

Шо Sho

0,8 р)0.8 p)

U , , иСо) VP)-t1 )U, Iso) VP) -t1)

.2. o.2. o

u,u(e-)o p-v- p+uuu, u (e-) o p-v- p + uu

511где o 4Rce2 03 R,C - погонные сопротивление и емкость RC-структуры длиной е.511 where o 4Rce2 03 R, C is the linear resistance and capacity of an RC structure of length e.

Тогда передаточна функци RCст-руйфуры при пс1даче сигнала на участок 9 провод щего сло и на конец резистивного сло 10 .при ( и-и( E)-Ugx) и обеспечении услови короткого замыкани участка 8 запишетс следующим образомThen the transfer function of the RCstuyfury with a psi signal to the conductive layer section 9 and the end of the resistive layer 10 at the (and-and (E) -Ugx) and ensuring the short circuit condition of section 8 is written

.М-К.Ср С2).M-K.Sr C2)

В соответствии со схемой фиг. 1 передаточную функцию, резонансного усилител с коэффициентом усилени дифференциального каскада и с частотно-зависимыми цеп ми положительной обратной св зи с коэффициентом передачи k (р) и отрицательной обратной св зи с коэффициентом передачиIn accordance with the scheme of FIG. 1 transfer function, a resonant amplifier with a gain of the differential stage and frequency-dependent positive feedback circuits with a transfer coefficient k (p) and negative feedback with a transfer coefficient

) можно записать в виде) can be written as

ЛL

Т(р:T (p:

(г-)(g-)

-|+ С-|-2К,(р11- | + С- | -2К, (р11

Подставл (1) в (3), получим.Substituting (1) in (3), we get.

их their

(, (,

2 11XU1;M.UJO г2 11XU1; M.UJO g

г t а г рg t a g p

Л L

лl

(.)(.)

1±1 ±

раЧ рл-и;;rach rl ;;

п -illlrn -llllr

-(|-Л1С-|-(,6р1 - добротность- (| -L1S- | - (, 6p1 - quality factor

25 полюса передаточной характеристики резонансного усилител ;25 poles of the transfer characteristic of a resonant amplifier;

и; -М1центральна частота and; -M1 center frequency

° 4Rce усилител .° 4Rce amplifier.

Из выражени дл передаточной характеристики избирательного усилител следует, что она вл етс дробно-рациональной функцией частоты и характеризуетс взаимной независимостью центральной частоты и добротности , а, вследствие независимости центральной частоты от коэффициента усилени дифференциального каскада предложенный избирательный усилитель при прочих равных услови х имеет брлё1е высокую стабильность частоты по Сравнению с известным.From the expression for the transfer characteristic of a selective amplifier, it follows that it is a fractionally rational function of frequency and is characterized by mutual independence of the center frequency and quality factor, and, due to the independence of the center frequency from the gain of the differential stage, the proposed selective amplifier has excellent stability under other equal conditions frequency Compared with the known.

Кроме того, при той же стабильности коэффициента усилени , что и в известной схеме, на предложенном усилителе можно реализовать более высокую добротность, или при одной и той же добротрости обеспечить более высокую ее стабильность.In addition, with the same stability of the gain as in the known scheme, a higher Q can be realized on the proposed amplifier, or its higher stability can be ensured with the same Q-factor.

Claims

Invention Formula

A selective amplifier containing an amplifying cascade on two transistors connected in a differential circuit with a current generator in a common circuit and resistors in collector circuits of transistors, to the base of the first transistor of which an input source is connected, an emitter follower connected to the second collector an amplifier cascade transistor, and an RC structure with two sections of the conductive layer.

a resistive layer of which is connected between the output of the emitter follower and the base of the second transistor of the amplifier stage, characterized in that, in order to increase the frequency stability of the conducting layer of the RC structure

connected to the output of the emitter follower, and the other to the collector of the first transistor of the amplifying stage.

Sources of information taken into account in the examination 1. US patent No. 3436669, cl. 330-21, 1968.

//2.2.