SU650212A1

SU650212A1 - Mos transistor-based amplifier

Info

Publication number: SU650212A1
Application number: SU731923682A
Authority: SU
Inventors: Александр Григорьевич Солод; Валентин Данилович Бочко; Сергей Иванович Яровой; Сергей Георгиевич Мерхалев
Original assignee: Предприятие П/Я Х-5737
Priority date: 1973-05-22
Filing date: 1973-05-22
Publication date: 1979-02-28

Description

нагрузочных транзисторов 8 и 9 и генератора тока на транзисторе 10.load transistors 8 and 9 and the current generator on the transistor 10.

Устройство работает следующим образом.The device works as follows.

При подаче на вход дифференциального усилител переменного сигнала процессы, происход щие в плечах дифференциального усилител идентичны, но противоположны по фазе, поэтому работу дифференциального усилител можно показать на работе одного плеча.When a variable signal is applied to the input of the differential amplifier, the processes occurring in the shoulders of the differential amplifier are identical but opposite in phase, so the operation of the differential amplifier can be shown on the operation of one arm.

При подаче сигнала на вход транзистора 1 усиленный и инвертированный сигнал по вл етс на вых. 2, а также на вых. 4 второго каскада и подаетс на затвор транзистора 3.When a signal is applied to the input of transistor 1, an amplified and inverted signal appears at the output. 2, as well as on the out. 4 of the second stage and is supplied to the gate of the transistor 3.

Таким образом, изменени напр жени на истоке и затворе нагрузочного транзистора 3 имеют одинаковую фазу и амплитуду, при этом разность потенциалов затвор - исток этого транзистора остаетс неизменной, обеспечива услови работы транзистора 3 в режиме генератора тока. Высокое динамическое сопротивление генератора тока в нагрузке обеспечивает высокий коэффициент усилени дифференциального усилител при малых геометрических размерах входных и нагрузочных транзисторов и, следовательно , высокой степени интеграции.Thus, the voltage changes at the source and the gate of the load transistor 3 have the same phase and amplitude, while the potential difference of the gate - the source of this transistor remains unchanged, providing the condition of the transistor 3 in the current generator mode. The high dynamic resistance of the current generator in the load provides a high gain of the differential amplifier with small geometrical dimensions of the input and load transistors and, consequently, a high degree of integration.

Claims

Invention Formula

An MOS transistor amplifier made in an integrated technology, containing two differential stages, each consisting of the first and second input transistors, the first and second load transistors and a current generator in the common source circuit of the input transistors, characterized in that amplification while maintaining a high degree of integration, the sources of the first and second input transistors of the first stage are connected to the gates of the first and second input transistors of the second stage, respectively kada, and the origins of the first and second transistors of the second stage are connected to the gates of the second and first load transistors of the first stage, respectively.

Sources of information taken into account during the examination 1. USSR Author's Certificate No. 367578, cl. H 03F 3/34, 1971.

2. US patent No. 3581226, cl. 330-30, 1971.

Siix.3