Изобретение относитс к области электронной техники и может быть применено дл измерени ударного тока без разрушени силового полупроводникового прибора. Известные устройства позвол ют определ ть величину ударного тока по ее коррел ционным св з м с пр мым падением напр жени на структуре, по ширине температурного гистерезисного шлейфа и дл тиристоров по потере запирающей способности. Известно устройство Щ , содержащее генератор синусоидального тока, регистрирующее устройство и индикатор . Недостатками известного устройства . вл ютс : 1,Веро тностный характер св зи между величиной ударного тока и указанными параметрами и факторами. 2.Отсутствие объективного контрол величины ударного тока. 3. Низка производительность. Известно устройство 2 дл неразрушающего измерени ударного тока си ловых полупроводниковых приборов, содержащее генератор импульсов, соединенный с испытуемым прибором и блоком задержки, а также схему сравнени , блок индикации. Цель изобретени - повышение объективности контрол . Поставленна цель достигаетс тем, что устройство содержит два блока делени , токосъемный резистор в цепи испытуемого прибора и подключенный к нему измеритель тока, причем блоки делени соединены с измерителем тока, схемой сравнени и с испытуемым прибором: один непосредственно, а другой - через блок задержки. Выход схемы сравнени соединен с генератором импульсов и через блок индикации с измерителем тока. На чертеже представлена структурна схема устройства дл измерени ударного тока. Устройство содержит управл емый генератор 1 синусоидального импульса ударного тока, измеритель .тока 2, делитель 3 ( ) / блок сдвига 4 (lIltAt) или U i (ui)), делитель 5 (Xlj/ii ribi ), схему 6 сравнени rb и rbi, блок индикации 7, токосъемный резистор 8. Устройство работает следующим образом .The invention relates to the field of electronics and can be applied to measure the shock current without destroying a power semiconductor device. The known devices make it possible to determine the magnitude of the shock current by its correlation with the direct voltage drop across the structure, across the width of the temperature hysteresis loop, and for the thyristors from the loss of locking ability. A device U is known, containing a sinusoidal current generator, a recording device and an indicator. The disadvantages of the known device. are: 1, the probabilistic nature of the relationship between the magnitude of the shock current and the specified parameters and factors. 2. The absence of objective control of the magnitude of the shock current. 3. Low performance. A device 2 is known for non-destructive measurement of the shock current of power semiconductor devices, comprising a pulse generator connected to the device under test and a delay unit, as well as a comparison circuit, a display unit. The purpose of the invention is to increase the objectivity of the control. The goal is achieved by the fact that the device contains two dividing units, a current collector resistor in the circuit of the device under test and a current meter connected to it, the dividing units being connected to the current meter, the comparison circuit and the device under test: one directly and the other through the delay unit. The output of the comparison circuit is connected to a pulse generator and through an display unit with a current meter. The drawing shows a block diagram of a device for measuring the shock current. The device contains a controlled generator 1 of a sinusoidal pulse of shock current, a current meter 2, a divider 3 () / shift unit 4 (lIltAt) or U i (ui)), a divider 5 (Xlj / ii ribi), a comparison circuit 6 rb and rbi , the display unit 7, the collector resistor 8. The device operates as follows.
Испытуемый прибор (диод, тиристор) подключают к клеммам и запускают управл емый генератор 1 синусоидального импульса ударного тока, амплитуда которого превышает значение ударного тока, предусмотренное ГОСТом дл данного типа приборов. Напр жение через вентиль подаетс на делители, коэффициент делени которых вл етс функцией тока. Первый делитель 3 производит деление Hj/i выдава напр жение ТГ2 пропорциональное сопротивлению гЪ2 вентил при токе i. Второй делитель 5, подключенный через блок сдвига 4, производит деление , выдава напр жение Ui, соответствующее rbj. Управление делител ми осуществл етс от измерител тока 2. Сигналы с делителей 3 и 5 поступают на схему сравнени б, котора сравнивает значени TJj и TJ , что соответствует гЬо и VD j . При rbj г Ъ 1 схема сравнени 6 выдает сигнал на блок индикации и генератор 1, По этому сигналу выключаетс управл емый генератор синусоидального импульса тока, а блок индикации зафиксирует величину тока.The device under test (diode, thyristor) is connected to the terminals and the controlled generator 1 of a sinusoidal pulse current shock, whose amplitude exceeds the value of the shock current provided by the GOST for this type of devices, is started. The voltage through the valve is applied to the dividers, the division ratio of which is a function of the current. The first divider 3 produces the division Hj / i; the voltage TG2 is proportional to the resistance h2 of the valve at current i. The second divider 5, connected through the shift block 4, produces division, giving out the voltage Ui, corresponding to rbj. The dividers are controlled from the current meter 2. The signals from dividers 3 and 5 are sent to the comparison circuit b, which compares the values of TJj and TJ, which corresponds to h0 and VD j. When rbj r b 1, the comparison circuit 6 outputs a signal to the display unit and the generator 1. By this signal, the controlled generator of the sinusoidal current pulse is turned off, and the display unit will record the current value.
Схема предусматривает измерение ударного тока в течение первой половины синусоидального импульса. Така работа схемы позвол ет автоматически объективно измерить величину ударногThe scheme provides measurement of the shock current during the first half of a sinusoidal pulse. Such an operation of the circuit makes it possible to automatically objectively measure the magnitude of the shock
тока без разрушени олупроводникового прибора.current without destruction of the semiconductor device.