SU621278A1

SU621278A1 - Способ получени токового сло в плазме

Info

Publication number: SU621278A1
Application number: SU762425483A
Authority: SU
Inventors: Л.И. Киселевский; Г.С. Антонов
Original assignee: Ордена Трудового Красного Знамени Институт Физики Ан Бсср
Priority date: 1976-12-01
Filing date: 1976-12-01
Publication date: 1982-08-15

Abstract

С1ЮСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОКОВОГО СЛОЯ в ПЛАЗМЕ, включающий созданиеэв1ектрнческого пол , отличаю-, щ.и и с тем:^ что, с целью получени токового ютаз»4енного сло еб^шзи метагшичес'Кой поверздаости, контакти- рующ^ с плазмой, ускор ющее электрическое поле в пристеночной области создшот путем облучени поверхности световые потоком вакуумной ультрафиолетовой области спектра с энергией, болывей энергии но11изации ат(Я4ОВ, испар ющихс из металла, в пределах пристеночного токового сло .

Description

§

W

с

Изобретение относитс к области техиики получени токовых слоев в плазме и может быть использовано дл создани в плазме магнитных погрей высокой плотности и коротких импульсов электрического пол , ускор ющих плазму и частицы.

Известны способы создани нейтрального токового сло вблизи нулевых линий магнитного пол путем сближени двух ударных волн Cl}, Эти способы не позвол ют, однако, получать токовые слои с высокой плотностью энергии.

Известен способ получени токового сло в плазме, включающий создание электрического пол 2. Существующий способ не позвол ет получать токовый плазменный слой вблизи (до рассто ни 1 ым) металлических пове хностей , а следовательно, и ускор ть тонкие пристеночные плазменные слои.

Целью изобретени вл етс получение токового плазменного сло вблизи металлической поверхности, контактирующей с плазмой.

Поставленна цепь достигаетс тем, что ускор ющее электрическое Поле в пристеночной области создают путем облучени поверхности светоBKW потоком вакуумной ультрафиопетовой области спектра с энергией, большей энергии ионизации атомов, испар ющихс из металла, в пределах пристеночного токового сло .

Сущность способа по сн етс чертежом , на котором представлена схема способа получени токового сло в плазме, где 1 - металлическа пластина , 2 - токовый спой, 3 - световой поток. При контакте плазмы с поверхностью металла в пристеночной области создаетс контактна разность потенциалов плазма - металл V с отрицательным потенциалом на металле. Если плотность плазмы Ne и ее температура Т имеют Отличный от нул градиент вдоль поверхности, контактна разность потенциалов в разных участкак металлической поверхности окажетс неодинаковой, что, в свою очередь , вызовет по вление в пристеночном слое касательной составл ющей электрического пол Е. В результате в пристеночнсм слое образуетс VOKOвый слой с направлением, противоположным градиенту Т и Ке, а в металле - ток, совпадакнвдй с этим градиейтом (см.(иг. 1). Возниюше токи создают магнитные пол в плоскост х перпендикул рных току с нулевой ли- нией вблизи поверхности металла.

Возникший пристеночный ток вл етс одним из эффективных каналов устранени касательных градиентов в плазме. Дл того, чтобу этот процесс поддерживалс заданное врем , необходимо к слою подводить энергию, создающую касательную неоднсфодность плазмы.

В предлагаемом способе эту роль осуществл ет ионизируюдай световой поток, иаправл емьй на пластинку и раслределенный неравномерно вдоль ее поверхности (плотность потока должна быть больше там, где требуетс поддерживать более высокие значени Т и N). Энерги квантов светового потока должна быть вьппе энергии ионизации испар ющихс : атомов, чтобы происходала эффективна ионизаци

5 последних, т.е. необходимо использовать вакуумное ультрафиолетовое излучение . Величина потока должна быть выбрана такой, чтобы обеспечивать ионизацию испар ющихс атомов в пределах пристеночного сло .

В этих услови х может поддерживатьс необходимый градиент плазмы, создакйпнй касательное электрическое поле Е.,, и токовое поверхностное движение зар дов в Ш1а:зме,

Пример практической реализации способа состоит в следующем. В вакуумном объеме ( торр) устанавливают плоскую металлическую пласQ тинку (30x10x2 мм). Тип металла безразличен . В стороне от пластины устанавливае с твердое тело с высвёоjieHHbW внем капилл ром ф 0,5 мм, внутри которого на короткое врем

5 fl мксек) создают плотную плазму ( Р-100 атм) с те1«1ературой 40000 К. Плотна плазма образует разлетающуюс в в «суум разреженную плазму, котора при своем расщирении сталкиваетс под острьм углом с пластинкой. Эта плазма вл етс затравочной. Плотность ее и температура уменьшаютс вдоль пластинки.

Плотна плазма вл етс одновременно источником световой радиации с большим числом квантов вакуумной ультрафиолетовой области, энерги которых превьщтает энергию ионизации

паров металла. При выбранном положении источника и пластинки плотность световой энергии также уменьшаетс вдоль пластинки и находщтс

в пределах 10 - 0 вт/см, что обеспечивает ионизацию паров металла в пределах пристеночного сло толщиной в 1 мм.

/ /z/////////.

v//w//A///z:

Claims

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОКОВОГО СЛОЯ В ПЛАЗМЕ, включающий создание электрического поля, отличаю-, щ.и й с я тем* что, с целью получения токового плазменного слоя вблизи металлической поверхности, контактирующей с плазмой, ускоряющее электрическое поле в пристеночной области создают путем облучения поверхности световьм потоком вакуумной ультрафиолетовой области спектра с энергией, большей энергии ионизации атомов, испаряющихся из металла, в пределах пристеночного токового слоя.

ьэ м Q0

1 621278 >