SU619988A1

SU619988A1 - Shf resonator

Info

Publication number: SU619988A1
Application number: SU772475335A
Authority: SU
Inventors: Владимир Михайлович Михайлов; Борис Сергеевич Юрьев
Original assignee: Предприятие П/Я А-3759
Priority date: 1977-04-11
Filing date: 1977-04-11
Publication date: 1978-08-15

Description

(54) СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ РЕЗОНАТОР(54) SUPER-HIGH-FREQUENCY RESONATOR

Изобретение относитс к радиотехнике и может использоватьс в усилител х и фильтрах при электрической дискретной перестройке частоты.The invention relates to radio engineering and can be used in amplifiers and filters in electrical discrete frequency tuning.

Известен сверхвысокочастотный резонатор , содержащий короткозамкнутый отрезок коаксиальной линии и конденсатор, образованный внешним проводником резонатора и полыми цилиндрами, расположенными коаксиально относительно оси внутреннего проводника резонатора 1.Known microwave resonator containing a short-circuited segment of a coaxial line and a capacitor formed by the outer conductor of the resonator and hollow cylinders arranged coaxially relative to the axis of the inner conductor of the resonator 1.

Однако известный сверхвысокочастотный резонатор имеет узкий диапазон рабочих частот.However, the known microwave resonator has a narrow operating frequency range.

Цель изобретени - расширение диапазона рабочих частот.The purpose of the invention is to expand the range of operating frequencies.

Дл этого в предлагаемом сверхвысокочастотном резонаторе каждый из полых цилиндров соединен с торцом внутреннего проводника резонатора через дополнительно введенные полупроводниковые диоды, расположенные симметрично относительно оси внутреннего проводника резонатора на равном рассто нии один от другого.To do this, in the proposed microwave resonator, each of the hollow cylinders is connected to the end of the internal conductor of the resonator through additionally introduced semiconductor diodes located symmetrically with respect to the axis of the internal conductor of the resonator at equal distance from one another.

На чертеже представлен предлагаемый резонатор в разрезе, обший вид.The drawing shows the proposed resonator in the section, General view.

Сверхвысокочастотный резонатор содержит короткозамкнутый отрезок коаксиальной линии 1 и конденсатор 2, образованный внешним проводником 3 резонатора и полыми цилиндрами ,4, расположеннььми коаксиально относительно оси внутреннего проводника 5 резонатора, причем каждый из полых цилиндров 4 соединен с торцом внутреннего проводника 5 резонатора через дополнительно введенные полупроводниковые диоды 6, расположенные симметрично относительно оси внутреннего проводника 5 резонатора на равном рассто нии один от другого, при этом полые цилиндры 4 внутри резонатора выступают в пор дке уменьшени их диаметра.The microwave cavity contains a short-circuited segment of the coaxial line 1 and a capacitor 2 formed by the outer conductor 3 of the resonator and hollow cylinders, 4 located coaxially relative to the axis of the inner conductor 5 of the resonator, each of the hollow cylinders 4 connected to the end of the inner conductor 5 of the resonator through additionally semiconductor diodes 6, located symmetrically with respect to the axis of the inner conductor 5 of the resonator at an equal distance from one another, while the hollow chi Lindra 4 inside the resonator are in the order of decreasing their diameter.

Устройство работает следующим образом .The device works as follows.

Перестройка резонатора по диапазону осуществл етс подключением в цепь резонатора конденсатора 2 путем подачи напр жени пр мого смещени на соответствующие полупроводниковые диоды 6, при этом на остальные полупроводниковые диоды 6 подаетс запирающее напр жение. Поскольку полупроводниковые диоды 6 в цепи включеиного конденсатора 2 соединены нараллсльно , то ooHiee сонротивление их становитс меньше в п раз. где п - число лкхтунроводниковых диодов 6 в цепи. Кроме того, полупроводниковые диоды 6 расположены в области резонатора, где ток СВЧ - минимален , а следовате.льио, потери, вносимые HNH1, уменьшатс в / п чнс.ю раз, где 13-ток . про.ход ший через иолуи; : водниковый диод 6, помешенный у замкнутого конца отрезка коаксиа.1ьной линии 1, а 1р- ток, иро,ход н1ий через нолунроводниковый диод 6, помешенный у разомкнутого конца отрезка коаксиальной линии 1. .Расположение полу фоводниковых диодов 6 симметрично относительно нродольной оси резонатора на равном рассто нии один от другого искk .;iK)4aeT потери, вызываемые нарушением регул рности тока СВЧ и структуры первоначальной Эотектромагнитной волны.Tuning the resonator over the range is accomplished by connecting the capacitor 2 to the resonator circuit by applying a forward bias voltage to the corresponding semiconductor diodes 6, while a blocking voltage is applied to the remaining semiconductor diodes 6. Since the semiconductor diodes 6 in the circuit of the on-capacitor 2 are connected in parallel, their ooHiee resistance becomes less than n times. where n is the number of light diodes 6 in the circuit. In addition, semiconductor diodes 6 are located in the region of the resonator, where the microwave current is minimal, and, consequently, the losses introduced by HNH1 decrease in / out of time, where the 13-current. passing through the south side; : Vodnik diode 6 placed at the closed end of the coaxial line. 1n line 1, and 1p is the current, iro, n1 line through the NLL diode 6, placed at the open end of the coaxial line 1. The location of the semiconductor diodes 6 is symmetrical with respect to the resonator axis. at an equal distance from each other, claim.; iK) 4aeT, the losses caused by the violation of the regularity of the microwave current and the structure of the original Eotectromagnetic wave.

Таким образом, введение в резонатор конденсаторов, емкости которых образованы внешним проводником и полыми цилиндрами , соединенными через полупроводниковыеThus, the introduction of capacitors into the resonator, whose capacitances are formed by an external conductor and hollow cylinders connected through semiconductor

диоды с внутренним НрОгЗОДНИКОМ, ПОЗВОЛЯсг уменьнжть собственные потери при электрической дискретной перестройке частоты, уменьншть габариты и вес резоиатора поinternal diode diodes, allowing the use of its own losses in the case of electrical discrete frequency tuning, a decrease in size and weight of the resistor

сравнению с иерестраивасмым в том /кс диапазоне частот с помон1ыо индуктивных нетель.Compared with the frequency range in the t / kc frequency range with the help of inductive netel.

Claims

1. Volgov V.A. Detas / I and electronic equipment nodes. M., “Energy 1967, p. 404.