SU602796A1 - Термометр сопротивлени - Google Patents
Термометр сопротивлениInfo
- Publication number
- SU602796A1 SU602796A1 SU762347142A SU2347142A SU602796A1 SU 602796 A1 SU602796 A1 SU 602796A1 SU 762347142 A SU762347142 A SU 762347142A SU 2347142 A SU2347142 A SU 2347142A SU 602796 A1 SU602796 A1 SU 602796A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- resistance
- thermometer
- silicon
- sensitive element
- temperature
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
(54) ТЕРМОМЕТР СОПРОТИВЛЕНИЯ
Claims (2)
- Изобретение относитс к области температур ных измерений, а именно к пленочным термометрам сопротивлени . Известны термометры сопротивлени , чувстви тельный элемент которых вьшолнен из высокоомного кремни , легированного золотом 1 . Они имеют высокую чувствительность, однако их недостатком вл етс нелинейна зависимость сопротив лени от температуры в широком диапазоне температур . Из известных термометров сопротивлени наи более близким по технической сущности к предлагаемому вл етс пленочный термометр сопротивлени 2, чувствительный элемент которого выполнен в виде монокристаллических слоев твердых растворов Ge+Si. Однако такой термометр отличаетс недостаточно широким диапазоном измер емых температур . Целью изобретени вл етс расширение температурного диапазона измерений. Цель достигаетс тем, что в предлагаемом тер мометре элемент выполнен из гетерозпитаксиально структуры кремний на сапфире. Конструктивно термометр сопротивлени выполнен в виде диэлектрической подложки с контактными площадками, на которую метЪдом эпитаксиального осаждени нанесена пленка кремни . Термометр сопротивлени имеет линейную зависимость сопротивлени от температурь в интервале температур от -100 до +400° С. Область измерени температур простираетс до -200° С. Удельное сопротивление гетероэпитаксиальной структуры лежит в пределах 0,0007 - 0,007 Ом-см. При изготовлении термометра сопротивлени из материала с удельным сопротивлением выше 0,007 ОмСМ по вл етс нелинейность в его характеристике . Вел1тчшт номинального сопротивлени термометра может измен тьс в 1Ш1роких пределах от 100 Ом до 10 кОм и определ етс заданной чувствительностью , необходимой точностью измерени , услови ми теплоотвода. Например, при сопротивлении термометра, равном 5 кОм и напр жении питани 5 В его чувствительность составл ет 2,5 мВ/градус при точности измерени 0,5° С. 3 Термометр сопротивлени стоек к радиащюниому излучению. Его удельное сопротивление не измен етс вплоть до доз облучени 5 10 нейтронов/см . Вьшрлнение чувствительного злемента термо- s метра из структуры кремний на сапфире позвол ет использовать при изготовлении термометра сопротивлени хорошо отработанную технологию изготовлени кремниевых приборов и микросхем. Мала толщина эпитаксиальной пленки кремни л/1 мкм ю позвол ет изготавливать термометры сопротивлений с любым начальным сопротивлением и размерами. не превышающими 1 1 6027 96 4 Формула изобретени Термометр сопротивлени , содержащий чувствительный злемент в виде пленки, нанесенной на диэлектрическую подпо ску, отличающий с тем, что, с целью расширени температурного диапазона измерений, чувствительный злемент выполней из гетерозпитаксиальной структуры кремний на сапфире. Источники информации, прин тые во внимание призкспертизе: i. Патент США М 3292129, кл. 338-22, 1966.
- 2. Авторское свидетельство СССР М 478202 кл. G 01 К 7/16, 1973.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU762347142A SU602796A1 (ru) | 1976-04-12 | 1976-04-12 | Термометр сопротивлени |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU762347142A SU602796A1 (ru) | 1976-04-12 | 1976-04-12 | Термометр сопротивлени |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU602796A1 true SU602796A1 (ru) | 1978-04-15 |
Family
ID=20656710
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU762347142A SU602796A1 (ru) | 1976-04-12 | 1976-04-12 | Термометр сопротивлени |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU602796A1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5435646A (en) * | 1993-11-09 | 1995-07-25 | Hughes Aircraft Company | Temperature measurement using ion implanted wafers |
-
1976
- 1976-04-12 SU SU762347142A patent/SU602796A1/ru active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5435646A (en) * | 1993-11-09 | 1995-07-25 | Hughes Aircraft Company | Temperature measurement using ion implanted wafers |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Gibson | The absorption spectra of single crystals of lead sulphide, selenide and telluride | |
US3832668A (en) | Silicon carbide junction thermistor | |
Domen | Absorbed dose water calorimeter | |
US5141334A (en) | Sub-kelvin resistance thermometer | |
Fuchs et al. | Analysis of the performance of an improved soil heat flux transducer | |
JPH0749270A (ja) | 温度センサ | |
SU602796A1 (ru) | Термометр сопротивлени | |
Bloodworth et al. | Use of thermistors for the measurement of soil moisture and temperature | |
Anderson et al. | Some observations on resistance thermometry below 1 K | |
US4772866A (en) | Device including a temperature sensor | |
GB1202280A (en) | Improvements in or relating to the measurement of maximum temperatures | |
US3186229A (en) | Temperature-sensitive device | |
Christodoulides et al. | Ion beam studies Part II: A calorimetric method for ion beam studies | |
SU887945A1 (ru) | Терморезистор | |
RU2145135C1 (ru) | Полупроводниковый термопреобразователь сопротивления | |
Sarajlić et al. | Thin-film four-resistor temperature sensor for measurements in air | |
Parthasarathy et al. | Effect of pressure on the electrical resistivity of bulk Ge20Te80 glass | |
Berlicki et al. | Thermal thin-film sensors for rms value measurements | |
Shioyama et al. | Simple vacuum gauge using TaN thin films in the pressure range of 105 to 10− 3 Pa | |
US5142150A (en) | Horizon sensor for satellites using superconductor(s) having a high critical temperature | |
Seki et al. | Characteristics of germanium thin film thermometers for use at low temperatures | |
SU478202A1 (ru) | Резистивный датчик | |
Wieczorek et al. | Thermal conductivity of amorphous films | |
JPH0769221B2 (ja) | 温度検知材料、温度センサー及び温度測定方法 | |
Levy et al. | The electronic properties of semiconducting chalcogenide glasses in the series Tex (Si0. 24Ge0. 20As0. 56) 1-x |