SU602796A1 - Термометр сопротивлени - Google Patents

Термометр сопротивлени

Info

Publication number
SU602796A1
SU602796A1 SU762347142A SU2347142A SU602796A1 SU 602796 A1 SU602796 A1 SU 602796A1 SU 762347142 A SU762347142 A SU 762347142A SU 2347142 A SU2347142 A SU 2347142A SU 602796 A1 SU602796 A1 SU 602796A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
resistance
thermometer
silicon
sensitive element
temperature
Prior art date
Application number
SU762347142A
Other languages
English (en)
Inventor
Алексей Васильевич Белоглазов
Владимир Михайлович Карнеев
Владимир Сергеевич Папков
Владимир Федорович Семенов
Владимир Михайлович Стучебников
Алла Алексеевна Соколова
Наталья Николаевна Суханова
Владимир Михайлович Школьников
Геннадий Дмитриевич Терехов
Original Assignee
Предприятие П/Я А-3759
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я А-3759 filed Critical Предприятие П/Я А-3759
Priority to SU762347142A priority Critical patent/SU602796A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU602796A1 publication Critical patent/SU602796A1/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

(54) ТЕРМОМЕТР СОПРОТИВЛЕНИЯ

Claims (2)

  1. Изобретение относитс  к области температур ных измерений, а именно к пленочным термометрам сопротивлени . Известны термометры сопротивлени , чувстви тельный элемент которых вьшолнен из высокоомного кремни , легированного золотом 1 . Они имеют высокую чувствительность, однако их недостатком  вл етс  нелинейна  зависимость сопротив лени  от температуры в широком диапазоне температур . Из известных термометров сопротивлени  наи более близким по технической сущности к предлагаемому  вл етс  пленочный термометр сопротивлени  2, чувствительный элемент которого выполнен в виде монокристаллических слоев твердых растворов Ge+Si. Однако такой термометр отличаетс  недостаточно широким диапазоном измер емых температур . Целью изобретени   вл етс  расширение температурного диапазона измерений. Цель достигаетс  тем, что в предлагаемом тер мометре элемент выполнен из гетерозпитаксиально структуры кремний на сапфире. Конструктивно термометр сопротивлени  выполнен в виде диэлектрической подложки с контактными площадками, на которую метЪдом эпитаксиального осаждени  нанесена пленка кремни . Термометр сопротивлени  имеет линейную зависимость сопротивлени  от температурь в интервале температур от -100 до +400° С. Область измерени  температур простираетс  до -200° С. Удельное сопротивление гетероэпитаксиальной структуры лежит в пределах 0,0007 - 0,007 Ом-см. При изготовлении термометра сопротивлени  из материала с удельным сопротивлением выше 0,007 ОмСМ по вл етс  нелинейность в его характеристике . Вел1тчшт номинального сопротивлени  термометра может измен тьс  в 1Ш1роких пределах от 100 Ом до 10 кОм и определ етс  заданной чувствительностью , необходимой точностью измерени , услови ми теплоотвода. Например, при сопротивлении термометра, равном 5 кОм и напр жении питани  5 В его чувствительность составл ет 2,5 мВ/градус при точности измерени  0,5° С. 3 Термометр сопротивлени  стоек к радиащюниому излучению. Его удельное сопротивление не измен етс  вплоть до доз облучени  5 10 нейтронов/см . Вьшрлнение чувствительного злемента термо- s метра из структуры кремний на сапфире позвол ет использовать при изготовлении термометра сопротивлени  хорошо отработанную технологию изготовлени  кремниевых приборов и микросхем. Мала  толщина эпитаксиальной пленки кремни  л/1 мкм ю позвол ет изготавливать термометры сопротивлений с любым начальным сопротивлением и размерами. не превышающими 1 1 6027 96 4 Формула изобретени  Термометр сопротивлени , содержащий чувствительный злемент в виде пленки, нанесенной на диэлектрическую подпо ску, отличающий с   тем, что, с целью расширени  температурного диапазона измерений, чувствительный злемент выполней из гетерозпитаксиальной структуры кремний на сапфире. Источники информации, прин тые во внимание призкспертизе: i. Патент США М 3292129, кл. 338-22, 1966.
  2. 2. Авторское свидетельство СССР М 478202 кл. G 01 К 7/16, 1973.
SU762347142A 1976-04-12 1976-04-12 Термометр сопротивлени SU602796A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU762347142A SU602796A1 (ru) 1976-04-12 1976-04-12 Термометр сопротивлени

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU762347142A SU602796A1 (ru) 1976-04-12 1976-04-12 Термометр сопротивлени

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU602796A1 true SU602796A1 (ru) 1978-04-15

Family

ID=20656710

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU762347142A SU602796A1 (ru) 1976-04-12 1976-04-12 Термометр сопротивлени

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU602796A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5435646A (en) * 1993-11-09 1995-07-25 Hughes Aircraft Company Temperature measurement using ion implanted wafers

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5435646A (en) * 1993-11-09 1995-07-25 Hughes Aircraft Company Temperature measurement using ion implanted wafers

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Gibson The absorption spectra of single crystals of lead sulphide, selenide and telluride
US3832668A (en) Silicon carbide junction thermistor
Domen Absorbed dose water calorimeter
US5141334A (en) Sub-kelvin resistance thermometer
Fuchs et al. Analysis of the performance of an improved soil heat flux transducer
JPH0749270A (ja) 温度センサ
SU602796A1 (ru) Термометр сопротивлени
Bloodworth et al. Use of thermistors for the measurement of soil moisture and temperature
Anderson et al. Some observations on resistance thermometry below 1 K
US4772866A (en) Device including a temperature sensor
GB1202280A (en) Improvements in or relating to the measurement of maximum temperatures
US3186229A (en) Temperature-sensitive device
Christodoulides et al. Ion beam studies Part II: A calorimetric method for ion beam studies
SU887945A1 (ru) Терморезистор
RU2145135C1 (ru) Полупроводниковый термопреобразователь сопротивления
Sarajlić et al. Thin-film four-resistor temperature sensor for measurements in air
Parthasarathy et al. Effect of pressure on the electrical resistivity of bulk Ge20Te80 glass
Berlicki et al. Thermal thin-film sensors for rms value measurements
Shioyama et al. Simple vacuum gauge using TaN thin films in the pressure range of 105 to 10− 3 Pa
US5142150A (en) Horizon sensor for satellites using superconductor(s) having a high critical temperature
Seki et al. Characteristics of germanium thin film thermometers for use at low temperatures
SU478202A1 (ru) Резистивный датчик
Wieczorek et al. Thermal conductivity of amorphous films
JPH0769221B2 (ja) 温度検知材料、温度センサー及び温度測定方法
Levy et al. The electronic properties of semiconducting chalcogenide glasses in the series Tex (Si0. 24Ge0. 20As0. 56) 1-x