SU595718A1

SU595718A1 - Reference dc voltage source

Info

Publication number: SU595718A1
Application number: SU762405366A
Authority: SU
Inventors: Юрий Николаевич Кузнецов
Original assignee: Предприятие П/Я М-5632
Priority date: 1976-09-21
Filing date: 1976-09-21
Publication date: 1978-02-28

Description

1one

Изобретение относитс к области электрорадиотехники , а именно к источникам питани , и может быть использовано в стабилизаторах напр жени и тока микроэлектронных устройств.The invention relates to the field of electrical radio engineering, namely to power sources, and can be used in voltage and current stabilizers for microelectronic devices.

Известны источники опорного посто нного напр жени , предназначенные дл получени стабильного посто нного напр жени и содержагние токозадающий резистор и опорный элемент, соединенные последовательно.Reference constant voltage sources are known that are designed to produce a stable constant voltage and contain a current-setting resistor and a supporting element connected in series.

Наиболее близким к изобретению техническим решением вл етс источник опорного посто нного напр жени , содержагний опорный элемент, выполненный на транзисторе п-р-л-тина, эмиттер которого через токозадающий резистор соединен с плюсовым входным выводом и непосредственно с одним выводом дл подключени нагрузки, а коллектор - с минусовым входным выводом и другим выводом дл подключени нагрузки.The closest technical solution to the invention is the source of the reference DC voltage, which contains the pn-transistor transistor, the emitter of which is connected to the plus input terminal and directly to one output through a current-setting resistor, and the collector has a negative input terminal and another output for connecting the load.

Недостатком известного источника опорного посто нного напр жени вл етс отсутствие ограничени предельно допустимой мощности рассеивани на транзисторе опорного элемента.A disadvantage of the known source of the reference DC voltage is the lack of limiting the maximum allowable power dissipation on the transistor of the reference element.

Целью изобретени вл етс защита опорного элемента от превыщени максимально допустимой мощности рассеивани на транзисторе опорного элемента путем самоблокировки по току транзистора опорпого элемента .The aim of the invention is to protect the support element from exceeding the maximum permissible power dissipation at the transistor of the support element by self-locking over the current of the transistor of the supporting element.

Ноставленна цель достигаетс тем, что в источник донолинтельно введен транзистор противоположного транзистору опорного элемента типа проводнмости, коллектор которого соединен с базой, база - с эмиттером транзистора опорного элемента, а эмнттер подсоединен к средней точке токозадающего резистора .The undelivered goal is achieved by the fact that a transistor of a conductive type supporting element opposite to the transistor, the collector of which is connected to the base, the base to the emitter of the transistor of the supporting element, and the emulator are connected to the midpoint of the current-creating resistor, is donolynelno connected to the source.

lia чертеже представлена ттрининниальна электрическа схема источника опорпого )тосто нного напр жени .The lia drawing shows the three-terminal electrical circuit of a source of valid voltage.

Источник опорпого посто нного нанр жени содерлчит оиорный элемент, выполненный на транзисторе 1 п-р-/г-тина, эмиттер которого через токозадающий резистор 2 соединен е плюсовым входным выводом и непосредстзенно с одним выводом дл подключени нагрузки, донолнительно введен11ый траизнстор 3 нротивоположного транзистору 1 оноркого элемента тииа ироводимости.The source of a constant constant voltage contains an oori element made on a transistor 1 n-p- / g-tin, the emitter of which through a current-setting resistor 2 is connected to a positive input terminal and directly to one output terminal for connecting the load, which is finally entered into the transistor 3 opposite to the transistor 1 Onorky element of thia and conductivity.

Поинцип работы предлагаемого источника заключаетс в следующем.The principle of operation of the proposed source is as follows.

При питающем напр жении максимально допустнмой величины через трапзнстор 1 протекает эм;:ттерный ток. При этом падение напр жени на части токозадаюн сго резистора 2 остаетс меньще напр жени отсечки транзистора 3, и транзистор закрыт. При увеличении напр жени питани выше максимально допустимой величины увеличиваетс и эмиттерный ток транзистора . Падение напр жени на нижней части токозадающего резистора 2 также увеличиваетс , становитс больше напр жени отсечки транзистора 3, и последний открываетс . Открывание транзистора 3 приводит к увеличению его коллекторного тока и к увеличению базового тока транзистора 1. Это, в свою очередь приводит к увеличению эмиттерного тока транзистора 1 и к еше большему падению напр жени на нижней части токозадаюшего резистора 2. Возникнувша таким образом положительна обратна св зь по току приводит к насышению транзисторов 3 и 1, т. е. к самоблокировке транзистора опорного элемента. Подбира величину сопротивлени нижней части токозадаюшего резистора 2, можно задавать величину эмиттерного тока транзистора 3, при котором происходнт самоблокировка транзистора 1, ограничива величину мощности рассеивани транзистора 3 на требуемом уровне. Введение транзистора 3, подключенного уном нутым образом, выгодно отличает предлагаемый источник опорного носто нного напр жени от указанного прототипа из-за наличн зашиты источника от перегрузки по питаюшему напр жению, току и допустимой мощности рассеивани .When the supply voltage is the maximum permissible value, the em: flows through the Trapstor 1:; tterny current. At the same time, the voltage drop across the current-carrying part of the resistor 2 remains lower than the cut-off voltage of the transistor 3, and the transistor is closed. As the supply voltage rises above the maximum allowable value, the emitter current of the transistor increases. The voltage drop across the bottom of the current-supply resistor 2 also increases, the cut-off voltage of transistor 3 becomes greater, and the latter opens. Opening the transistor 3 leads to an increase in its collector current and to an increase in the base current of transistor 1. This, in turn, leads to an increase in the emitter current of transistor 1 and to a greater voltage drop on the lower part of the current supply resistor 2. The resultant positive feedback over current leads to the rise of transistors 3 and 1, i.e., self-blocking of the transistor of the support element. By selecting the resistance value of the lower part of the current-creating resistor 2, it is possible to set the emitter current value of transistor 3 at which self-blocking of transistor 1 occurs, limiting the power dissipation of transistor 3 to the required level. The introduction of the transistor 3, connected in one way, favorably distinguishes the proposed source of reference voltage from the specified prototype because of the source protection from the overload on the supply voltage, current and permissible power dissipation.

Claims

+ о As shown by the results of the experimental verification, the proposed source operates in the range of switching currents of 0.1 -10 mA in temperature instability of the switching threshold. . µA of a current of 0.4-40 and, respectively, in the range of threshold values of power dissipation of 0.75-75 mW at a reference voltage of 7.5 V. The invention formula The source of the reference constant voltage containing the reference element made on the p-p-type transistor, the emitter of which is connected to the plus input and directly to one output to connect the load through the current-setting resistor, and the collector with the negative input output and to other output to connect the load, which is designed to protect the reference element about exceeding the maximum permissible power dissipation of the onion transistor by self-locking the transistor of the support element by current, the transistor of the onion element opposite to the transistor of the onor element of the conductivity tin, the collector of which is connected to the base, is inserted into it, the base is connected to the emitter of the transistor of the support element, and the emitter is connected to the midpoint of the current-setting resistor.