SU595694A1

SU595694A1 - Negative photoresist composition

Info

Publication number: SU595694A1
Application number: SU752179094A
Authority: SU
Inventors: Владимир Георгиевич Никольский; Дмитрий Дмитриевич Мозжухин; Валентина Ивановна Юкина; Сергей Ильич Иванов
Original assignee: Предприятие П/Я Х-5476
Priority date: 1975-10-06
Filing date: 1975-10-06
Publication date: 1978-02-28

Description

1,5 мкм при создании интегральных схем и фотошаблонов .1.5 microns when creating integrated circuits and photomasks.

В табл. I приведено молекул рпо-вссовое раснрсделеппс триэфира 1,2-нафто.1пгоидиазнд (2)-5-сульфокпслотьт (ТНСК) л фсполформальдегпдпой смолы (ФФС).In tab. I shows the molecules of rpso-vssovno rassrseleppps triether 1,2-naphtho.1pgoidiaznd (2) -5-sulfoksplott (TNSK) l fspoloformaldegpppy resin (PFF).

Т а б .4II д а 1T a b .4II d a 1

Дл получени негативного фоторезиста готов т смеси 1--3. Состав приведен в табл. 2.To obtain a negative photoresist, mixtures of 1-3 are prepared. The composition is given in table. 2

Ка/кдый раствор методом це11триф тирова и нанос т на нодложк . После далени термообработкой растворител фотослой облучают 8 с через фотошаблон УФ-светом лампы ДРШ-250 иа рассто нии 270 мм. Полученное изображение про вл ют смесью диоксанциклогексаиои {1;1). Толщина фотосло на окиси кремнн составл ет 1,0; 0,7; 0,8 мкм соответственно, а коэффнциент коитрастиости 12,10 и 20 OTit. ед. Разреичающа способность после травлени сохран етс . Уходы геометрических размеров составл ет 0,8 дл 1-й смеси и 0,6 мкм дл 2-й и 3-й смесей.The caustic solution was centrifuged and applied to the substrate. After allowing the solvent to be heat treated, the photolayer is irradiated for 8 s through a photo mask with the UV light of a DRSh-250 lamp and a distance of 270 mm. The resulting image is developed with a dioxancyclohexaio mixture {1; 1). The thickness of the photo layer on silica is 1.0; 0.7; 0.8 μm, respectively, and co-growth ratio 12.10 and 20 OTit. units The resolution after pickling is maintained. Geometry sizes are 0.8 for the 1st mixture and 0.6 microns for the 2nd and 3rd mixtures.

Микродефектноеть, определ ема методом электрографии, составл ет 10,12 и 15 дефектов на 1 см. В табл. 3 приведены фототехнические свойства фоторезиста на восироизводимость и стабильность во времени.The microdefectability, as determined by electrography, is 10.12 and 15 defects per cm. Table. 3 shows the phototechnical properties of photoresist for reproducibility and stability over time.

а б л и ц а 2a b and c a 2

Молекул рио-весовое распределение см. в табл. 1.Molecules rio-weight distribution, see table. one.

Claims

Table 3 5 Formula of the invention A negative photoresist comprising a photosensitive component, an epoxy resin and an organic solvent, characterized in that, in order to increase the contrast and stability over time, it contains 1,2-naphthoquinopdiazide- (2) as a photosensitive agent. ) -5 sulfonic acids and phenol-formaldehyde resin of Novolac type with a ratio of mol. weight, weight. %: 120040-50 950 8-10 400-800 Else15 6 in the following ratio of components, weight. %: Ether of 1,2-naphthohnnondiazide (2) -5-sulfonic acids and novolac-type phenol-formaldehyde resin 16-24 Epoxy resin 2-8 Organic solvent Remaining Sources of information taken into account during the examination 1. USSR Author's Certificate 433868, cl. G OZS 1/52, 1972.