вол ет получить мелкокристаллическую структуру пленок лто уменьшает эффективность преобразовани радиоактивного иапу-. чени в свет, а также увеличиваетс поглощение света в пленке и приводит, следовательно , к уменьшению светоаыхода и разрешени . Цель изобретени - j величение. световыхода и разрешающей способности детекторов Согласно изобретению, указанна цель достигаетс использованием в качестве материала подложки .кристалла, близкого до посто нной решетки к материалу пленки и обладающего плоскост ми спайности, по которым кристалл скалывают. На поверхность скола, служащую подложкой, осаждают, причем при осаждении подложку поддерживают при оптимальной дл данного материала пленки температуре. Способ по сн етс чертежом. В лодочку 1, нагреваемую пропусканием электрического тока, помешают испар емую навеску 2 материала (1активированного шелоч ногалоидного спинтилл тора). Пары материала осаждаютс на подложке, образу пленку 4. Температуру подложки устанавливают нагревателем 5. В качестве подложки исполь- зуют сколотую пластинку кристалла, близкого до посто нной решетки к данному сцинтилл Дл изготовлени тонкопленочного детектора на основе Cs3(T8) наиболее подход щим материалом подложки вл етс фтористый литий, поскольку до посто нной решетки кристалл Li ,0,279 А )близок к кристаллу (,5667). Кроме того, LiF прозрачен в ультрафиолетовой области, куда простираетс спектр высвечивани Cs JCTC)Кристаллы L1 F обладают плоскост ми спайности , по которым они могут быть расколоты . Из кристалла Li F изготавливают скалыванием до плоскост м спайности пластинку толщиной 1 мм, KOTopyid используют в качестве подложки. В лодочку помещают СгЯ(Т), вырезанную из заводсткого кристалла . Установку откачивают до вакуума 10 мм рт. ст., подложку нагревают до Тд (эту температуру поддерживают на всем прот жении напылени ), лодочку нагревают до соотве тствующейт температуры и производ т осаждение СзЗ (.ТС) на подложку. В таблице проводитс .равнение пленок Cs 3 (Тй.), полученных предложенным способом и другими способами JSj и по их световыходу Ь .-отношению к апьфа-частицам и разрещениюТ при энергии альфа-частиц ,5 МэВ. За единицу , световыхода L . прин т световыход массивI --. . / гчп ного кристалла СьЗ(Т).It is possible to obtain a fine-crystalline structure of LTO films, which reduces the conversion efficiency of radioactive material. This also increases the absorption of light in the film and therefore leads to a decrease in light output and resolution. The purpose of the invention is j magnification. light output and resolution of detectors. According to the invention, this goal is achieved by using as the substrate material a crystal close to a constant lattice to the film material and having cleavage planes on which the crystal is cleaved. On the surface of the chip, which serves as a substrate, is deposited, and during deposition the substrate is maintained at the optimum temperature for the given material of the film. The method is explained in the drawing. In the boat 1, heated by passing an electric current, a vaporized load 2 of the material (1 activated sheath of the nanohaloid spintillator) is prevented. Material vapors are deposited on the substrate, forming a film 4. The substrate temperature is set by the heater 5. The substrate used is a chipped crystal plate close to a constant lattice to this scintill. To manufacture a thin film detector based on Cs3 (T8), the most suitable substrate material is lithium fluoride, because to a lattice constant, a Li crystal, 0.279 A) is close to a crystal (, 5667). In addition, LiF is transparent in the ultraviolet region, where the luminescence spectrum of Cs JCTC extends. L1 F crystals have cleavage planes in which they can be split. Li F crystals are made by flaking a plate 1 mm thick to cleavage planes; KOTopyid is used as a substrate. CrH (T), cut from a plant crystal, is placed in the boat. The installation is pumped out to a vacuum of 10 mm Hg. Art., the substrate is heated to Td (this temperature is maintained throughout the spraying), the boat is heated to the appropriate temperature, and the CPS is deposited on the substrate. The table shows a comparison of the Cs 3 (Ti.) Films obtained by the proposed method and other JSj methods and by their light output B.-relation to anti-particles and resolution T at an alpha-particle energy of 5 MeV. Per unit, light output l. received light output arrayI -. . / SCP crystal (T).
Как видно из сравнени данных, пленки, полученные предложенным способом, не уступает по световыходу диффузионным и превосход т выбранные в качестве прототипа . Что же касаетс разрешени Т J пленок, изготовленных предложенным способом (7%), то оно лучше, чем у лпевки-прототипа (12%) у диффузионной (9%), и равно разрешению массивного кристалла. Фоомупа изобретени Способ изготовлени тонкопленочных детекторов дерных излучений на основе активированных ще очногалоидных сцннтилд торов путем термического испарени навески материала саинтипл тора и осаждени ее в виде пленки на подложку, поддерживаемую при оптимальной дл данного сцинтигоштора Температуре, отличающийс тем, что, с цепью увеличени световыхо .да и улучшени разрешающей способвоств детекторов, в качестве материала подложки использзгют кристалл, близкий до поото н ой решетки Е даввому соивтипп тору и об адаюшиЗ ппоскост ми саайвоств, проиэ вод т ,скол лр плоскости спайности, и осаждение пленки осуществл ют на поверхности скола этого кристалла. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе: 1.Монокристаллы и техника, выпЛ (Ю) Харьков, с.SO. 2.Предринт ФТИ АН СССР № 479, 1974, С.13. 3. Г едпринт ФТИ АН СССР hfe 479, 1974, с.11As can be seen from a comparison of the data, the films obtained by the proposed method are not inferior in diffusion to the light yield and are superior to those chosen as the prototype. As for the resolution of T J films made by the proposed method (7%), it is better than the prototype prototype (12%) for diffusion (9%) and is equal to the resolution of a massive crystal. Method of manufacturing thin-film nuclear radiation detectors based on activated halo-scintillor tori by thermal evaporation of a sample of the saintiptor material and deposited in the form of a film on a substrate, maintained at the optimum temperature, which is the same, as in a circuit, a circuit is in a position, and a body is not in a circuit, and the same pattern, as well as a pattern, a pattern, a pattern, a pattern, a dial, and a pattern, a pattern, the same, a pattern, a pattern, a dial, a pattern, and a pattern, a pattern, a pattern, a pattern, a dial, a dial, and a pattern will not be applied; and improving the resolution of the detectors, as a material for the substrate, use a crystal close to the current lattice E to a pressure co-type detector and about Cutting off the sausages, prodie water, cleavage the cleavage plane, and film deposition is performed on the cleaved surface of this crystal. Sources of information taken into account in the examination: 1.Monocrystals and equipment, vol. (S) Kharkov, s.SO. 2.Printrint of the Physicotechnical Institute of the USSR Academy of Sciences No. 479, 1974, p.13 3. G unitprint of the Institute of Physics and Technology of the USSR Academy of Sciences hfe 479, 1974, p.11