SU585753A1 - Способ обработки голографической регистрирующей среды из кристалла ниобата лити - Google Patents
Способ обработки голографической регистрирующей среды из кристалла ниобата литиInfo
- Publication number
- SU585753A1 SU585753A1 SU762369130A SU2369130A SU585753A1 SU 585753 A1 SU585753 A1 SU 585753A1 SU 762369130 A SU762369130 A SU 762369130A SU 2369130 A SU2369130 A SU 2369130A SU 585753 A1 SU585753 A1 SU 585753A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- crystal
- time
- gds
- hologram
- iron
- Prior art date
Links
Landscapes
- Holo Graphy (AREA)
Claims (2)
- (54) СПСЮОБ ОБРАБОТКИ ГХЗЛОГРАФИЧЕСКОЙ РЕГИСТРИРУЮЩЕЙ СРЕДЫ ИЗ КРИСТАЛЛА НИОБАТА ЛИТИЯ .. j пластинки ниобата лити X-среза, толщиной 0,075 см. Измерение времени самостирани производитс слеоующим образом: в кристалле ниобата лити произво цитс запись голограммы излучением вто- s рой гармоники неоцимового лазера (цли . на волны 530 им, длительность импульса 25 НС, энерги в импульсе 0,3 Дж/см). Записываетс простейша голограмма решетка с частотой 500 линий/мм. Вре- te менна зависимость образовани и самостиран голограммы исследуетс с помощью излучени непрерывного гелий-неонового лазера (633 нм). Отжиг кристалла производитс в вое- 15 становительной атмосфере, (вакуум 10 торр, отпа нна стекл нна ампула). Пример. Исходный кристалл с концентрацией примеси железа К-0,31вес. при этом врем самостирани f-1,3 сак После отжига элемента ГРС на основе этого кристалла при 540 С в течение 1 ч врем самостирани уменьшилось до 1Г «0,6 сек. П р и м е р 2. Исходный кристалл с коннентрацией примеси железа К-О,54 вес. % при этом врем самостйрдни Т О,1 сек После отжига элемента ГРС на основе этого кристалла при 54О С в течение 1 ч врем самостирани -уменьшилось до ,01 сек. Как видно из примеров, способ обработки ГРС на основе кристалла ниобата лити с примесью железа при высоких температурах в восстановительной атмосфере приводит к уменьшению времени ca-i мостирани . - / Использование преолагаемого способа обработки голографической регистрирую- шей среды обеспечивает возможность уменьшени времени самостирарш , тем самым позвол ет из одного выращенного кристалла (були| изготовить множе ство (библиотеку) элементов ГРС, обладающих разными временами самостирани голограммы (это можно использовать дл разных частот следовани в канале обработки оптической информации); возможность многократного изменени времени самостиранй одного и того же элемента ГРС. Формула изобретени Способ обработки голографической ре- гистрирующей среды из кристалла ниобата лити с примесью железа путем отжига в восстановительной атмосфере, отличающийс тем, что, с целью уменьшени времени самостирани голограммы , ниобат лити с примесью желе- за 0,3-1,0 вес.% отжигают при 5ОО9ОО С в течение 1О-10О мин. Источники информации, прин тые во ёниманиепри экспертизе: 1. Кольер Р. и 0.р, Оптическа голографи , М., Мир, 1973, с. 305.
- 2.Mii(ami О. JehiddД. Effects of De|ectencies of itie Recording SensHivijti Of HoCog-rcems in R1i-doped LiN0.Opt Communi1 oitibn4973,v. 9,p-354-3 6.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU762369130A SU585753A1 (ru) | 1976-06-07 | 1976-06-07 | Способ обработки голографической регистрирующей среды из кристалла ниобата лити |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU762369130A SU585753A1 (ru) | 1976-06-07 | 1976-06-07 | Способ обработки голографической регистрирующей среды из кристалла ниобата лити |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU585753A1 true SU585753A1 (ru) | 1978-11-15 |
Family
ID=20664458
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU762369130A SU585753A1 (ru) | 1976-06-07 | 1976-06-07 | Способ обработки голографической регистрирующей среды из кристалла ниобата лити |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU585753A1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5904912A (en) * | 1996-07-30 | 1999-05-18 | National Institute For Research In Inorganic Materials | Iron-doped lithium niobate single crystal, method for heat treatment thereof and hologram-application element containing the single crystal |
-
1976
- 1976-06-07 SU SU762369130A patent/SU585753A1/ru active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5904912A (en) * | 1996-07-30 | 1999-05-18 | National Institute For Research In Inorganic Materials | Iron-doped lithium niobate single crystal, method for heat treatment thereof and hologram-application element containing the single crystal |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
ES423011A1 (es) | Perfeccionamientos introducidos en un cuerpo portador de registros en forma de disco. | |
SU921474A3 (ru) | Способ изготовлени магнитных частиц рабочего сло носител магнитной записи | |
US3932299A (en) | Method for the reduction of iron in iron-doped lithium niobate crystals | |
US3747022A (en) | Strontium niobate electro-optic modulator | |
SU585753A1 (ru) | Способ обработки голографической регистрирующей среды из кристалла ниобата лити | |
US6670079B1 (en) | Photorefractive material | |
CA938783A (en) | Method of growing compound semiconductor films on an amorphous substrate | |
US3997350A (en) | Holographic storage material | |
US5739929A (en) | Method and device for holographic storage | |
ES393947A1 (es) | Un metodo de preparacion de un penicilinsulfoxido. | |
IT1063761B (it) | Procedimento per trattare prodotti nastriformi per esempio nastri di stoffa o di gomma in una camera ad alta temperatura | |
FR2318481A1 (fr) | Film d'enregistrement d'informations | |
US4055838A (en) | Ferroelectric information optical storage device with self biasing | |
GB1361251A (en) | Method of holographic interferometry | |
JPS53107303A (en) | Recorder player | |
SU528802A1 (ru) | Полупроводниковый материал дл записи динамических фазовых голограмм | |
JPS5250702A (en) | Optical information recording and reproduction apparatus | |
JPS53113473A (en) | Vapor phase growth method of si crystal | |
Land et al. | Photoferroelectric sensitivity enhancement in PLZT by thermal diffusion of metals | |
SU584057A1 (ru) | Состав эндогаза дл сфероидизирующего реставрационного отжига изделий из заэвтектоиной стали | |
SU1084892A1 (ru) | Способ РЕГА записи оптической информации в щелочногалоидном кристалле,легированном активатором | |
SU871207A1 (ru) | Рабочий слой носител фотографической записи | |
SU490368A1 (ru) | Способ получени голограмм на полупроводниковом материале | |
JPS52114266A (en) | Process for heat treatment gallium arsenide single crystal substrates using protective film of insulator | |
SU718858A1 (ru) | Способ восстановлени механической записи информации |