SU585753A1 - Способ обработки голографической регистрирующей среды из кристалла ниобата лити - Google Patents

Способ обработки голографической регистрирующей среды из кристалла ниобата лити

Info

Publication number
SU585753A1
SU585753A1 SU762369130A SU2369130A SU585753A1 SU 585753 A1 SU585753 A1 SU 585753A1 SU 762369130 A SU762369130 A SU 762369130A SU 2369130 A SU2369130 A SU 2369130A SU 585753 A1 SU585753 A1 SU 585753A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
crystal
time
gds
hologram
iron
Prior art date
Application number
SU762369130A
Other languages
English (en)
Inventor
В.С. Айрапетян
И.Б. Баркан
Л.С. Ибрагимова
С.И. Маренников
Е.В. Пестряков
Original Assignee
Институт Физики Полупроводников Со Ан Ссср
Новосибирский государственный университет
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Физики Полупроводников Со Ан Ссср, Новосибирский государственный университет filed Critical Институт Физики Полупроводников Со Ан Ссср
Priority to SU762369130A priority Critical patent/SU585753A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU585753A1 publication Critical patent/SU585753A1/ru

Links

Landscapes

  • Holo Graphy (AREA)

Claims (2)

  1. (54) СПСЮОБ ОБРАБОТКИ ГХЗЛОГРАФИЧЕСКОЙ РЕГИСТРИРУЮЩЕЙ СРЕДЫ ИЗ КРИСТАЛЛА НИОБАТА ЛИТИЯ .. j пластинки ниобата лити  X-среза, толщиной 0,075 см. Измерение времени самостирани  производитс  слеоующим образом: в кристалле ниобата лити  произво цитс  запись голограммы излучением вто- s рой гармоники неоцимового лазера (цли . на волны 530 им, длительность импульса 25 НС, энерги  в импульсе 0,3 Дж/см). Записываетс  простейша  голограмма решетка с частотой 500 линий/мм. Вре- te менна  зависимость образовани  и самостиран   голограммы исследуетс  с помощью излучени  непрерывного гелий-неонового лазера (633 нм). Отжиг кристалла производитс  в вое- 15 становительной атмосфере, (вакуум 10 торр, отпа нна  стекл нна  ампула). Пример. Исходный кристалл с концентрацией примеси железа К-0,31вес. при этом врем  самостирани  f-1,3 сак После отжига элемента ГРС на основе этого кристалла при 540 С в течение 1 ч врем  самостирани  уменьшилось до 1Г «0,6 сек. П р и м е р 2. Исходный кристалл с коннентрацией примеси железа К-О,54 вес. % при этом врем  самостйрдни  Т О,1 сек После отжига элемента ГРС на основе этого кристалла при 54О С в течение 1 ч врем  самостирани  -уменьшилось до ,01 сек. Как видно из примеров, способ обработки ГРС на основе кристалла ниобата лити  с примесью железа при высоких температурах в восстановительной атмосфере приводит к уменьшению времени ca-i мостирани . - / Использование преолагаемого способа обработки голографической регистрирую- шей среды обеспечивает возможность уменьшени  времени самостирарш  , тем самым позвол ет из одного выращенного кристалла (були| изготовить множе ство (библиотеку) элементов ГРС, обладающих разными временами самостирани  голограммы (это можно использовать дл  разных частот следовани  в канале обработки оптической информации); возможность многократного изменени  времени самостиранй  одного и того же элемента ГРС. Формула изобретени  Способ обработки голографической ре- гистрирующей среды из кристалла ниобата лити  с примесью железа путем отжига в восстановительной атмосфере, отличающийс  тем, что, с целью уменьшени  времени самостирани  голограммы , ниобат лити  с примесью желе- за 0,3-1,0 вес.% отжигают при 5ОО9ОО С в течение 1О-10О мин. Источники информации, прин тые во ёниманиепри экспертизе: 1. Кольер Р. и 0.р, Оптическа  голографи , М., Мир, 1973, с. 305.
  2. 2.Mii(ami О. JehiddД. Effects of De|ectencies of itie Recording SensHivijti Of HoCog-rcems in R1i-doped LiN0.Opt Communi1 oitibn4973,v. 9,p-354-3 6.
SU762369130A 1976-06-07 1976-06-07 Способ обработки голографической регистрирующей среды из кристалла ниобата лити SU585753A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU762369130A SU585753A1 (ru) 1976-06-07 1976-06-07 Способ обработки голографической регистрирующей среды из кристалла ниобата лити

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU762369130A SU585753A1 (ru) 1976-06-07 1976-06-07 Способ обработки голографической регистрирующей среды из кристалла ниобата лити

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU585753A1 true SU585753A1 (ru) 1978-11-15

Family

ID=20664458

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU762369130A SU585753A1 (ru) 1976-06-07 1976-06-07 Способ обработки голографической регистрирующей среды из кристалла ниобата лити

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU585753A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5904912A (en) * 1996-07-30 1999-05-18 National Institute For Research In Inorganic Materials Iron-doped lithium niobate single crystal, method for heat treatment thereof and hologram-application element containing the single crystal

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5904912A (en) * 1996-07-30 1999-05-18 National Institute For Research In Inorganic Materials Iron-doped lithium niobate single crystal, method for heat treatment thereof and hologram-application element containing the single crystal

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ES423011A1 (es) Perfeccionamientos introducidos en un cuerpo portador de registros en forma de disco.
SU921474A3 (ru) Способ изготовлени магнитных частиц рабочего сло носител магнитной записи
US3932299A (en) Method for the reduction of iron in iron-doped lithium niobate crystals
US3747022A (en) Strontium niobate electro-optic modulator
SU585753A1 (ru) Способ обработки голографической регистрирующей среды из кристалла ниобата лити
US6670079B1 (en) Photorefractive material
CA938783A (en) Method of growing compound semiconductor films on an amorphous substrate
US3997350A (en) Holographic storage material
US5739929A (en) Method and device for holographic storage
ES393947A1 (es) Un metodo de preparacion de un penicilinsulfoxido.
IT1063761B (it) Procedimento per trattare prodotti nastriformi per esempio nastri di stoffa o di gomma in una camera ad alta temperatura
FR2318481A1 (fr) Film d'enregistrement d'informations
US4055838A (en) Ferroelectric information optical storage device with self biasing
GB1361251A (en) Method of holographic interferometry
JPS53107303A (en) Recorder player
SU528802A1 (ru) Полупроводниковый материал дл записи динамических фазовых голограмм
JPS5250702A (en) Optical information recording and reproduction apparatus
JPS53113473A (en) Vapor phase growth method of si crystal
Land et al. Photoferroelectric sensitivity enhancement in PLZT by thermal diffusion of metals
SU584057A1 (ru) Состав эндогаза дл сфероидизирующего реставрационного отжига изделий из заэвтектоиной стали
SU1084892A1 (ru) Способ РЕГА записи оптической информации в щелочногалоидном кристалле,легированном активатором
SU871207A1 (ru) Рабочий слой носител фотографической записи
SU490368A1 (ru) Способ получени голограмм на полупроводниковом материале
JPS52114266A (en) Process for heat treatment gallium arsenide single crystal substrates using protective film of insulator
SU718858A1 (ru) Способ восстановлени механической записи информации