SU572749A1 - Electrophotographic material - Google Patents

Electrophotographic material

Info

Publication number
SU572749A1
SU572749A1 SU7502311627A SU2311627A SU572749A1 SU 572749 A1 SU572749 A1 SU 572749A1 SU 7502311627 A SU7502311627 A SU 7502311627A SU 2311627 A SU2311627 A SU 2311627A SU 572749 A1 SU572749 A1 SU 572749A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
sublayer
electrophotographic material
layer
electrophotographic
illuminated
Prior art date
Application number
SU7502311627A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Анна Феодосьевна Шелкова
Сигита Альфонсо Таурайтене
Ионас-Донатас Броняус Сидаравичюс
Галина Зиновьевна Виноградова
Сергей Аристархович Дембовский
Алексей Петрович Чернов
Original Assignee
Научно-Исследовательский Институт Электрографии
Институт Общей Неорганической Химии Ан Ссср Имени Курнакова
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Научно-Исследовательский Институт Электрографии, Институт Общей Неорганической Химии Ан Ссср Имени Курнакова filed Critical Научно-Исследовательский Институт Электрографии
Priority to SU7502311627A priority Critical patent/SU572749A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU572749A1 publication Critical patent/SU572749A1/en

Links

Landscapes

  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Description

ультрафиолетового до 700 нм с максимумом чувствительности 0,65 10 при 500- 520 км. Материал сохран етс  во врем  хранени  при комнатной температуре в течение года и более.ultraviolet up to 700 nm with a maximum sensitivity of 0.65 10 at 500-520 km. The material is stored during storage at room temperature for a year or more.

Предлагаемый электрофотографический материал обладает одновременно высоким отрицательным и положительным нотепциалом зар дки сло , низкой скоростью спада его в темноте и высоким значением чувствительности 1,25-2 ЛК- нри освещении фотополупроводиикового сло  непосредственно и через подложку.The proposed electrophotographic material possesses simultaneously a high negative and positive nothepidal layer charging, a low rate of its decay in the dark, and a high sensitivity value of 1.25-2 LC — when illuminated by the photoconductive layer directly and through the substrate.

Комплекс этих свойств позвол ет использовать этот электрофотографический материал в различных устройствах дл  регистрации информации электрофотографическим методом ири освещении фотополупроводникового сло  как непосредственио, так и через прозрачную подложку.The complex of these properties allows using this electrophotographic material in various devices for recording information by an electrophotographic method and illuminating the photo semiconductor layer both directly and through a transparent substrate.

Claims (1)

4 Формула изобретени 4 claims Электрофотографический материал, состо ш .т из прозрачиой подложки с электропровод щим покрытием, подсло  и фоточувствительного селеио-мыщь кового сло , отличающийс  тем, что, с целью повыщени  чувствительности материала при освещении его через ирозрачную подлол ку, подслой выполнен из стеклообразного сплава As----S--lvr, при следующем соотнощении компонентов, The electrophotographic material, consisting of a transparent substrate with an electrically conductive coating, is a sublayer and a photosensitive seley-muscular layer, characterized in that, in order to increase the sensitivity of the material when it is illuminated through a transparent sub-layer, the sublayer is made of a glassy alloy As-- --S - lvr, with the following ratio of components, %: ат. Мышь к%: at. Mouse to 10-4010-40 Сера Sulfur 35-80 5-30 Бром35-80 5-30 bromine Источники ииформации, прин тые во внимание при экспертизеSources of information taken into account in the examination Авторское свидетельство СССР N° 382057.USSR author's certificate N ° 382057. 1.one. кл. G 03G 5/08, 1971.cl. G 03G 5/08, 1971. . ..ШЧ. ..SCH
SU7502311627A 1975-11-28 1975-11-28 Electrophotographic material SU572749A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU7502311627A SU572749A1 (en) 1975-11-28 1975-11-28 Electrophotographic material

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU7502311627A SU572749A1 (en) 1975-11-28 1975-11-28 Electrophotographic material

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU572749A1 true SU572749A1 (en) 1977-09-15

Family

ID=20644722

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU7502311627A SU572749A1 (en) 1975-11-28 1975-11-28 Electrophotographic material

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU572749A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS52145037A (en) Electrophotographic light sensitive material
SU572749A1 (en) Electrophotographic material
JPS5250238A (en) Amorphous selenium.tellurium electrophotographic light sensitive mater ial
JPS5271241A (en) Electrophotographic light sensitive material
JPS527242A (en) Electrophotographic light sensitive material
JPS5358240A (en) Electrophotographic light sensitive material
JPS5336242A (en) Electrophotographic light sensitive material
SU558252A1 (en) Electrophotographic slide
SU637098A3 (en) Electrophotographic film
SU591932A1 (en) Information carrier
SU892474A1 (en) Thermoplastic layer of photothermoplastic record carrier
SU581184A2 (en) Road marking method
JPS57176058A (en) Electrophotographic photoreceptor
SU996981A1 (en) Electrophotographic material
SU658596A1 (en) Photothermoplastic record carrier thermoplastic layer
JPS5249837A (en) Toner for fixing by ultraviolet rays
JPS5369037A (en) Manufacture of recording medium
JPS5336241A (en) Electrophotographic light sensitive material
JPS5220038A (en) Light electrostatic recording device
SU1205121A1 (en) Electrophotographic material
JPS5276927A (en) Electrophotographic light sensitive material
JPS5289926A (en) Electrophotographic light sensitive plate
SU1519473A1 (en) Photoconverter
JPS5247389A (en) Method of forming photoconductive layer
JPS51127181A (en) Films having selective transmittance for light