SU570172A1 - Inverter - Google Patents

Inverter

Info

Publication number
SU570172A1
SU570172A1 SU7602352287A SU2352287A SU570172A1 SU 570172 A1 SU570172 A1 SU 570172A1 SU 7602352287 A SU7602352287 A SU 7602352287A SU 2352287 A SU2352287 A SU 2352287A SU 570172 A1 SU570172 A1 SU 570172A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
voltage
base
transistors
current
Prior art date
Application number
SU7602352287A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Михаил Петрович Завьялов
Original Assignee
Предприятие П/Я М-5374
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я М-5374 filed Critical Предприятие П/Я М-5374
Priority to SU7602352287A priority Critical patent/SU570172A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU570172A1 publication Critical patent/SU570172A1/en

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02BCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B70/00Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
    • Y02B70/10Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes

Landscapes

  • Inverter Devices (AREA)

Description

(54) ИНВЕРТОР(54) INVERTER

асише1га , подключенного к зажиА ам инертора , на которых имеетс  переменное апр жение. При этом параметры дроссел  ыб1фаютс  ,так,)что его насыщение происхоит раньше, чем изменение пол рности уп- 5 авл юшего С1 гнала| (т.е. его рассчитыват на боле высокую частоту). В результате и§пи базы силового транзистора формирутс  ток ступенчатой формы, который обеспечивает насыщенный режим работы транзис- Q тора на большей части открытого полупериода .asiche connected to the inerto terminal, on which there is a variable april. At the same time, the parameters of the choke switches are so that) its saturation occurs earlier than the change in the polarity of the up-5 most-plus C1 drive | (i.e. it is calculated on a higher frequency). As a result, the base of the power transistor forms a step-shaped current that provides a saturated mode of operation of the transistor Q torus in most of the open half period.

Перед моментом коммутации транзистор выводитс  из-режима насыщени , причем вре м  его работы в активной области должно 15 быть достаточно дл  рассасывани  избыточных носителей.Before the switching moment, the transistor is removed from the saturation mode, and the time of its operation in the active region should be enough to absorb the excess media.

На фиг. 1 изображена схема инвертора, выполненного в виде трансфррматорйотчз мультивибратора; на фиг. 2 - временные 20 диаграммы напр жений и токов.;FIG. 1 shows a diagram of an inverter made in the form of a multivibrator transfrmator; in fig. 2 - time 20 voltage and current diagrams .;

Инвертор содержит выходной трансформатор 1, силовые 2,3 и вспомогательные 4,5 транзисторы, образующие составные ключи, а также дроссель насыщени  6, под- 25 ключенный к выходному напр жению преобразрвател  через балластный резистор 7.The inverter contains an output transformer 1, a power 2.3 and an auxiliary 4.5 transistors forming a composite switch, as well as a saturation choke 6 connected to the output voltage of the converter via a ballast resistor 7.

Цепь базовогоJтока составных транзисторных ключей замыкаетс  через резистор 8 и диоды, шунтирующие входные переходы 30 транзисторов в. обратном направлении. Полщ5ности сигналов на схеме соответствуют открытому состо нию транзисторов 2 и 4. И1шертор работает следующим образом. Если в открытом состо нии наход тс  35 транзисторы 2 и 4, то выходное напр жение почти полностью прикладатоетс  к дросселю насьпцени  6 и, трансформиру сь в его дополнительные,-обмотки, вызьюает касьпцение силового транзистора 2. Величи- 0 на вторичного напр жени  1 В, при этом оно компенсирует падение напр жени  на эмиттерно-коллекторном Переходе вспомогательного транзистора 4 и обесдгьчивеет смещение перехода баз 1--коллектор силового транзистора 2 в пр мом направлении. Падение напр же}га  на переходе эмиттерколлектор (и,,) силового транзистора мало , и по пепи его базы протекает ток Ч к/Аст м ™ коллектора, а 60The base circuit of the composite transistor switches is closed through a resistor 8 and diodes shunt the input junctions of 30 transistors. the opposite direction. The full signals on the circuit correspond to the open state of transistors 2 and 4. And the shertor works as follows. If 35 transistors 2 and 4 are in the open state, then the output voltage is almost completely applied to the throttle of the 6, and, transforming into its additional, -winding, it touches the power transistor 2. The value of 0 on the secondary voltage 1 V , at the same time, it compensates for the voltage drop at the emitter-collector junction of the auxiliary transistor 4 and depletes the shift of the base 1 - collector of the power transistor 2 in the forward direction. A drop in the voltage} e on the junction emitter collector (and ,,) of the power transistor is small, and a current of the collector flows through the base of its base and 60

А , - коэффициент усилени  силового . тракэистора по току в режиме насьппени .And, is the power gain factor. current tracing mode

Такое состо ние сохран етс  на большой полупериода до момента насыщени  , дроссел  6. При его насыщении напр жение не всех егс обмотках снижаетс  до нул .This state is maintained for a large half-period until saturation, droplet 6. When it is saturated, the voltage of not all its windings decreases to zero.

Это приводит к изменению пол рности напр жени  на переходе база-коллект:р открытого силового транзистора (см. на фнг. 1 знаки в кружках), . которое становитс  равным паде1гаю напр жени  на эмиттерно-колпекторном переходе вспомогательного транзистора. В результате силовой транзистор выходит из области насыщени , его коэффициент усилени  по току возрастает а ток базы уменьшаетс  до значени  3,//5,где ft - коэффициент усилени  по току в активной области. Таким образом к моменту переключени  происходит соответствующа  подготовка транзистора, заключак на с  ь удалении избыточных носителей из области базы еще на интервале открытого состо ни . Через заранее заданное врем  происходит насьшхение выходного трансформатора 1, что приводит к практически мгновенному переключению транзисторов преобразовател . После этого процессы в схеме повтор ютс .This leads to a change in the polarity of the voltage at the base-collect: p junction of an open power transistor (see fng. 1 signs in circles),. which becomes equal to the papal voltage across the emitter-to-cector transition of the auxiliary transistor. As a result, the power transistor leaves the saturation region, its current gain increases and the base current decreases to a value of 3, // 5, where ft is the current gain in the active region. Thus, by the moment of switching, the corresponding preparation of the transistor takes place, concluding with the removal of excess carriers from the base region even during the open state interval. After a predetermined time, the output of the transformer 1 occurs, which leads to almost instantaneous switching of the transistors of the converter. Thereafter, the processes in the circuit are repeated.

В схеме преобраузовател  отсутствует импульсное нёрастание коллекторного тока в конце полупериода, которое характерно дл  схемы автогенератора Роера и  вл етс  ее основным недостатком. В результате значительно снижаютс  динамические потери в силовых транзисторах, и повышаетс  надежность работы схемы.In the converter circuit, there is no pulsed non-growth of the collector current at the end of the half-period, which is characteristic of the Roger oscillator circuit and is its main drawback. As a result, the dynamic losses in the power transistors are significantly reduced, and the reliability of the circuit is increased.

Аналогично можно выполнить преобразователь по мостовой схеме.Similarly, you can perform the converter on the bridge circuit.

Claims (2)

1.Коссов О. А. Усилители мошности на транзисторах в режиме переключений, Энерги , М.,1971 г.,с. 114-115.1. Kossov O. A. Power amplifiers on transistors in the switching mode, Energie, M., 1971, p. 114-115. 2.Электронна  техника в автоматике, вып 4, М., 1973, с. 29.2. Electronic technology in automation, vol. 4, M., 1973, p. 29. -«и-"and - 0- 0 гg
SU7602352287A 1976-04-29 1976-04-29 Inverter SU570172A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU7602352287A SU570172A1 (en) 1976-04-29 1976-04-29 Inverter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU7602352287A SU570172A1 (en) 1976-04-29 1976-04-29 Inverter

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU570172A1 true SU570172A1 (en) 1977-08-25

Family

ID=20658583

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU7602352287A SU570172A1 (en) 1976-04-29 1976-04-29 Inverter

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU570172A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2737281C1 (en) * 2020-05-14 2020-11-26 Акционерное общество «Информационные спутниковые системы» имени академика М.Ф. Решетнёва» Bridge self-excited voltage converter

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2737281C1 (en) * 2020-05-14 2020-11-26 Акционерное общество «Информационные спутниковые системы» имени академика М.Ф. Решетнёва» Bridge self-excited voltage converter

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS56145775A (en) Switching control type power source circuit
SU570172A1 (en) Inverter
JPS5742214A (en) Power amplifier
US4016479A (en) High frequency power converter drive circuit
US3041472A (en) Transistor switching circuits
US3493895A (en) Current ffedback oscillator with initial overdrive
SU851709A1 (en) Inverter
SU1471264A1 (en) High-voltage single-ended dc voltage converter
JPS5574399A (en) Control of alternate current motor
JPS54134325A (en) Frequency converter
SU1305843A1 (en) Transistor switch
SU1520641A1 (en) Voltage converter
SU1275694A1 (en) Stabilized d.c.voltage converter
SU668053A1 (en) Transistorized inverter
SU1262661A1 (en) Voltage converter
SU961078A1 (en) Solid-state inverter
SU1539927A1 (en) Single-cycle dc voltage converter
SU541265A1 (en) Square pulse generator
SU470058A1 (en) Key power amplifier
SU782094A1 (en) Voltage converter
SU1001394A2 (en) Inverter
SU381139A1 (en) HIGH-OUTPUT VOLTAGE TRANSISTOR CONVERTER
SU951589A1 (en) Power transistor control device
SU932616A1 (en) Magnetic-transistor switch
SU581559A1 (en) Solid-state inverter