SU568987A1

SU568987A1 - Теплопередающее устройство дл схем с тепловой св зью

Info

Publication number: SU568987A1
Application number: SU7502315573A
Authority: SU
Inventors: Николай Прокофьевич Гапоненко; Витольд Петрович Путилин; Зинаида Ивановна Арямова
Original assignee: Таганрогский радиотехнический институт им. В.Д.Калмыкова
Priority date: 1975-01-19
Filing date: 1975-01-19
Publication date: 1977-08-15

Description

Изобретение относитс к области полупроводниковой радиоэлектроники. Устройство может быть использовано в качестве врем задающего элемента в микроэлектронных устройствах звукового диапазона частот.

Известны теплопередающие устройства, содержащие теплоизолирующее основание, размещенное на теплоотводе, и полупроводниковый кристалл с источником тепла и термочувствительным элементом, приклеенный к теплоизолирующему основанию 1.

Известны теплопередаю щие устройства дл схем с тепловой св зью, содержащие теплоизолирующее основание и стержень с дифференциальными источниками тепла и термочувствительными элементами, расположенными на его концах 2.

В известных устройствах требуетс чрезмерно больша длина стержн , что приводит к ухудшению параметров устройства, лапример вызывает значительный дрейф выходного напр жени , а также к увеличению габаритов .

Целью изобретени вл етс улучшение параметров устройства при одноврем енном уменьшении его габаритов. Дл этого в предлагаемом устройстве полупроводниковый стержень изогнут так, что его концы расположены вблизи друг друга.

Полупроводниковый стержень может представл ть собой карман монокристаллического кремни на диэлектрической подложке.

На фиг. 1 изобрал ено полупроводниковое теплопередающее устройство со стержнем, представл ющим собой карман монокристаллического кремни на диэлектрической подложке , вид сверху; на фиг. 2 показан разрез А-.4 фиг. 1.

Теплопередающее устройство состоит из кармана / монокристаллического кремни , расположенного в диэлектрической подложке 2. В кармане методами полупроводниковой технологии выполнены источники тепла 3, 4 и термочувствительные элементы 5, 6. Между зонами 7-10, в которых расположены источники тепла и термочувствительные элементы, расположены зоны 11, 12 и 13, проводимость которых противоположна проводимости зон 7-10,

Формирование кармана или островка монокристаллического кремни в виде изогнутого стержн позвол ет использовать дл размещени теплопровод щего стержн не только длину, но и ширину подложки 2. Благодар этому длина теплопередающего устройства может быть уменьшена в несколько раз.

Параметры полупроводника в зонах 7 и 10, расположенных вблизи друг друга, мало отличаютс . Поэтому параметры термочувствительных элементов 5 и 6, расположенных в этих зонах, имеют высокую идентичность, что приводит к улучшению параметров устройСтва .

Толщина кармЗИа или островка монокристаллического .кремни , сформированного в диэлектрической подложке, может составить единиЦы и дес тки микро,н, а ширина - дес тки микрон. В этом Случае теплозое сопротивление между зонами 7 и 10 может достигнуть нескольких тыс ч кельвин на ватт. При выборе геометрических размеров кармана желательно, чтобы тепловое сопротивление по материалу подложки между зонами 7 и JO было значительно больше теплового сопротивлени между этими же участками по полупроводниковому стержню.

На границах зон 7 и //, 5 и //, 8 и 12, 12 -л 9, 9 и 13, 13 и 10 с различными типами ироводимостей образуютс р-п-переходы, с помощью которых осуществл етс электрическа изол ци источников тепла 3, 4 w. тер.мочуВСтвительных элементов 5, 6 друг от друга.

Claims

1.Теплопередающее устройство дл схем с тепловой св зью, содержащее теплоизолирующее основание и полупроводниковый стержень с дифференциальными источниками тепла и термочувствительными элементами, расположенными на его концах, отличающеес тем, что, с целью улучшени параметров устройства и уменьшени его габаритов , стержень изогнут так, что его концы расположены вблизи друг друга.

2.Устройство по п. 1, отличающеес тем, что стержень представл ет собой карман монокристаллического кремни В диэлектрической подложке.

Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе:

1. Матцен В. Г. и др. Функциональные электронные блоки, использующие тепловые влени , ТИИЭР, т. 52, № 12, 1964, с. 1623- 1629.

2. Gray Р. R., Hamilton D. I. Analysis of

Electrothermal Integrated Circuits IEEE, I. «Solid-State Circuits, 1971, vSc-6, № 1, p. 8-14 (прототип).