Куйбышевский политехнический институт им.В.В.Куйбышева
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Куйбышевский политехнический институт им.В.В.КуйбышеваfiledCriticalКуйбышевский политехнический институт им.В.В.Куйбышева
Priority to SU2100066ApriorityCriticalpatent/SU554616A1/ru
Application grantedgrantedCritical
Publication of SU554616A1publicationCriticalpatent/SU554616A1/ru
pa, котора включена между отводом и коллектором транзистора 1, вл ютс перемагничивающими дл трансформатора 3, так как они обратны по знаку ампервиткам остальной части обмотки трансформатора.
Соединение рекуперативного диода 5 с коллектором транзистора 1 исключает дополнительную перемагничивающую многовитковую обмотку трансформатора, что значительно упрощает усилитель.
Claims (1)
1. Авторское свидетельство СССР № 222462, М. Кл.2 Н ОЗК 6/02, 29.03.67 (прототип).