SU552697A1 - Boosting device - Google Patents

Boosting device

Info

Publication number
SU552697A1
SU552697A1 SU2331668A SU2331668A SU552697A1 SU 552697 A1 SU552697 A1 SU 552697A1 SU 2331668 A SU2331668 A SU 2331668A SU 2331668 A SU2331668 A SU 2331668A SU 552697 A1 SU552697 A1 SU 552697A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
sources
transistors
low voltage
diode
common point
Prior art date
Application number
SU2331668A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Виталий Павлович Полетайкин
Ефим Бенционович Рабинович
Original Assignee
Предприятие П/Я А-7438
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я А-7438 filed Critical Предприятие П/Я А-7438
Priority to SU2331668A priority Critical patent/SU552697A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU552697A1 publication Critical patent/SU552697A1/en

Links

Description

К нагрузке приложено напр жение, равное напр жению источника 9. При этом диод 3 заперт, ток в нагрузке начинает форсированно увеличиватьс , достига  своего номинального значени , рост его прекратитс , когда управл юща  схема запрёт транзистор 2. Ток нагрузки протекает через транзистор 1 и диод 3 под действием напр жени  источника 8,A voltage equal to the voltage of the source 9 is applied to the load. At that, the diode 3 is locked, the current in the load starts to increase forcefully, reaches its nominal value, its growth stops when the control circuit blocks the transistor 2. The load current flows through transistor 1 and the diode 3 by the voltage of source 8,

При выключении управл ющей схемой транзистора 1 происходит отключение индуктивной нагрузки. После чего схема возвращаетс  в исходное состо ние.When the transistor 1 is turned off by the control circuit, the inductive load is disconnected. The circuit then returns to its original state.

При подключении нескольких индуктивных нагрузок эмиттеры транзисторов 2 подключаютс  к источнику высокого напр жени  9, эмиттеры транзисторов 1 - к источнику низкого напр жени  8 и обща  точка соединени  индуктивных нагрузок подключаетс  к аноду диода стабилитрона 5 и общей точке соединени  источников управл ющих сигналов 10 и 11.When several inductive loads are connected, the emitters of the transistors 2 are connected to the high voltage source 9, the emitters of the transistors 1 are connected to the low voltage source 8 and the common connection point of the inductive loads is connected to the anode of the Zener diode 5 and the common connection point of the control signals 10 and 11.

Claims (1)

4 Формула изобретени 4 claims Форсирующее устройство, содержащее первый и второй транзисторы, источники высокого и низкого напр жений, к общей точке которых подключен один из выводов индуктивной нагрузки, параллельно нагрузке подключена последовательна  цепь из стабилитрона и диода, а к базам транзисторов подключеныA forcing device containing the first and second transistors, high and low voltage sources, to the common point of which one of the inductive load terminals is connected, a series circuit of a zener diode and a diode connected in parallel to the load, and to the bases of the transistors источники управл ющих сигналов, отличающеес  тем, что, с целью расщирени  функциональных возможностей, обща  точка источников управл ющих сигналов подключена к общей точке источников высокого и низкогоsources of control signals, characterized in that, in order to extend the functionality, a common point of sources of control signals is connected to a common point of sources of high and low напр жений, другой вывод индуктивной нагрузки подключен к коллектору первого транзистора и через диод к коллектору второго транзистора, а эмиттеры транзисторов подключены соответственно к источникам высокого и низкого напр жений.voltage, another output of inductive load is connected to the collector of the first transistor and through a diode to the collector of the second transistor, and the emitters of the transistors are connected respectively to high and low voltage sources.
SU2331668A 1976-03-12 1976-03-12 Boosting device SU552697A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU2331668A SU552697A1 (en) 1976-03-12 1976-03-12 Boosting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU2331668A SU552697A1 (en) 1976-03-12 1976-03-12 Boosting device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU552697A1 true SU552697A1 (en) 1977-03-30

Family

ID=20651336

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU2331668A SU552697A1 (en) 1976-03-12 1976-03-12 Boosting device

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU552697A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920020847A (en) Sample Band-Gap Voltage Reference Circuit
SE7907853L (en) switching circuit
SU552697A1 (en) Boosting device
SU949790A1 (en) Bipolar-to-unipolar signal converter
SU1058055A1 (en) Semiconductor switch
SU1418681A1 (en) Parametric voltage stabilizer
SU613480A1 (en) Power amplifier
SU503344A1 (en) Transistor modulator
SU600543A1 (en) High-voltage dc stabilizer
SU1070677A1 (en) D.c.voltage converter
SU1656667A1 (en) Power amplifier
SU915217A1 (en) Voltage repeater
SU613482A1 (en) Transistorized power amplifier
SU1483570A2 (en) Dc voltage transistor converter
SU1721818A1 (en) Power transistor switch
SU1188873A1 (en) Method of power transistor switch control
SU534030A1 (en) Pulse Width Modulator
SU565292A1 (en) Direct current voltage key stabilizer
SU534020A1 (en) Three stage transistor key amplifier
SU1040597A1 (en) Multivibrator
SU742902A1 (en) Switch-type dc voltage stabilizer
SU1499427A1 (en) Pushpull pulsed amplifier
SU860233A2 (en) Stabilized converter
SU750456A1 (en) Dc source
SU1628183A1 (en) Power amplifier