SU550758A1 - Control unit for half-bridge amplifier - Google Patents

Control unit for half-bridge amplifier

Info

Publication number
SU550758A1
SU550758A1 SU2060169A SU2060169A SU550758A1 SU 550758 A1 SU550758 A1 SU 550758A1 SU 2060169 A SU2060169 A SU 2060169A SU 2060169 A SU2060169 A SU 2060169A SU 550758 A1 SU550758 A1 SU 550758A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistors
bridge
additional
power
amplifier
Prior art date
Application number
SU2060169A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Юрий Алексеевич Володичев
Юрий Петрович Кинеев
Original Assignee
Предприятие П/Я А-1639
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я А-1639 filed Critical Предприятие П/Я А-1639
Priority to SU2060169A priority Critical patent/SU550758A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU550758A1 publication Critical patent/SU550758A1/en

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Description

1one

Изобретение относитс  к области преобразовательной техники и может быть использовано в системах электропитани  и электропривода дл  преобразовани  посто нного тока в переменный.The invention relates to the field of converter technology and can be used in power supply and electric drive systems for converting direct current into alternating current.

В известных преобразовател х, содержащих мост или полумост силовых транзисторов , дл  защиты от «сквозных токов в процессе переключени  силовых транзисторов устройство управлени  транзисторами выполн ют полузависимым, т. е. половина транзисторов силового моста управл етс  от внешнего сигнала, а друга  половина - от сигналов, снимаемых с дополнительных обмоток выходного трансформатора. В этих схемах усложн етс  конструкци  выходного трансформатора.In known converters containing a bridge or half bridge of power transistors, for protection against "through currents in the switching process of power transistors, the transistor control device is made semi-dependent, i.e. half of the transistors of the power bridge is controlled from removed from the additional windings of the output transformer. In these circuits, the structure of the output transformer is complicated.

В схему полузависимого возбуждени  введен полумост транзисторов предоконечного усилител , выходной зажим которого соединен с выходным зажимом полумоста через управл ющий трансформатор, вторичные обмотки иоследнего соединены со входом силовых транзисторов.The half-bridge of the transistors of the pre-terminal amplifier is inserted into the semi-dependent excitation circuit, the output terminal of which is connected to the output terminal of the half-bridge via a control transformer, the secondary windings and the latter are connected to the input of the power transistors.

Недостатком этой схемы  вл етс  необходимость использовани  транзисторов предоконечного усилител , рассчитанных на то же напр жение, что и силовые.The disadvantage of this circuit is the need to use pre-finite transistors designed for the same voltage as the power ones.

Цель изобретени  - повысить надежность и снизить стоимость устройства путем выполнени  предоконечного усилител  в виде моста низковольтных (более дещевых) транзисторов , питаемых от отдельного источника, причем два этих транзистора управл ютс  внешним сигналом, а другие два - от вторичных об.могок дополнительного трансформатора, первична  обмотка которого включена между выходными зажимами силового и дополнительного полумоста транзисторов.The purpose of the invention is to increase the reliability and reduce the cost of the device by making a pre-terminal amplifier in the form of a bridge of low-voltage (more expensive) transistors powered from a separate source, the two of which are controlled by an external signal, and the other two are from the secondary transformer, primary the winding of which is connected between the output terminals of the power and the additional half bridge of the transistors.

На чертеже показана схема устройства.The drawing shows a diagram of the device.

Усилитель мощности У содержит мост силовых транзисторов TI и Т2, управл е.мых через трансформатор Tpi от моста транзисторов Гз-1б предоконечного усилител  У2, которыйThe power amplifier U contains a bridge of power transistors TI and T2, controlled via a Tpi transformer from the bridge transistors Gz-1b of the pre-end amplifier U2, which

питаетс  от отдельного низковольтного источника посто нного напр жени .it is powered by a separate low voltage source of constant voltage.

К основному источнику питани  подключен полумост дополнительных транзисторов Т, Тз, между выходным зажимом которого и выходным зажимом силового полумоста Ть Т2 включена первична  обмотка дополнительного трансформатора Тра.A half-bridge of additional transistors T, Tz is connected to the main power source, between the output terminal of which and the output terminal of the power half-bridge Tj T2 the primary winding of the additional transformer Tra is connected.

Вторичные обмотки «i и 0)2 этого трансформатора соединены со входом транзисторовThe secondary windings "i and 0) 2 of this transformer are connected to the input of transistors

Т и TS, а соз и (л - со входом транзисторовT and TS, and cos and (l - with the input of transistors

Тз и Т4. Транзисторы TS и Те управл ютс Tz and T4. TS and Te transistors are controlled

внешним сигналом от задающего генератораexternal signal from master oscillator

ЗГ через трансформатор Трз.SG through the transformer Trz.

Предложенна  схема работает следующимThe proposed scheme works as follows.

образом.in a way.

Предподолгим, что были открыты транзисторы Т2, Тз, Тб, Ту (сигналы на вторичных обмотках имеют пол рность «+ на точке). В Некоторый момент времени происходит смена пол рности напр жени  сигнала задающего генератора ЗГ, и происходит отпирание транзистора Т5 и запирание транзистора Те- Напр жение на обмотках Tpi снижаетс  до нул , и транзистор Т2 начинает запиратьс . Пока идет процесс рассасывани  избыточных носителей в базе транзистора TZ, падение напр жени  между его электродами близко к нулю, трансформатор Тр2 и транзисторы Тт, TS, Тз, Т4 наход тс  в прежнем состо нии. Это обеспечивает отсутствие напр жени  иа обмотках Трь и транзистор Tj не открываетс .Suppose that the transistors T2, Tz, Tb, Tu were open (the signals on the secondary windings have a polarity of “+ on the point). At a certain point in time, the polarity of the signal of the master oscillator generator ZG is changed, and the transistor T5 is unlocked and the Te transistor is locked, the voltage across the windings of Tpi decreases to zero, and transistor T2 begins to lock. While the process of resorption of excess carriers in the base of the transistor TZ is in progress, the voltage drop between its electrodes is close to zero, the transformer Tr2 and the transistors Tm, TS, T3, T4 are in the same state. This ensures the absence of voltage across the windings of Tr and the transistor Tj does not open.

Только после окончани  указанного процесса рассасывани  носителей полностью закрываетс  транзистор TZ, исчезает напр жение на обмотках Тр2 и происходит переключение транзисторов , а затем Та- Т4. Напр жение на обмотках Tpi измен ет пол рность и транзистор Ti включаетс . Таким образом исключаетс  одновременное открытое состо ние силовых транзисторов и св занные с ним «сквозные токи, т. е. повышаетс  надежность работы.Only after the termination of the indicated process of resorption of carriers is complete, the transistor TZ is completely closed, the voltage on the windings Tp2 disappears and the transistors switch, and then Ta-T4. The voltage across the windings Tpi changes polarity and the transistor Ti is turned on. In this way, the simultaneous open state of the power transistors and the associated through currents are eliminated, i.e., the reliability is improved.

Нри этом в предложенном усилителе могутIn this case, the proposed amplifier can

использоватьс  дешевые низковольтные транзисторы Тз-Тб. А дополнительные транзисторы Ту, TS имеют малую величину рабочего тока коллектора, и поэтому их стоимость также невелика.use cheap low-voltage Tz-tb transistors. And additional transistors Tu, TS have a small value of the working current of the collector, and therefore their cost is also small.

Claims (1)

Формула изобретени Invention Formula Устройство управлени  полумостовым усилителем мощности, содержащее предоконечный усилитель с задающим генератором и управл ющим трансформатором, вторичные обмотки которого соединены со входом силовых транзисторов, отличающеес  тем, что, сA half-bridge power amplifier control device comprising a pre-terminal amplifier with a master oscillator and a control transformer, the secondary windings of which are connected to the input of the power transistors, characterized in that целью повышени  надежности, предоконечный усилитель выполнен в виде моста управл ющих транзисторов, подключенного к зажимам дл  дополнительного источника питани , а к дл  основного источника питани In order to increase reliability, the pre-end amplifier is designed as a bridge of control transistors connected to the terminals for an additional power source, and for the main power source подключен полумост дополнительных транзисторов , выходной зажим которого соединен с выходным зажимом усилител  мощности через первичпую обмотку дополнительного трансформатора, вторичные обмотки которогоthe half bridge of the additional transistors is connected, the output terminal of which is connected to the output terminal of the power amplifier through the primary winding of the additional transformer, the secondary windings of which соединены со входами дополнительных транзисторов и двух управл ющих транзисторов, причем входы двух других управл ющих транзисторов соединены с упом нутым задающим генератором.are connected to the inputs of additional transistors and two control transistors, and the inputs of two other control transistors are connected to said driving oscillator. оabout
SU2060169A 1974-09-10 1974-09-10 Control unit for half-bridge amplifier SU550758A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU2060169A SU550758A1 (en) 1974-09-10 1974-09-10 Control unit for half-bridge amplifier

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU2060169A SU550758A1 (en) 1974-09-10 1974-09-10 Control unit for half-bridge amplifier

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU550758A1 true SU550758A1 (en) 1977-03-15

Family

ID=20596075

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU2060169A SU550758A1 (en) 1974-09-10 1974-09-10 Control unit for half-bridge amplifier

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU550758A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SU550758A1 (en) Control unit for half-bridge amplifier
US3987355A (en) High efficiency switching drive for a resonate power transformer
SU712913A1 (en) Transistorized inverter
SU955432A1 (en) Pulse stabilized dc voltage converter
SU942226A1 (en) Parallel inverter
SU519829A1 (en) DC Pulse Width Modulator
SU547950A1 (en) Push-pull transistor inverter
SU635457A1 (en) Differentiating ac arrangement
SU853758A1 (en) Two-cycle transistorized inverter
SU1473050A1 (en) Two-clock dc voltage converter
SU1072207A1 (en) Dc voltage converter
SU955420A1 (en) Device for controlling semiconductor switches
SU851704A1 (en) Voltage inverter
SU961078A1 (en) Solid-state inverter
SU1185536A1 (en) Electric power source with transformerless input
SU470048A1 (en) Transistor inverter
SU1208599A1 (en) Pulse-width modulator
SU959243A1 (en) Voltage converter
SU847473A1 (en) Two-cycle self-excited inverter
SU480064A2 (en) DC stabilizer
SU491941A1 (en) DC Converter-Stabilizer
SU961080A1 (en) Dc voltage converter
SU773863A1 (en) Dc voltage converter
SU705616A1 (en) Stabilized converter
SU955461A1 (en) Two-contact self-excited inverter