SU550758A1 - Control unit for half-bridge amplifier - Google Patents
Control unit for half-bridge amplifierInfo
- Publication number
- SU550758A1 SU550758A1 SU2060169A SU2060169A SU550758A1 SU 550758 A1 SU550758 A1 SU 550758A1 SU 2060169 A SU2060169 A SU 2060169A SU 2060169 A SU2060169 A SU 2060169A SU 550758 A1 SU550758 A1 SU 550758A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- transistors
- bridge
- additional
- power
- amplifier
- Prior art date
Links
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Description
1one
Изобретение относитс к области преобразовательной техники и может быть использовано в системах электропитани и электропривода дл преобразовани посто нного тока в переменный.The invention relates to the field of converter technology and can be used in power supply and electric drive systems for converting direct current into alternating current.
В известных преобразовател х, содержащих мост или полумост силовых транзисторов , дл защиты от «сквозных токов в процессе переключени силовых транзисторов устройство управлени транзисторами выполн ют полузависимым, т. е. половина транзисторов силового моста управл етс от внешнего сигнала, а друга половина - от сигналов, снимаемых с дополнительных обмоток выходного трансформатора. В этих схемах усложн етс конструкци выходного трансформатора.In known converters containing a bridge or half bridge of power transistors, for protection against "through currents in the switching process of power transistors, the transistor control device is made semi-dependent, i.e. half of the transistors of the power bridge is controlled from removed from the additional windings of the output transformer. In these circuits, the structure of the output transformer is complicated.
В схему полузависимого возбуждени введен полумост транзисторов предоконечного усилител , выходной зажим которого соединен с выходным зажимом полумоста через управл ющий трансформатор, вторичные обмотки иоследнего соединены со входом силовых транзисторов.The half-bridge of the transistors of the pre-terminal amplifier is inserted into the semi-dependent excitation circuit, the output terminal of which is connected to the output terminal of the half-bridge via a control transformer, the secondary windings and the latter are connected to the input of the power transistors.
Недостатком этой схемы вл етс необходимость использовани транзисторов предоконечного усилител , рассчитанных на то же напр жение, что и силовые.The disadvantage of this circuit is the need to use pre-finite transistors designed for the same voltage as the power ones.
Цель изобретени - повысить надежность и снизить стоимость устройства путем выполнени предоконечного усилител в виде моста низковольтных (более дещевых) транзисторов , питаемых от отдельного источника, причем два этих транзистора управл ютс внешним сигналом, а другие два - от вторичных об.могок дополнительного трансформатора, первична обмотка которого включена между выходными зажимами силового и дополнительного полумоста транзисторов.The purpose of the invention is to increase the reliability and reduce the cost of the device by making a pre-terminal amplifier in the form of a bridge of low-voltage (more expensive) transistors powered from a separate source, the two of which are controlled by an external signal, and the other two are from the secondary transformer, primary the winding of which is connected between the output terminals of the power and the additional half bridge of the transistors.
На чертеже показана схема устройства.The drawing shows a diagram of the device.
Усилитель мощности У содержит мост силовых транзисторов TI и Т2, управл е.мых через трансформатор Tpi от моста транзисторов Гз-1б предоконечного усилител У2, которыйThe power amplifier U contains a bridge of power transistors TI and T2, controlled via a Tpi transformer from the bridge transistors Gz-1b of the pre-end amplifier U2, which
питаетс от отдельного низковольтного источника посто нного напр жени .it is powered by a separate low voltage source of constant voltage.
К основному источнику питани подключен полумост дополнительных транзисторов Т, Тз, между выходным зажимом которого и выходным зажимом силового полумоста Ть Т2 включена первична обмотка дополнительного трансформатора Тра.A half-bridge of additional transistors T, Tz is connected to the main power source, between the output terminal of which and the output terminal of the power half-bridge Tj T2 the primary winding of the additional transformer Tra is connected.
Вторичные обмотки «i и 0)2 этого трансформатора соединены со входом транзисторовThe secondary windings "i and 0) 2 of this transformer are connected to the input of transistors
Т и TS, а соз и (л - со входом транзисторовT and TS, and cos and (l - with the input of transistors
Тз и Т4. Транзисторы TS и Те управл ютс Tz and T4. TS and Te transistors are controlled
внешним сигналом от задающего генератораexternal signal from master oscillator
ЗГ через трансформатор Трз.SG through the transformer Trz.
Предложенна схема работает следующимThe proposed scheme works as follows.
образом.in a way.
Предподолгим, что были открыты транзисторы Т2, Тз, Тб, Ту (сигналы на вторичных обмотках имеют пол рность «+ на точке). В Некоторый момент времени происходит смена пол рности напр жени сигнала задающего генератора ЗГ, и происходит отпирание транзистора Т5 и запирание транзистора Те- Напр жение на обмотках Tpi снижаетс до нул , и транзистор Т2 начинает запиратьс . Пока идет процесс рассасывани избыточных носителей в базе транзистора TZ, падение напр жени между его электродами близко к нулю, трансформатор Тр2 и транзисторы Тт, TS, Тз, Т4 наход тс в прежнем состо нии. Это обеспечивает отсутствие напр жени иа обмотках Трь и транзистор Tj не открываетс .Suppose that the transistors T2, Tz, Tb, Tu were open (the signals on the secondary windings have a polarity of “+ on the point). At a certain point in time, the polarity of the signal of the master oscillator generator ZG is changed, and the transistor T5 is unlocked and the Te transistor is locked, the voltage across the windings of Tpi decreases to zero, and transistor T2 begins to lock. While the process of resorption of excess carriers in the base of the transistor TZ is in progress, the voltage drop between its electrodes is close to zero, the transformer Tr2 and the transistors Tm, TS, T3, T4 are in the same state. This ensures the absence of voltage across the windings of Tr and the transistor Tj does not open.
Только после окончани указанного процесса рассасывани носителей полностью закрываетс транзистор TZ, исчезает напр жение на обмотках Тр2 и происходит переключение транзисторов , а затем Та- Т4. Напр жение на обмотках Tpi измен ет пол рность и транзистор Ti включаетс . Таким образом исключаетс одновременное открытое состо ние силовых транзисторов и св занные с ним «сквозные токи, т. е. повышаетс надежность работы.Only after the termination of the indicated process of resorption of carriers is complete, the transistor TZ is completely closed, the voltage on the windings Tp2 disappears and the transistors switch, and then Ta-T4. The voltage across the windings Tpi changes polarity and the transistor Ti is turned on. In this way, the simultaneous open state of the power transistors and the associated through currents are eliminated, i.e., the reliability is improved.
Нри этом в предложенном усилителе могутIn this case, the proposed amplifier can
использоватьс дешевые низковольтные транзисторы Тз-Тб. А дополнительные транзисторы Ту, TS имеют малую величину рабочего тока коллектора, и поэтому их стоимость также невелика.use cheap low-voltage Tz-tb transistors. And additional transistors Tu, TS have a small value of the working current of the collector, and therefore their cost is also small.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU2060169A SU550758A1 (en) | 1974-09-10 | 1974-09-10 | Control unit for half-bridge amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU2060169A SU550758A1 (en) | 1974-09-10 | 1974-09-10 | Control unit for half-bridge amplifier |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU550758A1 true SU550758A1 (en) | 1977-03-15 |
Family
ID=20596075
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU2060169A SU550758A1 (en) | 1974-09-10 | 1974-09-10 | Control unit for half-bridge amplifier |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU550758A1 (en) |
-
1974
- 1974-09-10 SU SU2060169A patent/SU550758A1/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
SU550758A1 (en) | Control unit for half-bridge amplifier | |
US3987355A (en) | High efficiency switching drive for a resonate power transformer | |
SU712913A1 (en) | Transistorized inverter | |
SU955432A1 (en) | Pulse stabilized dc voltage converter | |
SU942226A1 (en) | Parallel inverter | |
SU519829A1 (en) | DC Pulse Width Modulator | |
SU547950A1 (en) | Push-pull transistor inverter | |
SU635457A1 (en) | Differentiating ac arrangement | |
SU853758A1 (en) | Two-cycle transistorized inverter | |
SU1473050A1 (en) | Two-clock dc voltage converter | |
SU1001049A1 (en) | Dc voltage pulse stabilizer | |
SU1072207A1 (en) | Dc voltage converter | |
SU955420A1 (en) | Device for controlling semiconductor switches | |
SU851704A1 (en) | Voltage inverter | |
SU961078A1 (en) | Solid-state inverter | |
SU1185536A1 (en) | Electric power source with transformerless input | |
SU470048A1 (en) | Transistor inverter | |
SU1208599A1 (en) | Pulse-width modulator | |
SU959243A1 (en) | Voltage converter | |
SU847473A1 (en) | Two-cycle self-excited inverter | |
SU480064A2 (en) | DC stabilizer | |
SU491941A1 (en) | DC Converter-Stabilizer | |
SU961080A1 (en) | Dc voltage converter | |
SU773863A1 (en) | Dc voltage converter | |
SU955461A1 (en) | Two-contact self-excited inverter |