SU503317A1 - Electron microscopic method for measuring scattered fields - Google Patents

Electron microscopic method for measuring scattered fields

Info

Publication number
SU503317A1
SU503317A1 SU2035908A SU2035908A SU503317A1 SU 503317 A1 SU503317 A1 SU 503317A1 SU 2035908 A SU2035908 A SU 2035908A SU 2035908 A SU2035908 A SU 2035908A SU 503317 A1 SU503317 A1 SU 503317A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
field
optical signal
fields
electron beam
electron
Prior art date
Application number
SU2035908A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Альберт Евдокимович Лукьянов
Эдуард Иванович Рау
Валерий Павлович Иванников
Владимир Николаевич Гусев
Original Assignee
Московский Ордена Ленина И Ордена Трудового Красного Знамени Государственный Университет Им.М.В.Ломоносова
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Московский Ордена Ленина И Ордена Трудового Красного Знамени Государственный Университет Им.М.В.Ломоносова filed Critical Московский Ордена Ленина И Ордена Трудового Красного Знамени Государственный Университет Им.М.В.Ломоносова
Priority to SU2035908A priority Critical patent/SU503317A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU503317A1 publication Critical patent/SU503317A1/en

Links

Description

1one

Изобретение относитс  к области электронной микроскопии и может быть использовано дл  исследовани  и измерени  магнитных и электрических полей.The invention relates to the field of electron microscopy and can be used to study and measure magnetic and electric fields.

Известен электронно-микроскопический способ измерени  полей рассе ни  путем воздействи  исследуемым полем на электронный пучок, пропускаемый мимо образца, с последующей регистрацией информации об измер емых пол х.An electron microscopic method is known for measuring the scattering fields by subjecting the field under study to an electron beam that passes the sample, followed by recording information about the measured fields.

Недостатками способа  вл ютс  больша  трудоемкость и невозможность автоматизировать процесс измерени , что весьма ограничивает точность измерений.The disadvantages of this method are the large laboriousness and the inability to automate the measurement process, which greatly limits the accuracy of the measurements.

Целью изобретени   вл етс  повышение точности измерений и автоматизации получени  распределений различных компонентов измер емых полей непосредственно на экране регистрирующего устройства.The aim of the invention is to improve the accuracy of measurements and automation of obtaining the distributions of various components of the measured fields directly on the screen of the recording device.

Дл  достижени  поставленной цели по предлагаемому способу осуществл ют выделение информации о локальной величине измер емого пол  из величины отклонени  в этом поле электронного пучка, развертываемого в линию но одной из координат, путем преобразовани  в любой фиксированный момент времени электрического сигнала, адекватного току пучка, в оптический сигнал, последующего ослаблени  оптического сигнала пропорционально величине отклонени  электронногоTo achieve this goal, according to the proposed method, information on the local value of the measured field is extracted from the deviation value in this field of the electron beam developed in a line but one of the coordinates, by converting an electrical signal adequate to the beam current to any optical time at any fixed time. the signal, the subsequent attenuation of the optical signal is proportional to the deviation of the electronic

пучка по другой координате и обратного преобразовани  выходного оптического сигнала в электрический. Измерение полей рассе ни  по данномуbeam along the other coordinate and inversely converting the output optical signal into an electrical one. Measurement of fields scattered by this

способу производ т следующим образом.The method is produced as follows.

Электронный пучок, сформированный электронной пушкой и сфокусированный в зонд малого (менее 1 мкм) диаметра, развертывают в линию по одной из координат (например , параллельно рабочей поверхности магнитной головки и перпендикул рно плоскости рабочего зазора - при измерении тангенциальной компоненты пол  рассе ни  над рабочим зазором) и направл ют параллельно осевой линии рабочего зазора, так что на пучок действует магнитное поле рассе ни  и отклон ет его. Далее отклоненный пучок в любой фиксированный момент времени преобразуют в оптический пучок таким образом, чтобы световой поток был пропорционален току электронного пучка. Полученный оптический сигнал ослабл ют пропорционально величине отклонени  электронного зонда по координате , перпендикул рной линии развертки, но неAn electron beam formed by an electron gun and focused into a probe of small (less than 1 micron) diameter is turned into a line along one of the coordinates (for example, parallel to the working surface of the magnetic head and perpendicular to the working gap plane - when measuring the tangential component the field is scattered over the working gap ) and direct parallel to the axial line of the working gap, so that the beam is affected by the magnetic field of the scattering and deflects it. Further, the deflected beam at any fixed time is converted into an optical beam in such a way that the luminous flux is proportional to the current of the electron beam. The resulting optical signal is attenuated in proportion to the coordinate deviation of the electron probe, perpendicular to the scanning line, but not

мен ют его интенсивности при отклонении электронного пучка вдоль линии развертки. Затем оптический сигнал вновь преобразуют в электрический и фиксируют значение полученного в данный момент времени электрического сигнала. Полученный таким образомits intensities change when the electron beam is deflected along the scanning line. Then the optical signal is again converted into an electrical one and the value of the electric signal obtained at a given time is recorded. Thus obtained

сигнал будет пропорционален величине отклонени  электронного пучка только под воздействием одной из компонент пол  рассе ни  (в данном случае - тангенциальной компоненты ), т. е. при соблюдении известных требований к скорости электронов, максимальной прот женности и максимальному значению индукции пол  рассе ни  сигнал будет пропорционален локальному значению компоненты пол  рассе ни  в месте прохождени  электронного зонда через это поле.the signal will be proportional to the deviation of the electron beam only under the influence of one of the components of the scattering field (in this case, the tangential component), i.e., if the known requirements on the electron velocity, the maximum length and maximum value of the scattering induction are met, the signal will be proportional to the local value of the field component is scattered at the location of the electron probe passing through this field.

При реализации способа обеспечиваетс  автоматическа  регистраци  информации о распределении полей рассе ни , устран етс  возможность получени  дополнительных ошибок при измерени х из-за использовани  какихлибо структурных элементов - датчиков информации о величине отклонени  электронов в измер емом поле, обеспечиваетс  раздельна  регистраци  каждой из компонент исследуемого пол  рассе ни . Последовательное преобразование электрического сигнала в оптический , обработка оптического сигнала и преобразование его вновь в электрический сигнал дает существенные преимущества при обработке и регистрации информации о пол х рассе ни .When implementing the method, information on the distribution of the scattering fields is automatically recorded, the possibility of obtaining additional errors in measurements due to the use of any structural elements - sensors of information on the magnitude of the electron deflection in the measured field is eliminated, and each of the components of the field under study is separately recorded neither Sequential conversion of an electrical signal into an optical signal, processing of an optical signal and converting it back into an electrical signal provides significant advantages in processing and recording information on the field of scattering.

Claims (1)

Формула изобретени Invention Formula Электронно-микроскопический способ измерени  полей рассе ни  путем воздействи  исследуемым полем на электронный пучок, пропускаемый мимо образца, с последующей регистрацией информации об измеренных пол х , отличающийс  тем, что, с целью повышени  точности измерений и автоматизации получени  распределений различных компонент измер емых полей непосредственно на экране регистрирующего устройства, осуществл ют выделение информации о локальной величине измер емого пол  из величины отклонени  в этом поле электронного пучка, развертываемого в линию по одной из координат , путем преобразовани  в любой фиксированный момент времени электрического сигнала , адекватного току пучка, в оптический сигнал, последую1Ц.его ослаблени  оптического сигнала пропорционально величине отклонени  электронного пучка по другой координате и обратного преобразовани  выходного оптического сигнала в электрический.The electron microscopic method of measuring the scattering fields by subjecting the field under investigation to an electron beam passed through the sample, followed by recording information about the measured fields, characterized in that, in order to improve the measurement accuracy and automate the distribution of the various components of the measured fields directly to screen of the registering device, carry out the selection of information about the local value of the measured field from the magnitude of the deviation in this field of the electron beam, are expanded in a line at one of the coordinates by converting an electrical signal adequate to the beam current to an optical signal at any fixed time, the subsequent attenuation of the optical signal is proportional to the deviation of the electron beam along the other coordinate and inversely converting the output optical signal to electrical.
SU2035908A 1974-06-21 1974-06-21 Electron microscopic method for measuring scattered fields SU503317A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU2035908A SU503317A1 (en) 1974-06-21 1974-06-21 Electron microscopic method for measuring scattered fields

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU2035908A SU503317A1 (en) 1974-06-21 1974-06-21 Electron microscopic method for measuring scattered fields

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU503317A1 true SU503317A1 (en) 1976-02-15

Family

ID=20588367

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU2035908A SU503317A1 (en) 1974-06-21 1974-06-21 Electron microscopic method for measuring scattered fields

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU503317A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US2405133A (en) Method and means for measuring surface roughness
SU503317A1 (en) Electron microscopic method for measuring scattered fields
US3714558A (en) Magnetic sensor for detecting breaks in a steel rope including multiplier for eliminating noise
JPH0545184B2 (en)
JPS61225751A (en) Indirect measurement for intensity distribution of particle beam pulse
GB2161936A (en) Alternating current potential drop crack detection
US3358224A (en) Ferrometer for oscilloscopic measurement of magnetic characteristics of samples of magnetically hard materials
SU1287758A3 (en) Device for testing and identifying electroconducting coins
GB850733A (en) Magnetoabsorption methods and apparatus
SU744784A1 (en) Method of investigating electric fields in microwave devices
US2645151A (en) Apparatus for dynamic determination of reduction in area of specimens during mechanical tests
Stephenson et al. Recording equipment for internal friction measurements
SU507905A1 (en) Electron microscopic device for measuring scattered fields
SU1081578A1 (en) Method of determination of specimen temperature
Keinath The measurement of thickness
SU645101A1 (en) Method of locating cable flaw
SU951207A1 (en) Device for measuring pulse magnetic field strength
SU993177A1 (en) Magnetooptical probe for measuring magnetic induction
SU769611A1 (en) Electronic probing device for testing magnetic head dissipation fields
SU1060018A1 (en) Method of determining electric potential distribution in dielectrics
Waidelich Reduction of Probe-Spacing Effect in Pulsed Eddy Current Testing
SU920506A1 (en) Method and device for electromagnetic checking of flaw depth
SU1191814A1 (en) Eddy-current thickness gauge of dielectric coatings
JPH07146277A (en) Non-destructive inspection device
SU382123A1 (en) WAY OF OBTAINING A RELATION OF TWO ANALOG