SU495622A1

SU495622A1 - Single component magnetic field gradient sensor

Info

Publication number: SU495622A1
Application number: SU2046143A
Authority: SU
Inventors: Валерий Семенович Егоров
Original assignee: Предприятие П/Я А-1758
Priority date: 1974-07-15
Filing date: 1974-07-15
Publication date: 1975-12-15

Description

1one

Изобретение относитс к области магнитных измерений и может быть использовано дл измерени локальных .градиентов магнитного нол , В частности при исследовании доменной структуры.The invention relates to the field of magnetic measurements and can be used to measure the local magnetic zero gradients, in particular in the study of the domain structure.

Известен датчик градиента магнитного пол , содержащий подложку с полупроводниковым элемептом.Known sensor magnetic field gradient containing the substrate with a semiconductor element.

Однако, такой датчик имеет достаточно высокий нулевой сигиал, порождаемый неодинаковостью датчиков, и достаточно малую разрешаюпцую способность.However, such a sensor has a sufficiently high zero-sial, generated by the unevenness of the sensors, and a sufficiently low resolution.

Целью изобретени вл етс уменьшение нулевого сигнала и увеличение разрешающей снособности.The aim of the invention is to reduce the zero signal and increase the resolution.

Поставленна цель достигаетс с помощью того, что полупроводниковый элемент предлагаемого датчика имеет Н-образную форму.The goal is achieved by the fact that the semiconductor element of the proposed sensor is H-shaped.

На чертеже представлена схема предлагаемого датчика.The drawing shows the scheme of the proposed sensor.

Датчик состоит из подложки 1, на которой расположен полупроводниковый элемент 2,The sensor consists of a substrate 1, on which the semiconductor element 2 is located,

имеющий Н-образную форму, с токовыми электродами 3 и выходными электродамн 4.H-shaped, with current electrodes 3 and output electrodes 4.

Датчик работает следующим образом.The sensor works as follows.

При помещении датчика в исследуемое магнитиое иоле на боковых гран х его половин по вл етс э.д. с. Холла. Если через половииы датчика протекают встречные токи, то на выходных электродах 4 элемента 2 по вл етс э.д. с., пропорциональна градиенту магнитного нол . Так как датчик изготавливаетс из одного кристалла в едином технологическом цикле, то нулевой сигнал его минимален .When a sensor is placed in the studied magnetic field, the em edges appear on the lateral faces of its halves. with. Hall. If counter currents flow through the sensor halves, then at the output electrodes 4 of element 2, an ed will appear. with., is proportional to the gradient of the magnetic zero. Since the sensor is made of one crystal in a single technological cycle, its zero signal is minimal.

Фор м у л а изобретени Formula of invention

Однокомнонентный датчик градиента магнитного пол , содержащий подложку с полуироводниковым элементом, отличаю щ и и с тем, что, с целью уменьцгени нулевого сигнала и увеличенн разрешающей способности , полупроводниковый элемент имеет П-образную форму.A single-component gradient magnetic field sensor containing a substrate with a half-array element is distinguished by the fact that, in order to reduce the zero signal and the increased resolution, the semiconductor element is U-shaped.