00 QD00 QD
4:ь4: s
слcl
ND Изобретение относитс к сверхвысокочастотной криогенной радиоэлектронике и может быть использовано дл высокочувствительного приема ра диосигнала. Известен способ детектировани сверхвысокочастотного излучени при помощи тонкой сверхпровод щей пленкн путем пропускани через нее тока смещени . Однако известный способ обладает недостаточной чувствительностью вследствие выбора рабочей точки вбл зи критической температуры сверхпро водника, где существует очень высокий уровень тепловых шумов. Целью изобретени вл етс повышение чувствительности. Дл этого до облучени сверхпровод щей пленки измен ют величину тока смещени от нулевого значени до такой величины, при которой на пленке скачком по вл етс напр жение , уменьшают величину тока смещени в два-три раза, облучают пленку СВЧ-излучением и суд т об интен2 сивности излучени по уменьшению тока сме01ени . Предложенный способ осуществл ют следующим образом. Через сверхпровод щую пленку,установленную , например, в волноводном тракте, измен ют величину тока смещени от нул до первого критичес ого значени , при котором на пленке скачком возникает напр жение, а пленка переходит в резистивное состо ние; затем уменьшают величину тока смещени в два-три раза до величины , соответствующей участку вольтамперной характеристики с большой нелинейностью . Установленный таким образом ток смещени определ ет рабочий участок вольтамперной характеристики сверхпровод щей пленки. Указанные действи провод т при одной и той же заданной температуре, так как дл каждой рабочей температуры будет свой ток смещени . Затем сверхпровод щую пленку облучают СВЧ-иэлучением и по изменению тока смещени суд т об интенсивности излучени .ND The invention relates to ultrahigh-frequency cryogenic electronics and can be used for highly sensitive reception of a radio signal. There is a known method for detecting microwave radiation using thin superconducting films by passing a bias current through it. However, the known method has insufficient sensitivity due to the choice of operating point near the critical temperature of the superconductor, where there is a very high level of thermal noise. The aim of the invention is to increase the sensitivity. To do this, before the superconducting film is irradiated, the magnitude of the bias current is changed from zero to such a value that a voltage appears on the film abruptly, the bias current is reduced by two to three times, the film is irradiated with microwave radiation and measured radiation efficiencies by reducing the current flow. The proposed method is carried out as follows. Through a superconducting film installed, for example, in a waveguide path, the magnitude of the bias current is changed from zero to the first critical value at which a voltage is suddenly generated on the film and the film goes into a resistive state; then, the bias current is reduced by two to three times to a value corresponding to the section of the current-voltage characteristic with a large nonlinearity. The bias current thus established determines the working portion of the current-voltage characteristic of the superconducting film. These actions are carried out at the same set temperature, since for each working temperature there will be a different bias current. Then, the superconducting film is irradiated with microwave and radiation, and based on the change in the bias current, the intensity of the radiation is judged.