SU48553A1 - Transmitting device foresight - Google Patents

Transmitting device foresight

Info

Publication number
SU48553A1
SU48553A1 SU182078A SU182078A SU48553A1 SU 48553 A1 SU48553 A1 SU 48553A1 SU 182078 A SU182078 A SU 182078A SU 182078 A SU182078 A SU 182078A SU 48553 A1 SU48553 A1 SU 48553A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
grid
anode
foresight
transmitting device
electrons
Prior art date
Application number
SU182078A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
О.Б. Лурье
Original Assignee
О.Б. Лурье
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by О.Б. Лурье filed Critical О.Б. Лурье
Priority to SU182078A priority Critical patent/SU48553A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU48553A1 publication Critical patent/SU48553A1/en

Links

Landscapes

  • Electron Tubes For Measurement (AREA)

Description

Предлагаемое изобретение касаетс  передающего устройства дальновидени  по типу диссектора Фарнсворта. Согласно изобретению, светочувствительный слой, выполненный в виде мозаики, нанесен на полупроводник, покрывающий металлическую сетку, расположенную между термокатодом и анодом.The present invention relates to a forward looking transmitter according to the Farnsworth dissector. According to the invention, a photosensitive layer, made in the form of a mosaic, is deposited on a semiconductor covering a metal grid located between the thermal cathode and the anode.

Варианты предлагаемого устройства изображены на фиг. 1 и 2 предлагаемого чертежа.Variants of the proposed device are shown in FIG. 1 and 2 of the proposed drawing.

Устройство представл ет собой стекл нный баллон, в котором помещены плоскостной катод /, т. е. пластинка, излучающа  электроны со своей поверхности при соответствующем подогреве ее и создаю1йа  объемный зар д перед сеткой 2; светочувствительна  сетка 2, состо ща  из металлической сетки (основы ), покрытой полупроводником, на который наноситс  мозаичный фотоэлемент; анод 3, который в частности может быть сделан прозрачным дл  света и имеющим отверстие, и электрод 4, воспринимающий электроны, прощедщие через отверстие в аноде, В частности, вместо электрода 4 может быть поставлен вторично-электронный усилитель.The device is a glass balloon in which a planar cathode is placed, i.e. a plate emitting electrons from its surface with a corresponding heating thereof and creating a volume charge in front of the grid 2; a photosensitive grid 2 consisting of a metal grid (base) coated with a semiconductor on which a mosaic photocell is applied; the anode 3, which in particular can be made transparent to light and having an opening, and the electrode 4, which perceives electrons, which penetrate through the opening in the anode; In particular, a secondary-electronic amplifier can be supplied instead of the electrode 4.

Принцип действи  устройства заключаетс  в следующем. Изображение проектируетс  объективом 5 на светочувствительную сетку 2. Свет будет вырывать из фотосло  электроны и создастThe principle of operation of the device is as follows. The image is projected by lens 5 onto the photosensitive grid 2. The light will pull electrons out of the photoflora and will create

некоторое напр жение между металлической основой сетки и фотослоем, благодар  чему через полупроводник, отдел ющий металлическую сетку от фотосло , пойдет ток. При установившемс  режиме напр жение на фотоэлементах мозаики будет отличатьс  от напр жени  на металлической основе на вольт, где R-сопротивление полупроводника , а /-фототок. К металлической основе светочувствительной сетки прикладывают такое отрицательное напр жение, чтобы электроны, эмитированные подогреваемым катодом 7, не попадали на светочувствительную сетку. Совокупность электродов 7, 2 и 5 представл ет собой своего рода трехъэлектродную лампу, сетка которой в разных местах имеет различное напр жение, завис щее от  ркости изображени  всоответствующих точках. Благодар  последнему интенсивность тока, проход щего через различные места сетки, будет разна  в соответствии с изображением . При помощи фокусирующей катущки б, окружающей баллон, можно получить электронное изображение сетки 2 в плоскости анода 3, т. е. электроны , вылетевщне из одной точки плоскости сетки (безразлично, будут ли фотоэлектроны или электроны, эмитированные плоскостью 7), можно собрать в одну точку в плоскости анода. Если,some voltage between the metal base of the grid and the photolayer, so that a current flows through the semiconductor separating the metal grid from the photocell. At steady state, the voltage on the mosaic photovoltaic cells will differ from the voltage on a metal base per volt, where R is the resistance of the semiconductor, and the / -current. Such a negative voltage is applied to the metal base of the photosensitive grid so that electrons emitted by the heated cathode 7 do not fall on the photosensitive grid. The combination of electrodes 7, 2 and 5 is a kind of three-electrode lamp, the grid of which in different places has a different voltage, depending on the brightness of the image at the corresponding points. Thanks to the latter, the intensity of the current passing through different places of the grid will be different according to the image. Using the focusing roller b surrounding the balloon, one can obtain an electronic image of grid 2 in the plane of the anode 3, i.e., electrons emitted from one point of the grid plane (no matter whether there are photoelectrons or electrons emitted by plane 7), can be assembled into one point in the anode plane. If a,

теперь дополнительными катушками 7 перемещать полученное электронное изображение относительно отверсти  в аноде, то с электрода 4, к которому приложено некоторое положительное напр жение относительно анода 3, можно сн ть сигналы изображени  и подать их на вход усилител . Как сказано выше, вместо электрода 4 может быть поставлен вторично-электронный усилитель.Now, using additional coils 7 to move the obtained electronic image relative to the hole in the anode, then from the electrode 4, to which some positive voltage is applied relative to the anode 3, you can remove the image signals and feed them to the amplifier input. As stated above, instead of electrode 4, a secondary electronic amplifier can be supplied.

Полупроводник или изол тор, обладающий некоторой утечкой, на который нанесена светочувствительна  мозаика, служит как дл получени  полезного падени  напр жени  на нем, так и дл  нейтрализации зар да, накопившегос  на фотоэлементе после прекращени  .действи  на него света.A semiconductor or insulator with some leakage, on which a photosensitive mosaic is applied, serves both to obtain a useful voltage drop on it, and to neutralize the charge that has accumulated on the photocell after the light has been applied to it.

Дл  неискаженной передачи со скоростью например 25 кадров в секунду, необходимо, чтобы посто нна  времени RC (где R-сопротивление утечки, а С- емкость фотосло  по отношению к металлическому основанию сетки) было бы не больше /25 сек., т.-е. сек Отсюда можно найти необходимую величину сопротивлени  R. Счита , например , емкость 1 см светочувствительного сло  относительно металлической основы равной 200 . 10 F, получим, что сопротивление 1 см должно бытьFor undistorted transmission at a rate of, for example, 25 frames per second, it is necessary that the RC time constant (where R is the leakage resistance and C is the capacity of the photoflo with respect to the metal base of the grid) is no more than / 25 sec., I.e. . sec. From here you can find the required resistance value R. Consider, for example, the capacity of a 1 cm photosensitive layer relative to a metal base is 200. 10 F, we get that the resistance of 1 cm should be

10121012

25 25

Разложение изображени  может быть осуществлено и без ртклон ющих катушек , если вместо плоскостного катода доставить пластинку, излучающую электроны под вли нием бомбардировки ее электронами электронного прожектора. Тогда при перемещении электронного луча вдоль этой пластинки, что может быть достигнуто обычной электростатической или электромагнитной разверткой , ток на анод 3 будет измен тьс  в зависимости от напр жени  светочувствительной сетки в точке, противоположной излучающей в данный момент точке пластинки /. Во избежание размывани  изображени , пластинку / необходимо расположить достаточно близко к сетке 2. Этот же эффект может быть получен, если катод / заменить сеткой, через которую проход т электроны перемещающегос  электронного луча (фиг. 2). В последних двух случа х перемещение эмитирующей точки на катоде или сетке / может быть скомпенсировано отклон ющими катушками таким образом, чтобы электроны, соотретствующие передаваемому элементу изображени , всегда попадали в отверстие анода В.Image decomposition can also be carried out without rtoning coils if, instead of a planar cathode, a plate is emitted that emits electrons under the influence of electron bombardment of an electronic searchlight. Then, when the electron beam moves along this plate, which can be achieved by a conventional electrostatic or electromagnetic sweep, the current to the anode 3 will change depending on the voltage of the photosensitive grid at the point opposite to the point emitting at the moment. In order to avoid image blurring, the plate / must be located sufficiently close to grid 2. The same effect can be obtained if the cathode / is replaced by a grid through which electrons of the moving electron beam pass (Fig. 2). In the latter two cases, the displacement of the emitting point on the cathode or grid / can be compensated for by the deflecting coils so that the electrons corresponding to the transmitted image element always fall into the opening of the anode B.

Предмет изобретени .The subject matter of the invention.

Передающее устройство дальновидени  по типу диссектора Фарнсворта, отличающеес  тем, что светочувствительный слой, выполненный в виде мозаики , нанесен на полупроводник, покрывающий металлическую сетку, расположенную между сплошным термокатодом и анодом, с целью непрерывного изменени  плотности сплошного электронного потока от термокатода к аноду.A forward-looking transmission device according to the Farnsworth dissector, characterized in that the photosensitive layer made in the form of a mosaic is deposited on a semiconductor covering a metal grid located between the solid thermal cathode and the anode in order to continuously change the density of the continuous electron flux from the thermal cathode to the anode.

фигfig

ООО оI/0(0 оLLC oI / 0 (0 o

OOP о о о о о ОООООООООООООО ОООOOP o o o o o LLC OOOOOOOOOOOO LLC

OfoOOOOOOOOOOOO ОООО 1лллл ООООOfoOOOOOOOOOOOO OOOO 1llll OOOO

б 7 ст Гооо - -о оо 12 оо ООО ., ООО о б 7 3 4b 7 st Goooo - -oo LLC 12 oo. Ltd., LLC about 6 7 3

SU182078A 1935-12-11 1935-12-11 Transmitting device foresight SU48553A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU182078A SU48553A1 (en) 1935-12-11 1935-12-11 Transmitting device foresight

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU182078A SU48553A1 (en) 1935-12-11 1935-12-11 Transmitting device foresight

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU48553A1 true SU48553A1 (en) 1936-08-31

Family

ID=48361490

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU182078A SU48553A1 (en) 1935-12-11 1935-12-11 Transmitting device foresight

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU48553A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US2258294A (en) Photoelectric device
US2541374A (en) Velocity-selection-type pickup tube
US2177360A (en) Optical image intensifier
US2460093A (en) Cathode beam transmitter tube
US2177736A (en) Television transmitting apparatus
US2368884A (en) Television transmitting apparatus
US2929866A (en) Television pickup tube
US2776387A (en) Pick-up tube with induced conductivity target
US2118186A (en) Image receiving tube
US2928969A (en) Image device
US2292437A (en) Electron image amplifier
US2618761A (en) Negative stored charge pickup tube
US2213547A (en) Electron discharge apparatus
US2970219A (en) Use of thin film field emitters in luminographs and image intensifiers
SU48553A1 (en) Transmitting device foresight
US2212923A (en) Picture transmitter
US2250283A (en) Electron discharge device
US2300591A (en) Electronic scanning device
US2213173A (en) Television transmitting tube
US2617058A (en) Television transmitting tube
US2131892A (en) Electron discharge device
US2250721A (en) Image storage tube
US2314648A (en) Television transmitting and the like system
US2723360A (en) Image orthicon
US3242367A (en) Storage target electrode