SU483793A1 - Transistor Transistor Logic - Google Patents

Transistor Transistor Logic

Info

Publication number
SU483793A1
SU483793A1 SU1989904A SU1989904A SU483793A1 SU 483793 A1 SU483793 A1 SU 483793A1 SU 1989904 A SU1989904 A SU 1989904A SU 1989904 A SU1989904 A SU 1989904A SU 483793 A1 SU483793 A1 SU 483793A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
logic
base
circuit
load capacity
Prior art date
Application number
SU1989904A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Николай Александрович Аваев
Юрий Евгеньевич Наумов
Original Assignee
Московский Ордена Ленина Авиационный Институт Им. С. Орджоникидзе
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Московский Ордена Ленина Авиационный Институт Им. С. Орджоникидзе filed Critical Московский Ордена Ленина Авиационный Институт Им. С. Орджоникидзе
Priority to SU1989904A priority Critical patent/SU483793A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU483793A1 publication Critical patent/SU483793A1/en

Links

Landscapes

  • Logic Circuits (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)

Description

j3i/v - коэффициент усилени  транзистора 3 в схеме с общим эмиттером. Условие насыщени  транзистора 3 имеет видj3i / v is the gain of transistor 3 in the circuit with a common emitter. The saturation condition of transistor 3 is

(А+Д/б) + (A + D / b) +

в,at,

f/633-f/,f / 633-f /,

бк1BK1

Л- - ток черезL - - current through

RR

резистор 2;resistor 2;

эбз - напр жение пр мого смещени  перехода база-эмиттер транзистора 3;EBs is the forward bias voltage of the base-emitter junction of transistor 3;

UoKi - напр жение пр мого смещени  перехода база-коллектор транзистора 1;UoKi is the forward bias voltage of the base-collector junction of transistor 1;

/вх - входной вытекающий ток схемы в/ in - input current flowing in the circuit

закрытом состо нииclosed state

. «1 У п - нагрузочна  способность схемы. Дополнительный базовый ток Д/б приводит к увеличению нагрузочной способности схемы: чем больще А/б (меньще в), тем больще нагрузочна  способность.. "1 U p - load capacity of the circuit. Additional base current D / b leads to an increase in the load capacity of the circuit: the larger the A / b (lower), the greater the load capacity.

При уменьшении напр жени  на одном из входов схемы транзистор 5 выключаетс , ток инжектора уменьщаетс , и по мере уменьщени  тока базы транзистора 3 происходит его выключение.When the voltage decreases at one of the circuit inputs, transistor 5 turns off, the injector current decreases, and as the base current of transistor 3 decreases, it switches off.

Предмет изобретени Subject invention

Транзисторно-транзисторный логический элемент, содержащий многоэмиттерный транзистор , коллектор которого соединен с базой выходного транзистора, и резисторы, отличающийс  тем, что, с целью повыщени A transistor-transistor logic element containing a multiemitter transistor, the collector of which is connected to the base of the output transistor, and resistors, characterized in that, in order to increase

нагрузочной способности, в нем установлен дополнительный транзистор, а выходной транзистор выполнен четырехэлектродным, причем инжектор выходного транзистора соединен с эмиттером дополнительного транзнстора , коллектор которого через резистор соединен с щиной источника питани , а база дополнительного транзистора подключена к резистивному делителю, включенному в цепь базы входного транзистора.load capacity, an additional transistor is installed in it, and the output transistor is four-electrode, the injector of the output transistor is connected to the emitter of the additional transistor, the collector of which is connected to the power source through a resistor, and the base of the additional transistor is connected to a resistor divider connected to the base of the input transistor .

(( I ((I

I I

О ABOUT

ВыхOut

SU1989904A 1974-01-18 1974-01-18 Transistor Transistor Logic SU483793A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1989904A SU483793A1 (en) 1974-01-18 1974-01-18 Transistor Transistor Logic

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1989904A SU483793A1 (en) 1974-01-18 1974-01-18 Transistor Transistor Logic

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU483793A1 true SU483793A1 (en) 1975-09-05

Family

ID=20573788

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1989904A SU483793A1 (en) 1974-01-18 1974-01-18 Transistor Transistor Logic

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU483793A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GB1211389A (en) Logic circuits
SU483793A1 (en) Transistor Transistor Logic
SU478440A1 (en) Trigger Turchenkova VI
SU466620A1 (en) Logical element and not
GB1268330A (en) Improvements in or relating to logic-signal level-converter circuit arrangements
SU464069A1 (en) Threshold device
SU471640A1 (en) Current source
SU480982A1 (en) Comparison device of two currents
SU750456A1 (en) Dc source
SU362473A1 (en) TRANSISTOR KEY
SU613482A1 (en) Transistorized power amplifier
SU381071A1 (en) DC STABILIZER
SU949790A1 (en) Bipolar-to-unipolar signal converter
SU376879A1 (en) ALL-UNION I
SU604145A1 (en) Comparator
SU463221A1 (en) DC output amplifier stage
SU482881A1 (en) Threshold device
SU377750A1 (en) YOUTH: VNAASHg1 * '10'-1i ;;; "5Г1 || ^
SU450363A2 (en) Diode transistor logic element
SU490788A1 (en) Semiconductor voltage stabilizer
SU1001480A1 (en) Integrated logic circuit
KR930006085Y1 (en) 3 state logic conversion circuit
SU426308A1 (en) MULTI VIBRATOR
SU635470A1 (en) Dc voltage stabilizer
SU394915A1 (en) AMPLIFIER