SU476713A1 - Piezoelectric transducer - Google Patents

Piezoelectric transducer

Info

Publication number
SU476713A1
SU476713A1 SU1889449A SU1889449A SU476713A1 SU 476713 A1 SU476713 A1 SU 476713A1 SU 1889449 A SU1889449 A SU 1889449A SU 1889449 A SU1889449 A SU 1889449A SU 476713 A1 SU476713 A1 SU 476713A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
electrode
piezoelectric transducer
layer
source
converter
Prior art date
Application number
SU1889449A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Борис Иванович Ильин
Владимир Филиппович Салохин
Сергей Константинович Цветаев
Валерий Юрьевич Куров
Original Assignee
Предприятие П/Я В-2763
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я В-2763 filed Critical Предприятие П/Я В-2763
Priority to SU1889449A priority Critical patent/SU476713A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU476713A1 publication Critical patent/SU476713A1/en

Links

Landscapes

  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Description

1one

Изобретение отноеитс  к области акустической техники и может быть исиользавано в качестве электромеханического преобразовател  давлений и деформаций.The invention relates to the field of acoustic engineering and may be used as an electromechanical transducer for pressure and strain.

Известные пьезоэлектрические преобразователи , содержащие пьезоэлектрический иолунроводнпк , изол тор и полевой элект юд, подвержены электрическим наводкам и имеют недостаточную чувствнтельность.Known piezoelectric transducers, which contain a piezoelectric transducer, an insulator, and a field elec- trode, are susceptible to electrical noise and have insufficient sensitivity.

Цель изобретени  - увеличение стабильности и чувствительности преобразовател . Это достигаетс  тем, что преобразователь содержит металлический экра.нпруюпии электрод, нанесенный на пьезодиэлектрический слой.The purpose of the invention is to increase the stability and sensitivity of the converter. This is achieved by the fact that the transducer contains a metal screen that guides the electrode deposited on the piezo dielectric layer.

На чертеже изображеи преобразователь.In the drawing, an image converter.

Преобразователь содержит диэлектрическую подложку 1, электрод затвора 2, слой изол тора 3, электрод истока 4, электрод стока 5, слой иолупроводпика 6, диэлектрический слой 7, экраиируюи;ий электрод 8, источник управл ю1него потенпиала 9, источиик напр жени  10 и нагрузочное со-противление И.The converter contains dielectric substrate 1, gate electrode 2, insulator layer 3, source electrode 4, drain electrode 5, layer of semi conductor 6, dielectric layer 7, screening; iy electrode 8, control source potential 9, voltage source 10, and load co - resistance I.

Преобразователь работает следующим образом .The Converter operates as follows.

Когда между затвором 2 и электродом истока 4 приложена разность потенциалов от источника потенциала, поле затвора проникает в слой полупроводника 6 п измен ет концентрацию свободных электронов, а, следовательно , и проводимость «исток-сток. Если при этом преобразователь деформируетс , или па него воздействует давление, на границах пьезоэлектрнческого сло  7 возникают св занные зар ды, электрическое поле которых проникает в полупроводник 6 и пзмен ет в нем концентрацию свободных электропов, так как в цепи стока 5 включепо пагрузочпое сопротивление 11, то пацр жеиие на нем  вл етс  функцией деформаппп И.111 давленн .When the potential difference from the potential source is applied between the gate 2 and the source 4 electrode, the gate field penetrates the semiconductor layer 6 n and changes the concentration of free electrons, and, consequently, the source-drain conductivity. If the converter is deformed or pressure acts on it, bound charges arise at the boundaries of the piezoelectric layer 7, the electric field of which penetrates into semiconductor 6 and explodes the concentration of free electrons in it, since drain circuit 11 has This component is a function of deformation of the I.111 pressure.

Предмет изобретени Subject invention

Пьезоэлектрический преобразователь, содержащий подлож1чу, слой полупроводника и иолевой электрод, отличающийс  тем, что, с целью увеличени  чувствнтельности и стабильности, он снабжен металлическим экранирующим электродом, наиесенным на пьезоэлектрический слой.A piezoelectric transducer containing a substrate, a semiconductor layer, and an i-pole electrode, characterized in that, in order to increase sensitivity and stability, it is equipped with a metal shielding electrode mounted on a piezoelectric layer.

SU1889449A 1973-03-02 1973-03-02 Piezoelectric transducer SU476713A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1889449A SU476713A1 (en) 1973-03-02 1973-03-02 Piezoelectric transducer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1889449A SU476713A1 (en) 1973-03-02 1973-03-02 Piezoelectric transducer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU476713A1 true SU476713A1 (en) 1975-07-05

Family

ID=20544302

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1889449A SU476713A1 (en) 1973-03-02 1973-03-02 Piezoelectric transducer

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU476713A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4136291A (en) Capacitive touch-pad devices with dynamic bias
US4378510A (en) Miniaturized accelerometer with piezoelectric FET
CA1189350A (en) Force sensors
KR890008981A (en) Semiconductor Memory with Groove Capacities with Sheathed Electrodes
KR850005160A (en) Stacked Semiconductor Memory
KR20060115870A (en) Electret and electret capacitor
GB752040A (en) Piezoelectric transducer
KR900019261A (en) Semiconductor device
FR2390009A1 (en)
SU476713A1 (en) Piezoelectric transducer
US3975696A (en) Acoustic storage device for the correlation in particular of two high frequency signals
US4048525A (en) Output circuit for charge transfer transversal filter
EP0087264A2 (en) Force sensors
US11320330B2 (en) Arrangement for a semiconductor-based pressure sensor chip and pressure sensor chip having a bridge circuit of transistors
DE1300993C2 (en) ELECTRONIC THIN-FILM COMPONENT
US4035822A (en) Pressure sensitive field effect device
US3474307A (en) Semiconductor device for chopper circuits having lead wires of copper metal and alloys thereof
GB1188797A (en) Semiconductor Manufacture.
US3740689A (en) Mechano-electrical transducer device
US4241262A (en) Circuit for measuring the charge stored in a charge-coupled device
KR900701044A (en) Semiconductor devices
GB1520965A (en) Opto-electronic sensors
JPS5771165A (en) Semiconductor device
SU367488A1 (en) SEMICONDUCTOR VARIKAP
US2557774A (en) Electron discharge tube