SU476713A1 - Piezoelectric transducer - Google Patents
Piezoelectric transducerInfo
- Publication number
- SU476713A1 SU476713A1 SU1889449A SU1889449A SU476713A1 SU 476713 A1 SU476713 A1 SU 476713A1 SU 1889449 A SU1889449 A SU 1889449A SU 1889449 A SU1889449 A SU 1889449A SU 476713 A1 SU476713 A1 SU 476713A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- electrode
- piezoelectric transducer
- layer
- source
- converter
- Prior art date
Links
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
1one
Изобретение отноеитс к области акустической техники и может быть исиользавано в качестве электромеханического преобразовател давлений и деформаций.The invention relates to the field of acoustic engineering and may be used as an electromechanical transducer for pressure and strain.
Известные пьезоэлектрические преобразователи , содержащие пьезоэлектрический иолунроводнпк , изол тор и полевой элект юд, подвержены электрическим наводкам и имеют недостаточную чувствнтельность.Known piezoelectric transducers, which contain a piezoelectric transducer, an insulator, and a field elec- trode, are susceptible to electrical noise and have insufficient sensitivity.
Цель изобретени - увеличение стабильности и чувствительности преобразовател . Это достигаетс тем, что преобразователь содержит металлический экра.нпруюпии электрод, нанесенный на пьезодиэлектрический слой.The purpose of the invention is to increase the stability and sensitivity of the converter. This is achieved by the fact that the transducer contains a metal screen that guides the electrode deposited on the piezo dielectric layer.
На чертеже изображеи преобразователь.In the drawing, an image converter.
Преобразователь содержит диэлектрическую подложку 1, электрод затвора 2, слой изол тора 3, электрод истока 4, электрод стока 5, слой иолупроводпика 6, диэлектрический слой 7, экраиируюи;ий электрод 8, источник управл ю1него потенпиала 9, источиик напр жени 10 и нагрузочное со-противление И.The converter contains dielectric substrate 1, gate electrode 2, insulator layer 3, source electrode 4, drain electrode 5, layer of semi conductor 6, dielectric layer 7, screening; iy electrode 8, control source potential 9, voltage source 10, and load co - resistance I.
Преобразователь работает следующим образом .The Converter operates as follows.
Когда между затвором 2 и электродом истока 4 приложена разность потенциалов от источника потенциала, поле затвора проникает в слой полупроводника 6 п измен ет концентрацию свободных электронов, а, следовательно , и проводимость «исток-сток. Если при этом преобразователь деформируетс , или па него воздействует давление, на границах пьезоэлектрнческого сло 7 возникают св занные зар ды, электрическое поле которых проникает в полупроводник 6 и пзмен ет в нем концентрацию свободных электропов, так как в цепи стока 5 включепо пагрузочпое сопротивление 11, то пацр жеиие на нем вл етс функцией деформаппп И.111 давленн .When the potential difference from the potential source is applied between the gate 2 and the source 4 electrode, the gate field penetrates the semiconductor layer 6 n and changes the concentration of free electrons, and, consequently, the source-drain conductivity. If the converter is deformed or pressure acts on it, bound charges arise at the boundaries of the piezoelectric layer 7, the electric field of which penetrates into semiconductor 6 and explodes the concentration of free electrons in it, since drain circuit 11 has This component is a function of deformation of the I.111 pressure.
Предмет изобретени Subject invention
Пьезоэлектрический преобразователь, содержащий подлож1чу, слой полупроводника и иолевой электрод, отличающийс тем, что, с целью увеличени чувствнтельности и стабильности, он снабжен металлическим экранирующим электродом, наиесенным на пьезоэлектрический слой.A piezoelectric transducer containing a substrate, a semiconductor layer, and an i-pole electrode, characterized in that, in order to increase sensitivity and stability, it is equipped with a metal shielding electrode mounted on a piezoelectric layer.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1889449A SU476713A1 (en) | 1973-03-02 | 1973-03-02 | Piezoelectric transducer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1889449A SU476713A1 (en) | 1973-03-02 | 1973-03-02 | Piezoelectric transducer |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU476713A1 true SU476713A1 (en) | 1975-07-05 |
Family
ID=20544302
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU1889449A SU476713A1 (en) | 1973-03-02 | 1973-03-02 | Piezoelectric transducer |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU476713A1 (en) |
-
1973
- 1973-03-02 SU SU1889449A patent/SU476713A1/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4136291A (en) | Capacitive touch-pad devices with dynamic bias | |
US4378510A (en) | Miniaturized accelerometer with piezoelectric FET | |
CA1189350A (en) | Force sensors | |
KR890008981A (en) | Semiconductor Memory with Groove Capacities with Sheathed Electrodes | |
KR850005160A (en) | Stacked Semiconductor Memory | |
KR20060115870A (en) | Electret and electret capacitor | |
GB752040A (en) | Piezoelectric transducer | |
KR900019261A (en) | Semiconductor device | |
FR2390009A1 (en) | ||
SU476713A1 (en) | Piezoelectric transducer | |
US3975696A (en) | Acoustic storage device for the correlation in particular of two high frequency signals | |
US4048525A (en) | Output circuit for charge transfer transversal filter | |
EP0087264A2 (en) | Force sensors | |
US11320330B2 (en) | Arrangement for a semiconductor-based pressure sensor chip and pressure sensor chip having a bridge circuit of transistors | |
DE1300993C2 (en) | ELECTRONIC THIN-FILM COMPONENT | |
US4035822A (en) | Pressure sensitive field effect device | |
US3474307A (en) | Semiconductor device for chopper circuits having lead wires of copper metal and alloys thereof | |
GB1188797A (en) | Semiconductor Manufacture. | |
US3740689A (en) | Mechano-electrical transducer device | |
US4241262A (en) | Circuit for measuring the charge stored in a charge-coupled device | |
KR900701044A (en) | Semiconductor devices | |
GB1520965A (en) | Opto-electronic sensors | |
JPS5771165A (en) | Semiconductor device | |
SU367488A1 (en) | SEMICONDUCTOR VARIKAP | |
US2557774A (en) | Electron discharge tube |