SU473302A1 - Высоковольтный коммутатор малой мощности - Google Patents

Description

равл  ощсго сигнала //, сосдипспно:Лу с общим слоел 3.

Устройство работает следующим образом. Пусть управл ющий сигнал от нсточкпка // и соответственно ток управлони  равны нулю. Тогда сопротивление между эмиттерами 4 и 5 велико, и коммутируема  цепь pasoMKiiyia прл любой пол ркости источника коммутируемого сигнала 7. При любой пол рности коммутируемого сигнала сопротивление .между эмнттерамн в закрытом состо нии определ етс  обратным сопротивлением дву.х нере.ходов - одного эмиттерсого и одного коллекторного . |Пусть управл ющий сигнал источни .ка // отличен от нул  и создает в цепи унравлеии  ток /упр. Часть этого тока протекает через р-п переход S. В результате этот переход инжектирует в слой 3 неосновные носители , которые, достига  благодар  диффузии коллекторных и эмиттерных переходов транзисторов , с.мещают переходы в пр мом направлении , что существенно снижает их сопротищлекие . Таким образо м, день 6, 7 оказываетс  замкнутой дл  любой пол рности источника коммутируемого сигнала.

Инжектирующий р-п переход 8 может быть расположен в одной плоскости с коллекторны .ми переходами транзисторов, как показано на фиг. 2.

На фиг. 3 показан другой вариант устройства , в которо.м используютс  два инжектирующих р-п перехода 8 и 8, расположенных в

одной плоскости с коллектор:1Ы.и

тереходами транзисторов.

П р е ,О1 е т изобретен и  

Claims (2)

1.Высоковольтный коммутатор лгалой мондности, содержащий два встречно последовательно включенн.ых транзистора, коллекторные области которых выполнены в виде единой подложки из полупроводникового материала , а ко.ммутируемые шины подключены к выводам от эмиттерных областей транзисторов , отличающийс  тем,что, с целью повышени  допустимого коммутируемого напр жени , в коллекторные об.тасти транзисторов введен дополнительный инжектируЕощий р-п переход, расположенный от коллекторных переходов на рассто нии, меньщем диффузионной длины носителей зар да, а управл  ои;ие шины подключены к выводу от коллекторных об.1астей т;1анзистор()в и к вывод} от тшеишего сло  дополнительного инжектир юшего р-п перехода.

2.Коммутатор по п. 1, отличающийс  тем, что в коллекторные области транзисторов введены два дополнительных инжектирующих р-п перехода, расположенные от соответствующих коллекторных переходов на рассто нии, меньще.м диффузионной носителей зар да , а управл ющие щины подключены к месту соединени  выводов от коллекторных областей транзисторов и к меет} соединени  выводов от внещних слоев доиол;1ительных инжектирующих р-п нереходов.

...J