SU470044A1 - Device for generating control voltages for semiconductor devices - Google Patents

Device for generating control voltages for semiconductor devices

Info

Publication number
SU470044A1
SU470044A1 SU1391417A SU1391417A SU470044A1 SU 470044 A1 SU470044 A1 SU 470044A1 SU 1391417 A SU1391417 A SU 1391417A SU 1391417 A SU1391417 A SU 1391417A SU 470044 A1 SU470044 A1 SU 470044A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
semiconductor devices
generating control
control voltages
capacitor
thyristor
Prior art date
Application number
SU1391417A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Владимир Ильич Турченков
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to SU1391417A priority Critical patent/SU470044A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU470044A1 publication Critical patent/SU470044A1/en

Links

Landscapes

  • Power Conversion In General (AREA)

Description

Изобретение относитс  к области автоматизании электроэнергетических объектов и нредназначено дл  генерировани  унравл ющих напр жений дл  полупроводниковых приборов , например силовых тиристоров. Известны устройства дл  генерировани  управл ющих нанр жений дл  полупроводниковых приборов, содержащие носледовательно включенные конденсатор, нагрузочный элемент , например первичную обмотку импульсного трансформатора, и тиристор, управл ющий электрод которого соединен с коллектором транзистора, и блок команд. Однако известные устройства дл  генерировани  унравл ющих напр жений не обеспечивают релейный сдвиг по фазе на 180° управл ющих импульсов относительно опорного напр жени . Предложенное устройство дл  генерировани  управл ющих напр женнй отличаетс  от известных тем, что дл  расщирени  функциональных возможностей параллельно тиристору включен дополнительный тиристор, управл ющий электрод которого соединен с коллектором дополнительного транзистора, базы указанных транзисторов соединены с двум  источниками переменного напр жени , наход щимс  в противофазе, и через диоды с общей точкой конденсатора и тиристоров, а эмиттеры транзисторов св заны с выходами блока команд. Схема устройства дл  генерировани  управл ющих напр жений дл  полупроводниковых приборов приведена на чертеже. Устройство дл  генерировани  управл ющих напр жений дл  полупроводниковых приборов содержит блок команд 1, имеющий два выхода 2 и 3, соедпненные с эмиттерами транзисторов 4 и 5, коллекторы которых соединены с управл ющими электродами тиристоров 6 и 7, а базы с двум  источниками переменного тока 8 и 9, наход щимис  между собой в противофазе и через диоды 10 и 11 с местом соединени  тиристоров 6 и 7 с конденсатором 12. Втора  обкладка конденсатора 12 соединена с нагрузочным эмиттером, в качестве которого, например, можно использовать первичную обмотку импульсного трансформатора или унравл ющий переход тиристора. Блок команд имеет по своим выходам четыре состо ни , в соответствии с которыми имеет четыре состо ни  устройства дл  генерирова ни  напр жени . При больщих сопротивлени х между выхо дами 2 и 3 (показанные электронные ключи разомкнуты) на выходе импульсов нет, а кон денсатор 12 зар жен до ппкового значени  напр жени  источников 8 пли 9.The invention relates to the field of automating electrical power facilities and is intended for generating control voltages for semiconductor devices, such as power thyristors. Devices for generating control circuits for semiconductor devices are known, which include a successively connected capacitor, a load element, such as the primary winding of a pulse transformer, and a thyristor, the control electrode of which is connected to the collector of the transistor, and a command block. However, the known devices for generating equalizing voltages do not provide a relay phase shift of 180 ° control pulses relative to the reference voltage. The proposed device for generating control voltages differs from those known in that for expanding the functionality, an additional thyristor is connected parallel to the thyristor, the control electrode of which is connected to the collector of the additional transistor, the bases of these transistors are connected to two anti-phase sources, and through the diodes to the common point of the capacitor and thyristors, and the emitters of the transistors are connected to the outputs of the command block. A schematic of the device for generating control voltages for semiconductor devices is shown in the drawing. A device for generating control voltages for semiconductor devices comprises a command block 1 having two outputs 2 and 3 connected to the emitters of transistors 4 and 5, the collectors of which are connected to the control electrodes of thyristors 6 and 7, and the bases with two AC sources 8 and 9 interconnected in antiphase and through diodes 10 and 11 with the connection point of thyristors 6 and 7 with capacitor 12. The second plate of capacitor 12 is connected to a load emitter, for which, for example, primary volt from the pulse transformer or the thyristor control switch. The command block has four states in its outputs, according to which it has four states of the device for generating voltage. With large resistances between outputs 2 and 3 (the electronic keys shown are open) there are no pulses at the output, and the capacitor 12 is charged to the maximum value of the voltage of the sources 8 or 9.

При малом сопротивлении, допустим па гзыходе 2, (ключ замкнут) формируютс  импульсы в начале каждой отрицательной полуволны источника тока 8.With low resistance, let us say on step 2, (the key is closed) pulses are formed at the beginning of each negative half-wave of the current source 8.

Это происходит следуюш,им образом. В отрицательпую полуволну источника тока 9 конденсатор 12 через диод 11 зар жаетс . С нсточника 8 поступает на базу транзистора 4 и катод диода 10 положительное папр жение, и они тока не провод т.This happens in the following way. In the negative half-wave of the current source 9, the capacitor 12 is charged through the diode 11. The nost source 8 enters the base of the transistor 4 and the cathode of the diode 10 is positively coupled, and they do not conduct any current.

В положительную полуволну источника 9 запираетс  управл ющий переход транзистора 5 и переход анода диода 11. При этом от источника переменного тока 8 отрицательна  полуволна протекает через базо-эмиттерный переход транзистора 4 и выхода 2 блока команд 1. При этом ток коллектора, протека  через управл ющий электрод тиристора 6, включает последний, и конденсатор 12 быстро разр жаетс  через анод - катод тиристора 6 и нагрузочный элемент 13.The control transition of the transistor 5 and the transition of the anode of the diode 11 are locked into the positive half-wave of source 9. At the same time, a negative half-wave flows from the AC source 8 through the base-emitter transition of transistor 4 and output 2 of the command block 1. At the same time the thyristor 6 electrode, includes the latter, and the capacitor 12 is quickly discharged through the anode — the cathode of the thyristor 6 and the load element 13.

Далее процессы повтор ютс .Further, the processes are repeated.

При малом сопротивлении выход 3 и больщом сопротивлении выход 2 блока команд 1 аналогичным образом будут формироватьс  на выходе импульсы, но уже в каждую полуволну отрицательного напр жени  (9).With a small resistance, output 3 and a large resistance output 2 of command block 1 will similarly generate output pulses, but already in each half-wave of negative voltage (9).

При малых сопротивлени х на выходах 2 и 3 блока команд 1 на выходе импульсов не будет , так как ток от источников переменного тока 8 и 9 будет протекать через малое сопротивление базо-эмиттерных переходов транзисторов 4 и 5 1 через выходные клеммы 2 и 3 блока команд 1.With small resistances at outputs 2 and 3 of command block 1, no pulses will be output, since the current from the AC sources 8 and 9 will flow through the low resistance of the base-emitter transitions of transistors 4 and 5 1 through the output terminals 2 and 3 of the command block one.

Предмет изобретени Subject invention

Устройство дл  генерировани  управл ющих напр жений дл  полупроводниковых приборов , содержащее последовательно включенные конденсатор, нагрузочный элемент и тиристор , управл ющий электрод которого соединен с коллектором транзистора, и блок команд о т л и ч а ю щ и и с   тем, что, с целью расгпирени  функциональных возможностей параллельно указанному тиристору включен дополнительный тиристор, управл ющий электрод которого соединен с коллектором дополнительного транзистора, базы указанных транзисторов соединены с двум  источниками переменного напр жени , наход щимс  в противофазе и через диоды с общей точкой конденсатора и тиристоров, а эмиттеры транзисторов соединены с выходами блока команд.A device for generating control voltages for semiconductor devices, comprising a series-connected capacitor, a load element and a thyristor, the control electrode of which is connected to the collector of the transistor, and with the command unit that the expansion of functionality parallel to the specified thyristor includes an additional thyristor, the control electrode of which is connected to the collector of the additional transistor, the bases of these transistors are connected to two sources AC voltages that are out of phase and through diodes with a common point of a capacitor and thyristors, and the emitters of the transistors are connected to the outputs of the command block.

УЙЙ/.WY /.

SU1391417A 1969-12-30 1969-12-30 Device for generating control voltages for semiconductor devices SU470044A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1391417A SU470044A1 (en) 1969-12-30 1969-12-30 Device for generating control voltages for semiconductor devices

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1391417A SU470044A1 (en) 1969-12-30 1969-12-30 Device for generating control voltages for semiconductor devices

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU470044A1 true SU470044A1 (en) 1975-05-05

Family

ID=20449101

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1391417A SU470044A1 (en) 1969-12-30 1969-12-30 Device for generating control voltages for semiconductor devices

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU470044A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US2879412A (en) Zener diode cross coupled bistable triggered circuit
US3619656A (en) Bilateral voltage responsive switch
US3181053A (en) Regulated rectifier inverter circuit
US3010031A (en) Symmetrical back-clamped transistor switching sircuit
US3553486A (en) High noise immunity system for integrated circuits
US3401327A (en) Inverter circuit having increased frequency starting
SU470044A1 (en) Device for generating control voltages for semiconductor devices
US3548318A (en) Ramp function generator
US3794907A (en) Converter circuit
US3046414A (en) Pulse generator for producing periodic pulses of varying width from an alternating voltage
US3879650A (en) DC to polyphase inverter utilizing a plurality of switching device and a transformer having a plurality of primary and feedback windings connected in circuit with the switching device
US3259834A (en) Voltage stabilisers
US3939394A (en) Constant voltage circuit
US3441831A (en) Dc to ac converter
US3092735A (en) Switching circuit for a ladder type digital to analog converter utilizing an alternating reference voltage
US3174107A (en) Control circuit cyclically energizing a load using raw a. c. as one of two supplies
US3427562A (en) Voltage controlled variable frequency relaxation oscillator
US3995176A (en) Unidirectional alternating current interrupter operable over full half cycles
US3514637A (en) Control apparatus
US3469114A (en) Electronic switch and control circuit therefor
SU383194A1 (en) DEVICE FOR TIRISTOR MANAGEMENT
SU566319A1 (en) Blocking generator
RU2104611C1 (en) Voltage regulator of generator power supply
US3174057A (en) Bistable multivibrator employing single four zone semiconductor element
SU1522360A1 (en) Device for controlling thyristor power gate