напр жение на выходе силового выпр мител равно нулю, пороговый ключевой элемент (диннстор) 3 блока управлени закрыт и, : следовательно, на формирователь 4 не пода етс питание. При этом через коммутирующий тиристор 5 ток не протекает и нагрузка 6 потребл ет энергию от конденсатора 7 фильтра, уровень напр жени на котором соответствует с точностью до размаха .пульсаций требуемому уровню стабилизации. В процессе своего увеличени напр жение полусиносоиды на первом участке в некоторый момент времени становитс равным напр жению на нагрузке 6, но так как напр жение пробо динистора 3 выще напр жени на нагрузке, формирователь 4 так же обесточен В следующий момент времени увеличивающее напр жение полусинусоиды достигает порога срабатывани динистора 3, который лавинообразно переходит в состо ние включено. Формирователь 4 по питанию подключаетс к выходу силового выпр мител и начинаетс зар д управл ющего конденсатора Параметры формировател 4 выбраны такими что врем зар да этого конденсатора значительно меньше периода питающего напр жени . В момент, когда напр жение на управл ющем конденсаторе становитс равным напр жению пробо опорного элемента (стабилитрона) 9, щунтирующий транзистор 10 при соответствующем выборе сопротивлени резисторов 11-13 моста переходит в область насыщени и, следовательно, напр жение на конденсаторе 8 ограничиваетс . значением опорного напр жени . При этом, вспомогательный транзистор 14 закрыт, так как к его переходу эмиттер-база приложено в запирающем направлении напр жение, представл ющее собой разность между напр жением смещенного в пр мом направлении диода 15 (от тока через резистор 16) и напр жением эмиттер-коллектор насыщенного транзистора 10. При дальнейщем изменении напр жени полусинусоиды состо ние элементов блока управлени не измен етс . В момент, когда это напр жение достигает максимума, закан-ч чивае1х; первый участок напр жени полусинусоиды , т.е.уменьшаетс от максимального до нулевого значений. В процессе g уменьшени напр жени в некоторый момент времени шунтирующий транзистор 10 начинает аакрыват1 , что приводит к по влению тока через б5зу„и, следовательно, через коллектор вспомогательного транзистора 14. Разр дный тиристор 17 открываетс и в базу коммутирующего -тиристора 5 поступает разр дный импульс управл ющего конденсатора 8. Тиристор 5 открываетс и через небольшой дроссель 18 подключает . конденсатор 7 к выходу силового выпр мител . Происходит относительно быстрый . ; подзар д этого конденсатора до необходимого уровн и (..последующее автоматическое : выключение тиристора 5 так как напр жение полусинусоиды становитс меньшим напр жени на нагрузке. Учитыва ограничени импульса тока через тиристор при подзар де конденсатора 7 выбирают индуктивность дроссел 18. В момент окончани второго участка полусинусоиды , когда напр жение на выходе сило-, вого выпр мител близко нулю, динистор 3 и тиристор 17 наход тс в состо нии выключено, Предмет изобретени Стабилизированный преобразовате;ш переменного напр жени в посто нное, содержащий силовой выпр митель, фильтр с конденсатором, коммутирующий тиристор и подключенный к силовому выпр мителю блок управлени , выполненный в виде последовательно включенных порогового ключевого элемента с напр жением срабатывани , превышающим уровень стабилизации выходного напр жени , и формиро-- , вател пускового импульса с управл ющим конденсатором, итунтирующим транзистором и разр дным тиристором, отлича ю- щ и и с тем, что с целью увеличени коэффициента стабилизации, параллельно управл ющему конденсатору включена цепочка из резистора и диода, катод кото рого .через переход эмиттер-база: вспомогательног-о транзистора, соединенного по коллек1Х)рной цепи с базой разр дного тиристора, подключен к эмиттеру указанного щунтирующего транзист-ора. - rw 5