SU460826A1 - Устройство дл изготовлени многослойных полупроводниковых структур методом жидкостной эпитаксии - Google Patents

Устройство дл изготовлени многослойных полупроводниковых структур методом жидкостной эпитаксии

Info

Publication number
SU460826A1
SU460826A1 SU1836833A SU1836833A SU460826A1 SU 460826 A1 SU460826 A1 SU 460826A1 SU 1836833 A SU1836833 A SU 1836833A SU 1836833 A SU1836833 A SU 1836833A SU 460826 A1 SU460826 A1 SU 460826A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
melt
piston
structures
container
chamber
Prior art date
Application number
SU1836833A
Other languages
English (en)
Inventor
В.М. Андреев
Ю.В. Жиляев
В.Р. Ларионов
В.Г. Никитин
Original Assignee
Ордена Ленина физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ордена Ленина физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе filed Critical Ордена Ленина физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе
Priority to SU1836833A priority Critical patent/SU460826A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU460826A1 publication Critical patent/SU460826A1/ru

Links

Landscapes

  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

Claims (1)

  1. СТРУКТУР МЕТОДОМ жидкостной ЭПИТАКСИИ и расплав перетекает под действием собственного веса в неподвижную камеру 5. Во врем  обратного движени  поршн , при пере крытии канала 7, расплав продавливаетс  через зазор до тех пор, пока поршень не дойдет до держател  подложек и не вытеснит весь расплав из неподвижной камеры 5, Дл  замены расплава в зазоре над каналом 7 устанавливаетс  следующий объем, контейнера, и операции с поршнем повтор ютс . Дл  полного вытеснени  предыдущего расплава последующим объем зазора между подложками устанав-пивают не большим объема неподвижной камеры. Таким образом, благодар  тому, что с помощью предлагаемого устройства замена расплава на подложке происходит путем вытеснени  предь1дущего расплава последующим уменьшаетс  количество дефектов в эпитаксиальных структурах. В частности, использование предлагаемого устройства дл  изготовлени  гетеропазерных структур позвол ет значительно улучшить воспроизводимость параметров инжекционнъхх лазеров. Формула изобретени  Устройство дл  изготовлени  многослойных полупроводниковых структур методом жидкостной эпитаксии, включающее держатель подложки и контейнер дл  расплавов, отличающеес  тем, что, с целью уменьшени  дефектов изготовл емых структур, устройство снабжено соединенной с контейнером камерой с поршнем., в которой размещены держатели подложек, образующие канал, соедин ющий камеру с резервуаром , дл  отработанных расплавов.
SU1836833A 1972-10-16 1972-10-16 Устройство дл изготовлени многослойных полупроводниковых структур методом жидкостной эпитаксии SU460826A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1836833A SU460826A1 (ru) 1972-10-16 1972-10-16 Устройство дл изготовлени многослойных полупроводниковых структур методом жидкостной эпитаксии

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1836833A SU460826A1 (ru) 1972-10-16 1972-10-16 Устройство дл изготовлени многослойных полупроводниковых структур методом жидкостной эпитаксии

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU460826A1 true SU460826A1 (ru) 1977-01-05

Family

ID=20529423

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1836833A SU460826A1 (ru) 1972-10-16 1972-10-16 Устройство дл изготовлени многослойных полупроводниковых структур методом жидкостной эпитаксии

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU460826A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2942203A1 (de) * 1978-10-20 1980-04-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Verfahren und vorrichtung zur herstellung von halbleitervorrichtungen

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2942203A1 (de) * 1978-10-20 1980-04-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Verfahren und vorrichtung zur herstellung von halbleitervorrichtungen
US4338877A (en) * 1978-10-20 1982-07-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Apparatus for making semiconductor devices

Similar Documents

Publication Publication Date Title
BE807562A (fr) Procede pour fabriquer un filtre a liquide
IT1063033B (it) Serbatoio a doppia camera per un apparato di ossigenazione del sangue
SU460826A1 (ru) Устройство дл изготовлени многослойных полупроводниковых структур методом жидкостной эпитаксии
FR2280427A1 (fr) Procede de fabrication d'un cristal par epitaxie sur un substrat metallique liquide
EP0121110A3 (de) Verfahren zum Betrieb eines automatischen Probenzuführgerätes für Gaschromatographen und Gerät zur Durchführung des Verfahrens
RO63070A (fr) Procede pour obtenir du pamoate de pilocarpine
SU612619A3 (ru) Способ получени замещенных фенилов
ES398484A1 (es) Un procedimiento y una maquina para el llenado mecanico de canutillos de oblea de seccion transversal arbitraria abi- ertos, al menos, por un extremo.
ES530169A0 (es) Procedimiento y dispositivo para el refundido de cuerpos metalicos especialmente bobinados de transformadores
RO62779A (fr) Procede pour obtenir du cyclopentene pur
SU453013A1 (ru) Способ диффузионной сварки
IT1002894B (it) Apparecchio per eliminare l acqua dalla superficie di un articolo mediante immersione di una composizione liquida non miscibile all acqua
SU349231A1 (ru) Способ изготовлени радиальных кристаллизаторов
SU459511A1 (ru) Способ дегазации струи металла
JPS5812230B2 (ja) エキソウエピタキシヤルセイチヨウホウホウ
KR940006348Y1 (ko) 광반도체 제조장치
IT946902B (it) Substrato di spinello accresciuto secondo il metodo czochralski modi ficato superficialmente per mezzo di un metodo di diffusione a sta to solido e metodo relativo
SU487852A1 (ru) Устройство дл подачи стекломассы в ванну с расплавленным металлом
LAMBERT Regulation of carrier durability in silicon technology(Minority carrier lifetime optimization for gallium silicon diffusion thyristor)[Ph. D. Thesis]
JPS5211860A (en) Liquid phase epitaxial device
JPS5227653A (en) Method of injecting liquid crystal in liquid crystal display device
JPS539553A (en) Liquid crystal sealing method
RO62671A (fr) Procede pour obtenir un contact allie de fusion entre lemetal de l'electrod et le semiconducteur
JPS51151071A (en) Manufacturing method of a semiconductor apparatus
SU510249A1 (ru) Способ подачи растворител в экстрактор