SU451173A1 - Мультивибратор - Google Patents

Description

Изобретение относитс  к импульсной технике . Известен мультивибратор на двух транзисторах с коллекторно-базовыми св з ми и диодно-емкостным накопителем. Однако известный мультивибратор не может быть переведен из ждущего режима в автоколебательный при поступлении на вход заданного количества запускающих импульсов. Целью изобретени   вл етс  обеспечение возможности перевода мультивибратора в автоколебательный режим при воздействии иа его вход заданного количества запускающих импульсов. Дл  этого емкостна  св зь между базой первого и коллектором второго транзистора выполнена на двух последовательно соединенных конденсаторах, а к точке соединени  конденсаторов подключен диодно-емкостной накопитель , состо щий из накопительного конденсатора , защунтированного разр дным резистором и двум  последовательно соединенными диодами, при этом точка соединени  диодов подключена к точке соединени  конденсаторов . На чертеже приведена принципиальна  электрическа  схема мультивибратора. Мультивибратор содержит два транзистора 1 и 2 с коллекторно-базовыми емкостными св з ми, резисторы 3, 4, 5, 6, конденсаторы 7, 8, 9,  вл ющиес  врем задающими элементами у мультивибратора, делитель напр жени  на резисторах 10, 11 и диоде 12 и диодно-емкостный накопитель, состо щий из накопительного конденсатора 13, защунтированного разр дным резистором 14 и двум  последовательно соединенными диодами 15 и 16. Емкостна  св зь между базой транзистора 1 и коллектором транзистора 2 выполнена на двух последовательно соединенных конденсаторах 7 и 8, к точке соединени  этих конденсаторов подключен диодно-емкостный накопитель. Точка соединени  диодов 15, 16 накопител  подключена к точке соединени  конденсаторов Мультивибратор работает следующим образом . В исходном состо нии транзисторы 1, 2 закрыты . Транзистор 1 закрыт положительным напр жением, подаваемым на эмиттер с делител , образованного резистором 10 и диодом 12, база его через резистор 3 соединена с общей щиной. База транзистора 2 через резистор 4 также соединена с общей щиной. Запускающий сигнал отрицательной пол рности через резистор 11 подаетс  на э.миттер транзистора 1. Длительность входного сигнала выбираетс  такой, чтобы при отпирании транзистора 1 образующийс  импульс отрицательной пол рности продифференцировалс 

С-цепочкой, образованной резистором 4 и конденсатором 9. Положительным выбросом открываетс  транзистор 2, и конденсатор 8 разр жаетс  по цепи коллектор-эмиттер транзистора 2, обща  шина, конденсатор 13, диод 16. Конденсаторы 8 и 13 образуют емкостный делитель напр жени , причем емкость конденсатора 13 значительно превышает емкость конденсатора 8. После окончани  входного импульса транзисторы 1 и 2 закрываютс , а положительный перепад напр жени , образующийс  на коллекторе транзистора 2, зар жает конденсатор 8 по цепи источник питани , резистор 6, конденсатор 8, диод 15.

С приходом следующего входного импульса цикл повтор етс . При этом на конденсаторе 13 образуетс  отрицательное относительно общей щины напр жение, которое смещает рабочую точку вольтамперной характеристики диода 16 в обратном направлении. Это приводит к уменьшению разр дного тока при перезар дке конденсатора 8 и, следовательно, к увеличению времени его перезар да. Па левой обкладке конденсатора 8 образуетс  отрицательное относительно общей шины напр жение , которое смещает рабочую точку вольтамперной характеристики диода 15 в обратном направлении, что приводит к увеличению составл ющей зар дного тока конденсатора 8 через конденсатор 7 и резистор 3 и к уменьщению составл ющей зар дного тока через диод 15. При поступлении на вход заданного числа импульсов составл юща  зар дного тока конденсатора 8 через конденсатор 7, резистор 3, переход эмиттер-база транзистора 1 станет достаточной дл  отпирани  транзистора 1. Транзистор 1 откроетс , конденсатор 9 разр дитс  по цепи коллектор-эмиттер транзистора 1, диод 12, резистор 4. Отрицательное напр жение, возникающее на резисторе 4, удерживает транзистор 2 в закрытом состо нии . С окончанием разр да конденсатора 9

транзистор 1 закрываетс , положительный перепад с его коллектора поступает на базу транзистора 2. Мультивибратор переходит в автоколебательный режим работы, причем отрицательное напр жение на накопительном

конденсаторе 13 будет сохран ть свое значение за счет ответвлени  части разр дного тока конденсатора 8. Количество импульсов, необходимых дл  запуска ждущего мультивибратора , определ етс  соотношением емкостей

конденсаторов 8 и 13, сопротивлением разр дного резистора 14, напр жением источника питани  и порогом отпирани  транзистора 1.

Предмет изобретени 

Мультивибратор на двух транзисторах с коллекторно-базовыми емкостными св з ми и диодно-емкостным накопителем, отличающийс  тем, что, с целью обеспечени  возможности перевода мультивибратора в автоколебательный режим при воздействии на его вход заданного количества запускающих импульсов , емкостна  св зь между базой первого и коллектором второго транзистора вьшолнена на двух последовательно соединенных конденсаторах, а к месту соединени  конденсаторов подключен диодно-емкостный накопитель , состо щий из накопительного конденсатора , зашунтированного разр дным резистором и двум  последовательно соединенными диодами, при этом точка соединени  диодов подключена к точке соединени  конденсаторов .