SU448479A1

SU448479A1 - Gating unit of readout memory signals

Info

Publication number: SU448479A1
Application number: SU1769228A
Authority: SU
Inventors: Вячеслав Григорьевич Еремин; Абрам Нахманович Либауэр; Ольга Михайловна Иванова
Original assignee: Предприятие П/Я В-2868
Priority date: 1972-04-04
Filing date: 1972-04-04
Publication date: 1974-10-30

Description

1one

Изобретение относитс к области вычислительной техники и может быть использовано в запоминающих устройствах электронных вычислительных машин.The invention relates to the field of computer technology and can be used in memory devices of electronic computers.

Известны блоки стробировани считанных сигналов запоминающих устройств, состо щие из генератора, выходом св занного с первичной обмоткой трансформатора, вторична обмотка которого одним концом через диод подключена к базе транзистора, а другим концом к эмиттеру транзистора, между базой и эмиттером которого включен резистор.There are known gating units of readout memory signals consisting of a generator, an output connected to the primary winding of a transformer, the secondary winding of which is connected to the base of the transistor by one end and the other end to the emitter of the transistor, the resistor is connected between the base and the emitter.

В услови х интенсивных помех, действующих по цепи питани , эти блоки стробировани работают ненадежно. Например, при совместной работе ферромагнитных запоминающих устройств и электромагнитных реле, питающихс от общего источника, реле создают импульсные помехи как на выходе усилителей считывани , так и в цеп х питани . Усиленные усилител ми считывани помехи поступают на входы стробирующих ключей, а импульсы помехи, действующие синхронно по цепи питани , открывают эти ключи. Через открытые ключи помехи поступают в выходные устройств , вызыва их ложные срабатывание. Кроме того, при сравнительно малой длительности выходных сигналов матрицы запоминающего устройства момент открывани стробирующих ключей не удаетс синхронизовать с Under the conditions of intense interference on the power supply, these gating units do not work reliably. For example, when using together ferromagnetic storage devices and electromagnetic relays powered from a common source, the relays create impulse noise both at the output of the read amplifiers and in the power supply circuits. Amplified noise amplification amplifiers arrive at the inputs of the gate keys, and the interference pulses acting synchronously along the power supply circuit open up these keys. Through public keys, interference occurs in the output devices, causing their false positives. In addition, with a relatively short duration of the output signals of the memory array, the opening time of the gate keys cannot be synchronized with

моментом по влени сигнала на щине считывани . В результате происходит частична передача сигнала в выходные устройства. При этом чувствительность выходных устройств приходитс увеличивать, что ухудщает их помехоустойчивость . Дл перекрыти временного диапазона между открытым состо ние стробирующих ключей и длительностью выходных сигналов матрицы запоминающего устройства необходимо стробирующие импульсы подавать на входы ключей с опережением считывани и увеличивать их длительность, а это приводит к снижению помехоустойчивости.moment of occurrence of the signal on the reading spine. As a result, the signal is partially transmitted to the output devices. In this case, the sensitivity of the output devices has to be increased, which impairs their noise immunity. To overlap the time range between the open state of the gating keys and the duration of the output signals of the memory array, gating pulses must be fed to the inputs of the keys ahead of reading and increase their duration, and this leads to a reduction in noise immunity.

Цель изобрени - повышение помехоустойчивости блока стробировани считанных сигналов , что достигаетс за счет введени в него параллельной : С-цепочки, котора через диод подсоединена к щине считывани матрицы запоминающего устройства и к эмиттеру транзистора , а коллектор транзистора подключен к входу усилител считывани .The purpose of the invention is to improve the noise immunity of the gating unit of the read signals, which is achieved by introducing a parallel C-chain into it, which is connected via a diode to the read array memory card and to the emitter of the transistor, and the collector of the transistor is connected to the input of the read amplifier.

Схема предлагаемого блока стробировани приведена на чертеже.The scheme of the proposed gating unit is shown in the drawing.

Транзистор 1 через разделительный диод 2 включен коллекторно-эмиттерной цепью последовательно между щиной считывани матрицы 3 запоминающего устройства и усилителем считывани 4. Параллельно входу транзистора включена С-ц&иочка, конденсатор 5 которой вл етс промежуточным запоминаюThe transistor 1 through the separation diode 2 is connected to the collector-emitter circuit in series between the readout matrix of the memory 3 and the read amplifier 4. Parallel to the input of the transistor is connected C-C & iojka, the capacitor 5 of which is an intermediate memory